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[发明专利]聚氨酯抛光垫-CN201510512498.4有效
发明人： B·钱;R·L·小拉沃伊;M·W·格鲁特;B·李 -专利权人：陶氏环球技术有限责任公司;罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请日： 2015-08-19 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： B24B37/20 文献下载
摘要：抛光垫用于平面化半导体、光学以及磁性衬底中的至少一者。所述抛光垫包括由H12MDI/TDI与聚四亚甲基醚乙二醇的预聚物反应以形成异氰酸酯‑封端反应产物而形成的铸造聚氨酯聚合材料。所述异氰酸酯封端反应产物具有8.95重量％到9.25重量％未反应的NCO，并且NH2与NCO化学计量比为102％到109％。所述异氰酸酯封端反应产物用4，4′‑亚甲基双(2‑氯苯胺)固化剂固化。如在无孔状态下所测量，所述铸造聚氨酯聚合材料在30℃和40℃下用扭转夹具测量的剪切储能模量G′为250MPa到350MPa，并且在40℃下用扭转夹具测量的剪切损耗模量G″为25MPa到30MPa。所述抛光垫具有20体积％到50体积％的孔隙率和0.60g/cm3到0.95g/cm3的密度。
聚氨酯抛光

[发明专利]孔隙度受控的抛光垫形成法-CN201610464131.4有效
发明人： Y·童;A·旺克;D·卢戈;M·R·斯塔克;D·M·韦内齐亚莱;M·W·德格鲁特;G·C·雅各布;J·B·米勒 -专利权人：陶氏环球技术有限责任公司;罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请日： 2016-06-23 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： B24D18/00 文献下载
摘要：本发明为一种制造适合于对半导体、光学和磁性衬底中的至少一种进行平坦化的抛光垫的方法。所述方法包括将液体聚合物液滴紧靠衬底涂覆以形成多个孔隙。液体聚合物含有非离子表面活性剂和离子表面活性剂，所述非离子表面活性剂具有足以促进液体聚合物内孔隙生长的浓度，所述离子表面活性剂具有足以限制液体聚合物内孔隙生长的浓度。使所述固体聚合物固化形成所述多个孔隙的最终尺寸由非离子表面活性剂和离子表面活性剂的浓度控制的抛光垫。
孔隙受控抛光形成

[发明专利]用于制造化学机械抛光垫的自动锁扣装置和方法-CN201710589520.4有效
发明人： B·T·坎特雷尔 -专利权人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请日： 2017-07-18 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： B29C39/06 文献下载
摘要：本发明提供一种装置，其用于混合可固化液流(物料流)且将所述可固化液流分配到敞口模具中以填充所述模具，从而制造用于对衬底进行化学机械平坦化的抛光垫。所述装置包含致动框，所述致动框上安装有(i)一组两个板片，所述板片可释放地附接到致动框且调造成当模具充满时切断所述物料流且在切断所述物料流之后从致动框中释放；以及(ii)分配单元，用于将所述物料流连续灌注到敞口的模具中，所述装置调造成在连续灌注期间、在模具充满之后允许所释放的板片从致动器中移出，例如通过提升致动框以及(ii)分配单元来实现，其中可以将容器放置在模具上方以锁扣所述板片。
致动模具物料流板片分配单元连续灌注可固化化学机械平坦化敞口模具容器放置液流分配释放敞口的可释放抛光垫致动器衬底锁扣液流移出填充制造

