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[发明专利]一种有序半导体量子点制备方法及装置-CN202210277178.5有效
发明人：石震武;庄思怡;彭长四;杨新宁;缪力力;耿彪;祁秋月 -专利权人：苏州大学
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明所提供的有序半导体量子点制备方法，利用材料外延过程中自然存在的热偏析现象，通过脉冲激光干涉实现图形化(即干涉光场增强处)局域加热，不涉及刻蚀过程，量子点的生长位置直接由激光干涉图样决定，故其有序可控性有极大的保障；本发明所提供的有序半导体量子点制备方法直接在分子束外延系内原位完成，故无污染、无氧化，其完成流程也极其简单快捷，成本和时间都和一次传统的S‑K外延自组装生长量子点可比拟。
一种有序半导体量子制备方法装置

[发明专利]光学成像镜头-CN202110887221.5有效
发明人：龚停停;缪力力;宋立通;戴付建;赵烈烽 -专利权人：浙江舜宇光学有限公司
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G02B13/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种光学成像镜头。光学成像镜头沿光学成像镜头的物侧至光学成像镜头的像侧依次包括：第一透镜，第一透镜的像侧面为凹面；第二透镜，第二透镜具有正光焦度；第三透镜，第三透镜的物侧面为凸面；第四透镜，第四透镜具有正光焦度；第五透镜，第五透镜的物侧面为凸面，第五透镜的像侧面为凹面；其中，第一透镜的物侧面至成像面的轴上距离TTL、成像面上有效像素区域对角线长的一半ImgH与光学成像镜头的光圈数值Fno之间满足：1TTL/ImgH/Fno1.5；光学成像镜头的最大半视场角Semi‑FOV满足：60°Semi‑FOV70°。本发明解决了现有技术中的光学成像镜头存在小型化与小畸变不能兼顾的问题。
光学成像镜头

[实用新型]光学成像系统-CN202120587116.5有效
发明人： 缪力力;宋立通;戴付建;赵烈烽 -专利权人：浙江舜宇光学有限公司
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G02B13/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种光学成像系统，其沿着光轴由物侧至像侧依序包括：具有负光焦度的第一透镜，其物侧面为凹面，像侧面为凹面；具有正光焦度的第二透镜，其物侧面为凸面；具有光焦度的第三透镜；以及具有光焦度的第四透镜。光学成像系统的最大视场角的一半Semi‑FOV满足：Semi‑FOV≥70°。
光学成像系统

[实用新型]光学成像镜头-CN202120271269.9有效
发明人：孟祥月;俞力奇;缪力力;赵烈烽;戴付建 -专利权人：浙江舜宇光学有限公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G02B13/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种光学成像镜头，其沿光轴由物侧至像侧依序包括：具有光焦度的第一透镜；具有光焦度的第二透镜，其物侧面为凸面；具有正光焦度的第三透镜；具有负光焦度的第四透镜，其物侧面为凹面；具有光焦度的第五透镜；以及具有光焦度的第六透镜。光学成像镜头的最大视场角的一半Semi‑FOV满足：Semi‑FOV≥70°。光学成像镜头的成像面上有效像素区域的对角线长的一半ImgH满足：ImgH≥7.8mm。
光学成像镜头

[发明专利]基于分子束外延原位激光干涉光刻方法-CN202210177492.6有效
发明人：石震武;杨新宁;彭长四;缪力力;庄思怡;耿彪;祁秋月 -专利权人：苏州大学
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： B23K26/362 文献下载
摘要：本发明属于半导体领域，具体涉及一种基于分子束外延原位激光干涉光刻方法，包括以下步骤，S1：加热基片，所述基片为Ga基或Al基材料，所述加热的温度高于基片材料对应的In基材料的热脱附温度；S2：通入In原子流以充当表面催化剂，引入激光干涉对所述基片进行曝光，完成光刻加工。本发明利用传统的激光干涉在分子束外延系上原位实现对材料进行结构化光刻，相比现有其他非原位的材料微纳加工手段，具有无污染，无氧化，低材料损伤，工艺极其简单高效；另外，能实现材料在Z方向上的刻蚀精度达到原子层级水平。
基于分子外延原位激光干涉光刻方法

[发明专利]光学成像系统-CN202110307181.2有效
发明人： 缪力力;宋立通;戴付建;赵烈烽 -专利权人：浙江舜宇光学有限公司
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G02B13/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种光学成像系统，其沿着光轴由物侧至像侧依序包括：具有负光焦度的第一透镜；具有正光焦度的第二透镜，其物侧面为凸面；具有光焦度的第三透镜；以及具有光焦度的第四透镜，其物侧面为凹面。光学成像系统的总有效焦距f与光学成像系统的最大视场角的一半Semi‑FOV满足：f×tan(Semi‑FOV)≥4.0mm；以及光学成像系统的总有效焦距f与光学成像系统的入瞳直径EPD满足：f/EPD＜2.35。
光学成像系统

