“翟继卫”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果193个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种钛酸锶钡基玻璃陶瓷储能材料的制备方法-CN201210254299.4有效
发明人：沈波;汪金文;翟继卫 -专利权人：同济大学
申请日： 2012-07-20 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： C03C10/00 文献下载
摘要：本发明属于电介质储能材料领域，具体涉及一种高储能密度的钛酸锶钡基玻璃陶瓷材料的制备方法。本发明提供一种钛酸锶钡基玻璃陶瓷储能材料的制备方法，包括以下步骤：按(BaxSr1-x)TiO3-aAl2O3-bSiO2配料，其中x=0.4~0.6、(a+b)/(2+a+b)=0.3~0.35、a/b=0.5~1.0，经球磨混料后烘干，高温熔化；将高温熔体浇注至金属模具中，去应力退火，然后经切割得厚度为0.5~1.0mm的玻璃薄片；将玻璃薄片进行受控析晶，得到玻璃陶瓷；将玻璃陶瓷在微波炉中进行微波热处理，制得高储能密度的玻璃陶瓷电介质。本发明方法简单，所制备的玻璃陶瓷材料储能性能有较大提高。
一种钛酸锶钡基玻璃陶瓷材料制备方法

[发明专利]一种用于相变存储器的硅-硒化锡纳米多层复合相变薄膜材料-CN201210158661.8有效
发明人：沈波;孙明成;翟继卫 -专利权人：同济大学
申请日： 2012-05-21 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于低操作电流相变存储器的Si/SnSe2纳米多层复合相变薄膜材料。本发明的Si/SnSe2纳米多层复合相变薄膜材料中单层Si薄膜和单层SnSe2薄膜交替排列成多层膜结构，且单层Si薄膜的厚度为3~40nm，单层SnSe2薄膜的厚度为4~10nm；所述Si/SnSe2纳米多层复合相变薄膜材料的总厚度为75～210nm。基于本发明Si/SnSe2纳米多层复合相变薄膜材料的相变存储器具有操作电流极低的优势，同时对数据的保持能力较强，可用于低操作电流相变存储器。
一种用于相变存储器硒化锡纳米多层复合薄膜材料

[发明专利]一种介电可调的低温共烧陶瓷材料及其制备方法-CN201210115855.X有效
发明人： 翟继卫;唐林江;沈波 -专利权人：同济大学
申请日： 2012-04-18 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明涉及电子材料与器件技术领域，尤其涉及一种具有介电可调特性和低温共烧特性的复合微波陶瓷材料及其低温共烧陶瓷器件的制备方法。本发明所提供的具有介电可调特性和低温共烧特性的复合微波陶瓷材料，其各组分的重量百分比为：Ba1-xSrxTiO3（x=0.4～0.6）50wt%～88wt%；AMoO4（A=Ba,Sr或Ca）10wt%～48wt%；yB2O3·zLi2O（y/z=0.5～1）2wt%-10wt%。本发明的复合材料是通过AMoO4改性剂和yB2O3·zLi2CO3玻璃助烧剂同时对Ba1-xSrxTiO3进行复合掺杂改性，从而得到低烧结温度的（900～950℃），适宜于低温共烧陶瓷（LTCC）技术和微波可调器件的应用。
一种可调低温陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种钡钙锆钛无铅压电织构厚膜及其制备方法-CN201210002197.3有效
发明人： 翟继卫;白王峰;沈波 -专利权人：同济大学
申请日： 2012-01-05 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： C04B35/49 文献下载
摘要：本发明属于无铅压电材料领域,涉及一种无铅压电织构厚膜及其制备方法。本发明的无铅压电厚膜，其化学成份符合化学通式(BaxCay)(ZrzTim)O3；0.79≤x≤0.865，0.135≤y≤0.21，0.06≤z≤0.11，0.89≤m≤0.94；其制备包括以下步骤:1）制备相应的基料与模板；2）将模板与基料按一定比例配料置于研钵中，加入溶剂和粘结剂研磨制得浆料；将浆料丝网印刷后获得膜片；将得到的膜片进行等静压；取出压好的样品热处理，得到取向良好的无铅压电织构厚膜。该制备方法得到的无铅压电织构厚膜取向度较高,可广泛用于压电传感器、压电电动机以及高精度位移控制器等方面，有利于器件的小型化的发展。
一种钡钙锆钛无铅压电织构厚膜及其制备方法