[发明专利]用于钨的化学机械抛光方法-CN201910312666.3在审
发明人：何蔺蓁;蔡薇雯 -专利权人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请日： 2019-04-18 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：公开一种用于化学机械抛光含钨衬底的方法，以降低腐蚀速率并抑制钨的凹陷和下层电介质的侵蚀。所述方法包括提供衬底；提供含有以下作为初始组分的抛光组合物：水；氧化剂；非离子聚丙烯酰胺；二羧酸；铁离子源；具有负ζ电位的胶态二氧化硅研磨剂；和任选地pH调节剂；提供具有抛光表面的化学机械抛光垫；在所述抛光垫与所述衬底之间的界面处产生动态接触；和将所述抛光组合物分配到所述抛光垫与所述衬底之间的所述界面处或附近的所述抛光表面上；其中一些所述钨被抛光离开所述衬底、降低腐蚀速率、抑制所述钨的凹陷以及所述钨下层电介质的侵蚀。
衬底电介质抛光组合物抛光表面界面处抛光垫凹陷下层非离子聚丙烯酰胺化学机械抛光垫腐蚀化学机械抛光胶态二氧化硅氧化剂侵蚀动态接触铁离子源二羧酸研磨剂抛光分配

[发明专利]使化学机械抛光垫的表面成形的方法-CN201710873212.4有效
发明人： J·J·亨德伦;J·R·斯塔克 -专利权人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请日： 2017-09-25 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： B24B37/22 文献下载
摘要：本发明提供用于制造预调节型化学机械(CMP)抛光垫的方法，所述CMP抛光垫具有有效抛光的垫表面微纹理，所述方法包含用旋转式研磨机研磨具有半径的所述CMP抛光垫的表面，此时其就位固持在平台式压板表面上，所述旋转式研磨机具有平行于或基本上平行于所述平台式压板表面安置并且由多孔性研磨材料制成的研磨表面，其中所得CMP抛光垫具有0.01μm到25μm Sq的表面粗糙度。本发明还提供一种在抛光层表面上具有一系列明显的交叉弧线的CMP抛光垫，所述交叉弧线的曲率半径等于或大于所述垫的曲率半径的一半，并且始终绕所述垫的所述表面以绕所述垫的中心点径向对称的方式延伸。
化学机械抛光表面成形方法

[发明专利]低缺陷多孔抛光垫-CN201710644484.7有效
发明人： H·桑福德-克瑞;罗水源 -专利权人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请日： 2017-08-01 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： B24B37/26 文献下载
摘要：抛光垫适用于使用抛光流体以及所述抛光垫与半导体、光学和磁衬底中的至少一个之间的相对运动来抛光或平面化半导体、光学和磁衬底中的所述至少一个。抛光层具有开孔聚合基质、抛光表面，所述抛光层中的多个凹槽。多个凸出槽脊区域用从所述底部多个凸出槽脊区域向外并且向下延伸的锥形支撑结构支持。所述多个凸出槽脊区域具有小于所述多个凹槽的平均宽度的平均宽度，以便减少所述凸出槽脊区域的抛光停留时间并且增加所述凹槽区域的碎屑去除停留时间到大于所述抛光停留时间的值。
缺陷多孔抛光

[发明专利]化学机械抛光垫复合抛光层配制品-CN201610461665.1有效
发明人： B·钱;J·考兹休克;T·布鲁加罗拉斯布鲁福;D·卢戈;G·C·雅各布;J·B·米勒;T·Q·陈;M·R·斯塔克;J·J·亨德伦 -专利权人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司;陶氏环球技术有限责任公司
申请日： 2016-06-23 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： B24B37/24 文献下载
摘要：提供一种化学机械抛光垫，其含有：具有抛光表面的抛光层；其中所述抛光层包含第一连续非短效聚合物相和第二非短效聚合物相；其中所述第一连续非短效聚合物相具有多个周期性凹座；其中所述多个周期性凹座由所述第二非短效聚合物相所占据；其中所述第一连续非短效聚合物相的开孔孔隙率≤6体积％；其中所述第二非短效聚合物相的开孔孔隙率≥10体积％；以及其中所述抛光表面适于抛光衬底。
化学机械抛光复合抛光配制

