|
钻瓜专利网为您找到相关结果 23个,建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]一种相位偏差的补偿方法及装置-CN201410260927.9有效
-
王卫明;耿敏明
-
中兴通讯股份有限公司
-
2014-06-12
-
2019-10-18
-
H04L25/02
- 本发明提供一种相位偏差的补偿方法及装置,应用于接收端所接收到的第一训练序列与第二训练序列之间的数据序列;方法包括:确定出第一训练序列与用于参照的标准训练序列之间的第一相位差,以及第二训练序列与标准训练序列之间的第二相位差;根据所述第一相位差和第二相位差确定组成所述数据序列的多个子数据序列中需要进行相位补偿的子数据序列;利用所述第一相位差和第二相位差计算需要进行相位补偿的子数据序列对应的相位补偿值;利用子数据序列对应的相位补偿值对所述需要进行相位补偿的子数据序列进行相位补偿。本发明的方案能够提高接收端对数据序列中相位偏差的纠正能力。
- 一种相位偏差补偿方法装置
- [实用新型]十字缝隙波导的交叉波导结构-CN201621285319.4有效
-
耿敏明
-
广西大学
-
2016-11-28
-
2017-06-09
-
G02B6/125
- 本实用新型揭示了一种十字缝隙交叉波导结构,该十字缝隙交叉波导结构包括输入/输出区、过渡区与交叉区输入/输出区用于信号的输入与输出,由普通的十字缝隙直波导构成;过渡区用于连接正交的直波导,由十字缝隙弯曲波导构成,十字缝隙弯曲波导的垂直缝隙内填充了高折射率二氧化硅;交叉区用于实现两条十字缝隙交叉波导结构的交叉,其由两条平行的高折射率二氧化硅波导构成。该交叉波导结构交叉损耗与串扰小,并且采用的是宽度渐变的高折射率二氧化硅波导结构,不涉及谐振结构,工作带宽大、制备工艺的容差也大。
- 十字缝隙波导交叉结构
- [实用新型]一种基于SOI材料的交叉波导-CN201621285798.X有效
-
耿敏明
-
广西大学
-
2016-11-28
-
2017-05-24
-
G02B6/125
- 本实用新型揭示了一种基于SOI材料的交叉波导,其由输入/输出区,过渡区,以及交叉区组成;输入/输出区为缝隙直波导,该缝隙直波导由两条硅直波导,以及垂直缝隙组成,其中,两条硅直波导均为条形波导,垂直缝隙内填充二氧化硅;过渡区为缝隙弯曲波导,该缝隙弯曲波导由两条硅弯曲波导,以及垂直缝隙组成,其中,两条硅弯曲波导均为条形波导,垂直缝隙内填充高折射率二氧化硅;交叉区为一条直波导,该直波导由一条高折射率二氧化硅波导,以及二氧化硅组成。同时,本实用新型还揭示了一种基于SOI材料的交叉波导的制备方法。本实用新型的交叉波导交叉损耗与串扰小,工作带宽大,制备工艺的容差大,适于低成本、高集成度、大规模制造。
- 一种基于soi材料交叉波导
- [发明专利]一种基于SOI材料的交叉波导及其制备方法-CN201611065753.6在审
-
耿敏明
-
广西大学
-
2016-11-28
-
2017-02-15
-
G02B6/125
- 本发明揭示了一种基于SOI材料的交叉波导,其由输入/输出区,过渡区,以及交叉区组成;输入/输出区为缝隙直波导,该缝隙直波导由两条硅直波导,以及垂直缝隙组成,其中,两条硅直波导均为条形波导,垂直缝隙内填充二氧化硅;过渡区为缝隙弯曲波导,该缝隙弯曲波导由两条硅弯曲波导,以及垂直缝隙组成,其中,两条硅弯曲波导均为条形波导,垂直缝隙内填充高折射率二氧化硅;交叉区为一条直波导,该直波导由一条高折射率二氧化硅波导,以及二氧化硅组成。同时,本发明还揭示了一种基于SOI材料的交叉波导的制备方法。本发明的交叉波导交叉损耗与串扰小,工作带宽大,制备工艺的容差大,适于低成本、高集成度、大规模制造。
- 一种基于soi材料交叉波导及其制备方法
|