[发明专利]一种利用铝硅复合氧化物包覆纳米钛酸锶钡介质储能材料及其制备方法-CN201110418864.1有效
发明人： 翟继卫;徐超;沈波 -专利权人：同济大学
申请日： 2011-12-14 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C04B35/47 文献下载
摘要：本发明提供了一种钛酸锶钡纳米颗粒材料，所述钛酸锶钡纳米颗粒的表面包覆有硅铝复合氧化物；所述硅铝复合氧化物为Al2O3和SiO2的复合，所述硅铝复合氧化物占所述钛酸锶钡重量的1.0wt%～10.0wt%。本发明的有益效果是：（1）较低的制备温度，相比固相合成钛酸锶钡纳米粉体材料的1100℃，80℃的反应温度大大降低了。（2）可以得到晶粒大小在300nm～500nm间的陶瓷材料，因而改善了烧结体的耐击穿电场强度和介电性能。（3）在外加高压直流电场作用下，该介质储能陶瓷材料具有稳定的介电常数，适用于电容器等介质储能器件等的设计开发。
一种利用复合氧化物纳米钛酸锶钡介质材料及其制备方法

[发明专利]一种钛酸锶钡复合钼酸盐的微波介电可调材料及其制备方法-CN201110422665.8无效
发明人： 翟继卫;唐林江;沈波 -专利权人：同济大学
申请日： 2011-12-16 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明属于电子材料与器件技术领域，公开了一种高Q值、介电可调的钛酸锶钡复合钼酸盐的微波陶瓷介质材料及其制备。本发明的微波陶瓷介质材料，其化学成分符合化学下式(1-x)%Ba1-ySryTiO3+x%AMoO4，其中，A选自Ba、Sr、Ca、Mn、Mg、Zn和Co；0＜x＜100；y=0.4～0.6。本发明的可调微波陶瓷介质材料，具有高的Q值，介电常数系列化，并有一定的介电可调率，能被用作电调谐微波谐振器、滤波器以及微波介质天线等可调微波元器件的材料。
一种钛酸锶钡复合钼酸微波可调材料及其制备方法