[发明专利]用于多晶硅抛光的低凹陷二氧化硅颗粒的水性组合物-CN201811518226.5在审
发明人： N·K·彭塔;M·范哈尼赫姆;K·E·特泰;吉田光一;吉田享平 -专利权人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种水性化学机械平面化(chemical mechanical planarization；CMP)抛光组合物，其包括以下的混合物：(a)一种或多种烷氧基化二胺，其数均分子量(Mn)为1,000到20,000或优选地1000到15000并且具有各自含有5到100个烷氧基重复单元的四个(聚)烷氧基醚基；(b)以所述组合物的总重计，0.01wt.％到2wt.％或优选地0.1wt.％到1.5wt.％呈固体的伸长、弯曲或结节状胶体二氧化硅颗粒的一种或多种水性分散体，如通过动态光散射(dynamic light scattering；DLS)所测定，所述一种或多种粒水性分散体的二次粒径为20nm到60nm；以及(c)氨或胺碱，其中所述组合物的pH在9到11的范围内。所述组合物基本上不含金属，如在抛光时可能损坏衬底的碱或碱土金属。
水性分散体抛光优选胶体二氧化硅颗粒化学机械平面化二氧化硅颗粒烷氧基化二胺动态光散射抛光组合物数均分子量水性组合物二次粒径碱土金属烷氧基醚混合物多晶硅烷氧基凹陷伸长胺碱衬底结节总重金属

[发明专利]含有具有三甲基氧化锍阳离子的二氧化硅的CMP浆料组合物-CN201811520548.3在审
发明人： D·莫斯利 -专利权人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种含水化学机械平坦化(CMP)抛光组合物，其包含0.25wt.％到30wt.％的含水胶状二氧化硅颗粒，所述胶状二氧化硅颗粒内含有三烷基锍基团、三烷基氧化锍基团或两者，优选地含有三甲基氧化锍基团、三甲基锍基团或两者。所述组合物的pH为2到7，此外，胶状二氧化硅颗粒在pH为3.5时具有正ζ电位，且固体含量为2wt.％，而不需要带正电的未结合的添加剂。
胶状二氧化硅三甲基氧化锍烷基锍基团含水化学机械平坦化电位抛光组合物二氧化硅阳离子优选添加剂

[发明专利]化学机械抛光组合物和用于抛光钨的方法-CN201510330895.X有效
发明人： Y·郭;R·L·小拉沃伊 -专利权人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请日： 2015-06-15 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种用于钨的组合物和方法，其包含：金属氧化物磨料；氧化剂；根据化学式I的钨去除速率提升物质；以及水；其中所述抛光组合物展现提升的钨去除速率和钨去除速率提升。
化学机械抛光组合用于抛光方法

[发明专利]制备用于化学机械抛光垫的复合抛光层的方法-CN201610462790.4有效
发明人： B·钱;T·布鲁加罗拉斯布鲁福;J·考兹休克;D·M·韦内齐亚莱;Y·童;D·卢戈;G·C·雅各布;J·B·米勒;T·Q·陈;M·R·斯塔克;A·旺克;J·J·亨德伦 -专利权人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司;陶氏环球技术有限责任公司
申请日： 2016-06-23 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： B24B37/22 文献下载
摘要：提供一种形成化学机械抛光垫复合抛光层的方法，其包括：提供第一连续非短效聚合相的第一抛光层组件，其具有多个周期性凹槽；将组合以5到1,000m/s的速度向第一抛光层组件排出，用所述组合填充所述多个周期性凹槽；使所述组合在所述多个周期性凹槽中固化形成第二非短效聚合相，获得复合结构；以及从所述复合结构获得所述化学机械抛光垫复合抛光层，其中所述化学机械抛光垫复合抛光层在所述第一抛光层组件的所述抛光侧上具有抛光表面；并且其中所述抛光表面调适成用于抛光衬底。
制备用于化学机械抛光复合抛光方法

