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- [发明专利]一种功率管测试电路及测试方法-CN202310819817.0在审
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闵晨;罗佳敏;高子健
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杭州芯迈半导体技术有限公司
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2023-07-05
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2023-10-10
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G01R31/26
- 公开了一种功率管测试电路及测试方法,功率管测试电路,包括至少一级的测试单元,每一级测试单元包括:第一测试电路,第一测试电路包括第一测试位和第二测试位,第一测试位和第二测试位串联连接于第一测试电路的输入端和接地端之间;第二测试电路,第二测试电路包括第三测试位和第四测试位,第三测试位和四测试位串联连接于第二测试电路的输出端和接地端之间;每一级测试单元中的第一测试单元的输出端与该级测试单元中的第二测试电路的输入端连接,每一级测试单元中第二测试电路的输出端与下一级测试单元中的第一测试电路的输入端连接,第一级测试单元中的第一测试电路的输入端接入输入电压,最后一级测试单元中第二测试电路的输出端接入负载。
- 一种功率管测试电路方法
- [实用新型]一种有刷直流电机后盖板结构-CN202320735102.2有效
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杨士芳;罗佳敏;李春雷
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东莞市威利电机有限公司
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2023-04-06
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2023-07-18
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H02K11/02
- 本实用新型提供一种有刷直流电机后盖板结构,安装外框设置在端部盖板外周,限位内框半环绕于轴承安装孔外周,电容元件设置两组且固定在电容安装腔内,电感限位框设置两组且对应于限位内框的两端,电感元件竖直固定在电感安装腔内且底部对应在电感安装槽中,第一安装柱和第二安装柱并排设置且对应在限位内框的开口端,第一安装柱下端外周设有支撑凸环,碳刷盒固定在端部盖板上,碳刷盒对应在第一安装柱的左侧和第二安装柱的右侧,碳刷可滑动地安装在碳刷盒内,第一扭簧套设在第一安装柱上且底部与支撑凸环顶触,第二扭簧套设在第二安装柱上且对应于支撑凸环,其优点是结构紧凑,在同类大小的微电机中兼具了优良的抗电磁干扰性能以及超长使用寿命。
- 一种直流电机盖板结构
- [实用新型]一种内置热保护器的直流电机碳刷座-CN202221386974.4有效
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杨士芳;林枬;李春雷;罗佳敏
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东莞市威利电机有限公司
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2022-06-02
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2023-01-13
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H02K11/25
- 本申请实施例提供一种内置热保护器的直流电机碳刷座,包括碳刷座本体,碳刷座本体外周设有热保护器安装部,热保护器安装部上设有保护器安装槽、底部托板、顶部挡板和过线槽,热保护器安装槽竖直设置且对应在保护器安装部外侧,底部托板对应在热保护器安装槽的下方,顶部挡板对应在热保护器安装槽的一侧上方,过线槽竖直设置且对应在热保护器安装槽的另一侧,其优点在于:此热保护器为内置装配在电机外壳内,避免热保护器外露在电机外,防止在包装或者使用的过程中对热保护器造成损坏;在整机组装时,无需配置塑胶套座用于固定热保护器,节省成本;在与电机外壳装配后与电机外壳紧密贴合,提高温度感应的精度,不仅节约空间,还能够提高防护效果。
- 一种内置保护直流电机碳刷
- [实用新型]一种用于水利工程的导流装置-CN202220744980.6有效
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郭力中;王小利;宋力刚;来泽玲;罗佳敏
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河南地天建设有限公司
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2022-04-01
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2022-08-30
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E02D19/04
- 本实用新型提供一种用于水利工程的导流装置,涉及水利工程技术领域,该用于水利工程的导流装置包括围墙,所述围墙的迎水面固定连接有两个安装板,两个所述安装板上均固定安装有第一转动驱动装置,两个所述第一转动驱动装置的输出端均固定连接有主动转锟,通过设置围墙、安装板、第一转动驱动装置、主动转锟、传送带和从动转锟的配合,实现了水流会先被两个传送带阻挡,而后水流沿两个传送带倾斜方向绕过围墙流出,同时两个第一转动驱动装置能够分别带动两个主动转锟转动,两个主动转锟转动分别带动两个传送带运动,两个传送带运动将其上的泥沙水草等杂质沿水流方向进行输送掉,避免了泥沙水草等杂质的累积,防止给导流装置造成负担。
- 一种用于水利工程导流装置
- [实用新型]一种数字媒体演示装置-CN202220411626.1有效
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罗佳敏;伊凯伦
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罗佳敏
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2022-02-28
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2022-08-12
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F16M11/04
- 本实用新型公开了一种数字媒体演示装置,包括储存箱,所述储存箱的底部固定有多个滚轮,所述储存箱的内底部固定有电动推杆,所述电动推杆的杆头处固定有存放块,所述存放块的上端开设有放置槽,所述放置槽的内壁通过轴承转动连接有转杆,所述转杆的周向侧壁固定有显示器,所述放置槽的内部设置有角度调节装置,所述储存箱的上端设置有储存装置。本装置中,利用电动推杆带动存放块的移动可实现对演示装置高度的调整,而在限位块和滑动槽的限位作用下,可实现演示装置的稳定升起,而利用可转动的凸块,能够实现演示装置收回时实现储存箱上端的密封,从而可方便演示装置的运输使用,使得演示装置的适用性更广。
- 一种数字媒体演示装置
- [发明专利]一种碳化硅MOSFET器件及其制造方法-CN202210155406.1在审
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罗佳敏;孙鹤
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杭州芯迈半导体技术有限公司
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2022-02-21
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2022-05-13
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H01L21/336
- 本申请实施例公开了一种碳化硅MOSFET器件的制造方法,包括在漏极上形成第一掺杂类型的衬底;在衬底上形成第一掺杂类型的漂移区;在漂移区上形成多个第二掺杂类型的体区;淀积/生长场氧化层,特别地,在A多晶栅极区有场氧化层遮挡;JFET注入,使得:邻近A多晶栅极区的漂移区没有JFET注入,而邻近B多晶栅极区内的漂移区有JFET注入;移除场氧化层,并进行:有源源蚀刻、栅极层生长、多晶硅沉积、多晶硅蚀刻;源CT和栅CT刻蚀,P+注入;金属沉积和蚀刻;以及钝化/聚酰亚胺沉积和蚀刻。本发明在不改变工艺步骤且不增加工艺流程的前提下,仅对JFET注入屏蔽做修改,在A多晶栅极区的场氧化层下方不做JFET注入。藉此,当MOS承受反向耐压时A多晶栅极区下方JFET区更容易耗尽,不影响器件耐压。
- 一种碳化硅mosfet器件及其制造方法
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