[发明专利]一种织构化的（1-x-y）BNT-xBKT-yKNN陶瓷材料及其制备方法-CN201110317092.2无效
发明人： 翟继卫;叶成根;白王峰;沈波 -专利权人：同济大学
申请日： 2011-10-18 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明涉及一种织构化的（1-x-y）BNT-xBKT-yKNN（x=0.1~0.25，y=0.01~0.05）高应变陶瓷材料及其制备方法，包括下列步骤：1）制备片状钛酸铋模板；2）将模板与（1-x-y）BNT-xBKT-yKNN基料按一定的比例配料置于球磨罐中，加入溶剂后球磨制得浆料；将浆料流延后获得膜片；将膜片切割后叠片热压成型；将成型后的坯体排粘、烧结得到织构化的（1-x-y）BNT-xBKT-yKNN陶瓷材料。该制备方法成本低，工艺成熟简单且适合大批量工业化生产。所制备的（1-x-y）BNT-xBKT-yKNN陶瓷材料具有取向度高、压电性能高，可广泛应用于压电传感器、压电电动机以及高精度位移控制等方面。
一种织构化 bnt xbkt yknn 陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种低损耗、高介电可调钛酸锶钡基陶瓷材料及其制备方法-CN201110183011.4有效
发明人： 翟继卫;张奇伟 -专利权人：同济大学
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： C22C29/00 文献下载
摘要：本发明属于电子材料与器件技术领域，涉及一种低损耗、高介电可调钛酸锶钡基陶瓷材料及其制备。本发明的介电可调的钛酸锶钡基微波陶瓷材料，其结构为单相的立方钙钛矿结构，其成分包括如下质量百分比的组分：BaxSr1-xTiO3(x=0.3～0.8)50wt.%～99.9wt.%，Fe粉0.1wt.%～50wt.%。本发明的介电可调的钛酸锶钡基微波陶瓷材料将Fe粉添加到不同Ba/Sr组分的钛酸锶钡铁电材料中，研制得到一种具有低损耗，高介电可调特性，且可用于可调器件的陶瓷材料，尤其适合用作可调微波器件的微波介质陶瓷铁电移相器材料。
一种损耗高介电可调钛酸锶钡基陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种用于多级存储相变存储器的纳米多层复合相变薄膜材料及其制备和应用-CN201110306751.2无效
发明人：沈波;孙明成;翟继卫;汪昌州 -专利权人：同济大学
申请日： 2011-10-11 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于多级存储相变存储器的Ge2Sb2Te5/Ga30Sb70纳米多层复合相变薄膜。本发明的Ge2Sb2Te5/Ga30Sb70纳米多层复合相变薄膜材料中单层Ge2Sb2Te5薄膜和单层Ga30Sb70薄膜交替排列成多层膜结构，且单层Ge2Sb2Te5薄膜的厚度和单层Ga30Sb70薄膜的厚度均为10~133nm；所述Ge2Sb2Te5/Ga30Sb70纳米多层复合相变薄膜材料的总厚度为90-200nm。本发明的Ge2Sb2Te5/Ga30Sb70纳米多层复合相变薄膜用于相变存储器中能够实现多级存储，同时具有较高的热稳定性，对数据的保持能力极强。
一种用于多级存储相变存储器纳米多层复合薄膜材料及其制备应用

[发明专利]一种铌酸钾钠无铅压电陶瓷材料的制备方法-CN201110227548.6有效
发明人： 翟继卫;郝继功;沈波 -专利权人：同济大学
申请日： 2011-08-09 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明属于无铅压电材料领域，具体涉及一种采用高能球磨制备铌酸钾钠无铅压电陶瓷的方法。该方法以Na2CO3、K2CO3和Nb2O5为原料，按照化学式(KxNa1-x)NbO3(x=0.42~0.58)称量原料质量，均匀混合后放在高能球磨机中球磨，转速为200r/min，球磨8~32h后得到高活性的亚微米粉体，然后将粉体低温合成后二次球磨，经干压成型、烧结得到陶瓷材料。本发明大大降低了现有技术中铌酸钾钠粉体的合成温度，并提高了铌酸钾钠陶瓷材料的可烧结性，促进了其铁电和压电性能的提高：剩余极化强度Pr和压电常数d33较传统制备工艺均提高了10%左右。
一种铌酸钾钠无铅压电陶瓷材料制备方法

[发明专利]一种KNN基压电织构厚膜的制备方法-CN201110153079.8有效
发明人： 翟继卫;付芳 -专利权人：同济大学
申请日： 2011-06-09 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明属于无铅压电材料领域，涉及一种无铅压电织构厚膜及其制备方法。本发明的无铅压电织构厚膜的制备方法，包括下列步骤：制备基料；制备模板；将模板与基料按一定的比例配料置于研钵中进行研磨，加入配好的粘结剂后继续研磨制得浆料；把浆料进行丝网印刷获得膜片；将膜片切割后进行等静压；热处理后获得取向良好的无铅压电织构厚膜。本发明的制备方法所获得K0.5Na0.5NbO3基压电织构厚膜具有良好的取向度，有利于器件小型化、片式化的发展。
一种 knn 压电织构厚膜制备方法

