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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]单元特定渐进式对准的半导体装置及方法-CN202310352378.7在审
发明人：克里斯多佛·M·斯坎伦;克拉格·必绍普 -专利权人： 美国德卡科技公司
申请日： 2017-09-18 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明的半导体装置可包括：设置在密封剂内的半导体晶粒，半导体晶粒与由密封剂形成的封装边缘不对准。半导体晶粒的总径向位移可描述半导体晶粒和封装边缘之间未对准。增层互连结构可包括形成在半导体晶粒和密封剂之上的两个或更多的层，两个或更多的层包括至少一个重分布层RDL。总径向位移可分布在增层互连结构的两个或更多的层上。半导体晶粒和封装边缘的平均未对准可大于至少一个单元特定图案相对于封装边缘的平均未对准。
单元特定渐进对准半导体装置方法

[发明专利]全模制周边堆叠封装设备-CN201680067826.7有效
发明人：克里斯多佛·M·斯坎伦;威廉·博伊德·罗格;克拉格·必绍普 -专利权人： 美国德卡科技公司
申请日： 2016-11-21 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法可包括：提供包括半导体晶粒安装位点的临时载体，并且在所述临时载体上方形成绝缘层。导电焊盘可在所述绝缘层中的开口内形成，并且被定位在所述晶粒安装区域内部和外部。背面再分布层(RDL)可在所述临时载体上方形成，之后将半导体晶粒安装在所述晶粒安装位点处。导电互连件可在所述半导体晶粒安装位点的周边中的所述临时载体上方形成。半导体晶粒可正面朝上安装到所述绝缘层。导电互连件、背面RDL和半导体晶粒可以用模制化合物密封。堆焊互连结构可以形成并连接到所述半导体晶粒和所述导电互连件。在研磨工艺中可以移除所述临时载体，并暴露所述导电焊盘。
全模制周边堆叠封装设备

[发明专利]单元特定渐进式对准的半导体装置及方法-CN201780057483.0有效
发明人：克拉格·必绍普;克里斯多佛·M·斯坎伦 -专利权人： 美国德卡科技公司
申请日： 2017-09-18 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置及方法可包括：测量在嵌入式晶粒面板内的多个半导体晶粒的各自的真实位置。确定多个半导体晶粒中的每个的总径向位移。通过根据优先级列表将总径向位移的一部分分步至每个层，将多个半导体晶粒的每个总径向位移分步至每个半导体晶粒的两个或更多层，以形成用于每一层的分布径向位移。可使用每一层的分布径向位移来变换用于多个半导体晶粒的每一层的变换。在多个半导体晶粒的每个上可形成单元特定图案，该单元特定图案含有用于多个层的每个的变换。
单元特定渐进对准半导体装置方法

[发明专利]全模制周边堆叠封装设备-CN201680067520.1有效
发明人：克里斯多佛·M·斯坎伦;威廉·博伊德·罗格;克拉格·比绍普 -专利权人： 美国德卡科技公司
申请日： 2016-11-15 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备半导体器件的方法，所述方法可包括提供具有半导体管芯安装位点的临时载体，以及将导电互连件形成在所述半导体管芯安装位点的周边中的所述临时载体上方。半导体管芯可安装在所述半导体管芯安装位点处。可使用模制化合物密封所述导电互连件和半导体管芯。可暴露所述导电互连件的第一端。可移除所述临时载体以暴露与所述导电互连件的所述第一端相反的所述导电互连件的第二端。可蚀刻所述导电互连件以使所述导电互连件的所述第二端相对于所述模制化合物凹进。所述导电互连件可包括第一部分、第二部分以及设置在所述第一部分与所述第二部分之间的蚀刻停止层。
全模制周边堆叠封装设备

[发明专利]全模制的微型化半导体模块-CN201680067827.1有效
发明人：克里斯多佛·M·斯坎伦;提莫泽·L·奥森 -专利权人： 美国德卡科技公司
申请日： 2016-11-18 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体模块，该半导体模块可包括全模制基底部分，该全模制基底部分包括平坦表面，该全模制基底部分还包括半导体晶粒、导电柱及包封物，该半导体晶粒包括接触垫，该导电柱耦接至接触垫并延伸至该平坦表面，并且该包封物设置于该有源表面之上、四个侧表面之上并围绕该导电柱，其中该导电柱的末端在该全模制基底部分的平坦表面处自该包封物暴露。堆积互连结构包括可设置于该全模制基底部分之上的布线层。可光成像焊料屏蔽材料可设置于该布线层之上且包括开口，以形成电耦接至该半导体晶粒及该导电柱的表面安装装置(SMD)平台垫。可运用表面安装技术(SMT)将SMD组件电耦接至该SMD平台垫。
全模制微型半导体模块