[发明专利]多孔性抛光垫的锥形化方法-CN201710649251.6有效
发明人：吉田光一;宫本一隆;川端克昌;H·桑福德-克瑞;H·B·黄;G·C·雅各布;罗水源 -专利权人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请日： 2017-08-01 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： B24B37/20 文献下载
摘要：方法通过以下方式形成多孔聚氨基甲酸酯抛光垫：使热塑性聚氨基甲酸酯凝结产生多孔基质，所述多孔基质具有从基底表面向上延伸并且对上表面开放的大孔隙。所述大孔隙与小孔隙互连。加热压机到低于或高于所述热塑性聚氨基甲酸酯的软化起始温度的温度形成一系列枕块。使所述枕块结构的侧壁塑性变形形成向下倾斜的侧壁。所述向下倾斜的侧壁从所述枕块结构的所有侧面延伸。对所述向下倾斜的侧壁开放的大孔隙比对顶部抛光表面开放的大孔隙垂直度更小，并且从垂直方向偏移10到60度。
多孔抛光锥形方法

[发明专利]热塑性多孔性抛光垫-CN201710645617.2有效
发明人：罗水源;G·C·雅各布;H·桑福德-克瑞;吉田光一;川端克昌;北脇秀亮;高桥祥吾;武居阳祐 -专利权人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请日： 2017-08-01 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： B24B37/24 文献下载
摘要：多孔聚氨基甲酸酯抛光垫包含具有从基底表面向上延伸并且对上表面开放的大孔隙的多孔基质。所述大孔隙与小孔隙互连。所述多孔基质是两种热塑性聚合物的掺合物。第一热塑性聚氨基甲酸酯具有45到60分子％己二酸、10到30分子％MDI‑乙二醇和15到35分子％MDI，以及40,000到60,000的Mn和125,000到175,000的Mw以及2.5到4的Mw比Mn比率。第二热塑性聚氨基甲酸酯具有40到50分子％己二酸、20到40分子％己二酸丁二醇、5到20分子％MDI‑乙二醇和5到25分子％MDI，以及60,000到80,000的Mn和125,000到175,000的Mw以及1.5到3的Mw比Mn比率。
塑性多孔抛光

[发明专利]锥形多孔性抛光垫-CN201710645534.3有效
发明人：吉田光一;宫本一隆;川端克昌;H·桑福德-克瑞;H·B·黄;G·C·雅各布;罗水源 -专利权人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请日： 2017-08-01 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： B24D11/00 文献下载
摘要：多孔聚氨基甲酸酯抛光垫包含具有从基底表面向上延伸并且对抛光表面开放的大孔隙的多孔聚氨基甲酸酯基质。一系列枕块结构由包含所述大孔隙和小孔隙的所述多孔基质形成。所述枕块结构具有从顶部抛光表面向下延伸的表面以便形成从所述抛光表面成30到60度角度向下倾斜的侧壁。对所述向下倾斜的侧壁开放的大孔隙比对所述抛光表面开放的所述大孔隙垂直度更小。所述大孔隙在与所述倾斜侧壁更正交的方向上从垂直方向抵消10到60度。
锥形多孔抛光

[发明专利]抛光半导体衬底的方法-CN201610087216.5有效
发明人： Y·郭;D·莫斯利 -专利权人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
申请日： 2016-02-16 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：提供一种用于具有暴露的二氧化硅特征的衬底的化学机械抛光的工艺，包括：提供化学机械抛光组合物，其含有以下各者作为初始组分：水、胶态二氧化硅研磨剂和氧锆化合物；其中所述化学机械抛光组合物的pH值≤6；给化学机械抛光衬垫提供抛光表面；将所述化学机械抛光组合物接近所述化学机械抛光衬垫与所述衬底之间的界面分配到所述化学机械抛光衬垫的所述抛光表面上；和在所述化学机械抛光衬垫与所述衬底之间的所述界面处创造动态接触；其中所述衬底经抛光。
抛光半导体衬底方法