[发明专利]一种无模板辅助生长立方相碲化锗纳米线阵列的方法-CN201110202239.3有效
发明人： 翟继卫;尚飞;沈波 -专利权人：同济大学
申请日： 2011-07-19 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种无模板辅助生长立方相碲化锗(GeTe)纳米线阵列的方法，包括如下步骤：(1)在Si基片上溅射一层Au薄膜；(2)在水平管式炉中部放置蒸发源，将水平管式炉抽至一定真空度后，充入载气使炉管内维持一定的内压；(3)将步骤(1)中制备的溅射有Au薄膜的Si基片放置在水平管式炉下风向处，并对水平管式炉中部进行加热至预定温度；(4)在步骤(3)中，当炉中部管温升至预定温度后，进行一定时间的降温；(5)降温时间结束后，利用机械泵维持一定的真空度，进行自然降温。该方法简单可行，成本低廉，可有效地实现异质结阵列。
一种模板辅助生长立方相碲化锗纳米阵列方法

[发明专利]一种制备Ge包覆GeTe纳米线同轴异质结的方法-CN201110202610.6有效
发明人： 翟继卫;尚飞;沈波 -专利权人：同济大学
申请日： 2011-07-19 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备Ge包覆GeTe纳米线同轴异质结的方法，包括如下步骤：(1)在Si基片上溅射一层Au薄膜；(2)在水平管式炉中部放置蒸发源，将水平管式炉抽至一定真空度后，充入载气使炉管内维持一定的内压；(3)将步骤(1)中制备的溅射有Au薄膜的Si基片放置在水平管式炉下风向处，并对水平管式炉中部进行加热至预定温度；(4)在步骤(3)中，当炉中部管温升至预定温度后，进行一定时间的保温；(5)保温时间结束后，停载气，利用机械泵维持一定的真空度，进行自然降温。本发明利用气相沉积的方法在特定的工艺下，可稳定的获得Ge包覆GeTe纳米线同轴异质结结构。
一种制备 ge gete 纳米同轴异质结方法

[发明专利]一种制备Ge纳米管的方法-CN201110202585.1无效
发明人： 翟继卫;尚飞;沈波 -专利权人：同济大学
申请日： 2011-07-19 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备Ge纳米管的方法，包括如下步骤：(1)在Si基片上溅射一层Au薄膜；(2)在水平管式炉中部放置蒸发源，将水平管式炉抽至一定真空度后，充入载气使炉管内维持一定的内压；(3)将步骤(1)中制备的溅射有Au薄膜的Si基片放置在水平管式炉下风向处，并对水平管式炉中部进行加热至预定温度；(4)在步骤(3)中，当炉中部管温升至预定温度后，进行一定时间的保温；(5)保温时间结束后，停载气，利用机械泵维持一定的真空度，进行自然降温。本发明利用气相沉积的方法在特定的工艺下，可稳定的获得Ge纳米管。
一种制备 ge 纳米方法

[发明专利]一种提高钛锡酸锶薄膜阻变存储性能的方法-CN201010179696.0有效
发明人： 翟继卫;周歧刚 -专利权人：同济大学
申请日： 2010-05-20 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高钛锡酸锶薄膜阻变存储性能的方法，所述方法包括向钛锡酸锶薄膜材料中掺杂摩尔含量为所述钛锡酸锶薄膜材料的0.1～4％的Mg和0.1～4％的Mn；所述钛锡酸锶薄膜材料的化学组成为SrTi(1-x)SnxO3，其中0.01≤x≤0.25。本发明通过在钛锡酸锶薄膜制备中掺杂化学元素镁，再辅以其它受主或变价杂质例如锰，改善了钛锡酸锶薄膜的微结构和物理性能，从而提高了钛锡酸锶薄膜在用于阻变存储器时高/低电阻态切变比率，使以钛锡酸锶薄膜为介质层的阻变存储器的高/低两种电阻状态在读取时更易于区分，从而大大提高阻变存储器器件读/写操作的可靠性和保存信息的长期性。
一种提高钛锡酸锶薄膜存储性能方法