[发明专利]包含单元特定对齐和单元特定布线的多裸芯封装-CN201680059697.7有效
发明人： C.毕晓普 -专利权人： 美国德卡科技公司
申请日： 2016-10-12 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种包含单元特定对齐和单元特定布线的多裸芯封装以及制作其的方法，所述方法可包括通过在单一步骤中封装第一半导体裸芯和第二半导体裸芯连同导电互连件而形成嵌入式裸芯面板。可测量在该嵌入式裸芯面板内的该第一半导体裸芯和该第二半导体裸芯的实际位置。可通过堆积互连结构互连该第一半导体裸芯和该第二半导体裸芯，该堆积互连结构互连包含与该第一半导体裸芯对齐的第一单元特定对齐部分、与该第二半导体裸芯对齐的第二单元特定对齐部分、连接该第一单元特定对齐部分和该第二单元特定对齐部分的单元特定布线、及与嵌入式裸芯面板的轮廓对齐并耦接至该单元特定布线的固定部分。
包含单元特定对齐布线多裸芯封装

[发明专利]热增强型全模制扇出模组-CN201680054403.1有效
发明人： C.M.斯坎伦 -专利权人： 美国德卡科技公司
申请日： 2016-09-19 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：一种制造半导体装置的方法可以包括提供具有粘合剂的暂时载体。可将第一半导体管芯及第二半导体管芯面向上安装至暂时载体，使得第一半导体管芯的背表面和第二半导体管芯的背表面陷入粘合剂内。通过在单一步骤中包封第一半导体管芯的至少四个侧表面和有源表面、第二半导体管芯、及导电互连件的侧表面而形成嵌入式管芯面板。可以通过在嵌入式管芯面板上方形成精细间距堆积互连结构，而在没有硅中介层的情况下使得第一半导体管芯及第二半导体管芯的导电互连件互连，以形成至少一个模制核心单元。可将所述至少一个模制核心单元安装至有机多层基材。
增强型全模制扇出模组

[发明专利]对单元特定的图案化的自动光学检测-CN201580062636.1有效
发明人： C.毕晓普;V.J.S.博拉;C.M.斯坎伦;T.L.奥尔森 -专利权人： 美国德卡科技公司
申请日： 2015-11-19 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种针对多个独特半导体封装的自动光学检测(AOI)的方法可以包括提供形成为重构晶圆的多个半导体管芯。可以通过在所述多个半导体管芯中的每个上方形成单元特定图案来形成多个单元特定图案，其中所述单元特定图案中的每个被定制为配合其相应的半导体管芯。可以通过采集多个单元特定图案中的每个的图像来采集多个图像。可以通过生成针对多个单元特定图案中的每个的独特参考标准来生成多个独特参考标准。可以通过针对多个单元特定图案中的每个将多个独特参考标准中的一者与多个图像中的对应一者进行比较，检测多个单元特定图案中的缺陷。
单元特定图案自动光学检测

[发明专利]制备用于全模制封装的3D互连部件的方法-CN201680003401.X有效
发明人： C.M.斯坎伦 -专利权人： 美国德卡科技公司
申请日： 2016-04-29 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备半导体部件封装的方法，该方法可包括：提供包括导电迹线的基板；利用焊料将表面安装装置(SMD)焊接至该基板；利用第一模制化合物在该SMD上方并围绕该SMD包封该基板上的该SMD以形成部件组件；以及将该部件组件安装至临时载体，其中该部件组件的第一侧面朝向该临时载体取向。该方法还可包括：将包括导电互连件的半导体模片邻近该部件组件安装至该临时载体；利用第二模制化合物包封该部件组件和该半导体模片以形成重构板材；以及使该导电互连件和导电迹线相对于该第二模制化合物暴露在该部件组件的第一侧面和第二侧面处。
制备用于全模制封装互连部件方法

[发明专利]用于材料移除的半导体装置处理方法-CN201680051785.2有效
发明人： T.L.奥尔森;W.B.罗杰斯;F.阿尔达斯 -专利权人： 美国德卡科技公司
申请日： 2016-07-08 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明题为“用于材料移除的半导体装置处理方法”。本发明公开了一种从半导体基材上方移除材料层的至少一部分的方法，该方法可包括将蚀刻溶液分配在半导体基材上方以在材料层上形成蚀刻溶液池，其中蚀刻溶液池的覆盖区小于半导体基材的覆盖区。蚀刻溶液池以及半导体基材可相对于彼此移动。可用至少一个空气刀在半导体基材上限定蚀刻溶液池的池边界，使得蚀刻溶液池在蚀刻溶液池的覆盖区内蚀刻半导体基材上方的材料层。蚀刻溶液以及由蚀刻溶液池蚀刻的材料层的至少一部分可用至少一个空气刀移除。
用于材料半导体装置处理方法

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