[发明专利]光学成像镜头-CN202110133590.5有效
发明人：孟祥月;俞力奇;缪力力;赵烈烽;戴付建 -专利权人：浙江舜宇光学有限公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G02B13/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种光学成像镜头，其沿光轴由物侧至像侧依序包括：具有光焦度的第一透镜，其物侧面为凸面；具有光焦度的第二透镜，其物侧面为凸面；具有正光焦度的第三透镜；具有负光焦度的第四透镜，其物侧面为凹面；具有光焦度的第五透镜；以及具有光焦度的第六透镜。光学成像镜头的最大视场角的一半Semi‑FOV满足：Semi‑FOV≥70°。光学成像镜头的成像面上有效像素区域的对角线长的一半ImgH满足：ImgH≥7.8mm。
光学成像镜头

[实用新型]光学成像镜头-CN202121795502.X有效
发明人：龚停停;缪力力;宋立通;戴付建;赵烈烽 -专利权人：浙江舜宇光学有限公司
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： G02B13/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种光学成像镜头。沿光学成像镜头的物侧至光学成像镜头的像侧依次包括：第一透镜，第一透镜的像侧面为凹面；第二透镜，第二透镜具有正光焦度；第三透镜，第三透镜的物侧面为凸面；第四透镜，第四透镜具有正光焦度；第五透镜，第五透镜的物侧面为凸面，第五透镜的像侧面为凹面；其中，第一透镜的物侧面至成像面的轴上距离TTL、成像面上有效像素区域对角线长的一半ImgH与光学成像镜头的光圈数值Fno之间满足：0.5ImgH*Fno/TTL1；光学成像镜头的最大半视场角Semi‑FOV满足：60°Semi‑FOV70°。以解决现有技术中的光学成像镜头存在小型化与小畸变不能兼顾的问题。
光学成像镜头

[发明专利]一种增益耦合分布反馈式半导体激光器及其制作方法-CN202110818091.X在审
发明人：彭长四;石震武;耿彪;杨新宁;缪力力;庄思怡;祁秋月 -专利权人：苏州大学
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种增益耦合分布反馈式半导体激光器及其制作方法，该方法包括获得激光器下结构体，激光器下结构体包括由下至上依次层叠的衬底、缓冲层和下包层；采用原位激光诱导图形化外延技术在激光器下结构体的上表面外延生长无缺陷的量子点阵列作为有源层，形成增益光栅；增益光栅的布拉格波长位于量子点阵列的有效增益区内；在有源层的上表面外延生长上包层，并在激光器下结构体的下表面生长下导电层；在上包层的上表面生长绝缘层，并刻蚀绝缘层形成导电区；在绝缘层的上表面生长上导电层，得到增益耦合分布反馈式半导体激光器。采用原位激光诱导图形化外延技术生长有源层，可避免引入缺陷；不需制备光栅，实现纯增益耦合，制作流程非常简单。
一种增益耦合分布反馈半导体激光器及其制作方法

[发明专利]原位无损剥离量子点的方法-CN201810556681.8有效
发明人：石震武;缪力力;杨琳韵;杨新宁;彭长四 -专利权人：苏州大学
申请日： 2018-06-01 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： C01G28/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种原位无损剥离量子点的方法，包括以下步骤：将表面负载有量子点的衬底升温至量子点的临界脱附温度，其中，量子点为Ⅲ‑Ⅴ族量子点，衬底的材质为Ⅲ‑Ⅴ族化合物，所述量子点的键能低于衬底中化合物的键能；然后向量子点施加脉冲激光，使得量子点中的原子受激发后从所述衬底表面原位无损剥离。本发明的方法可有效避免目前主流剥离方法中存在的氧化，污染，材料破坏，耗时以及不经济等问题。
原位无损剥离量子方法

[发明专利]一种基于MBE设备原位低温获得大尺寸Ga滴的方法-CN201810523864.X在审
发明人：石震武;杨新宁;杨琳韵;缪力力;陈晨;霍大云;邓长威;彭长四 -专利权人：苏州大学
申请日： 2018-05-28 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： B82B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MBE设备原位低温获得大尺寸Ga滴的方法，包括步骤，利用分子束外延系统在基底上沉积Ga，以获得一层致密的Ga滴，在所述分子束外延系统上原位引入脉冲激光，使脉冲激光辐照上述Ga滴，使Ga滴融合团聚形成大尺寸的Ga滴。本申请采用分子束外延系统，在较低的基底温度下直接在基底表面沉积一层致密的Ga滴，直接在高真空外延设备MBE系统上原位引入脉冲激光对致密的Ga滴进行照射，Ga滴在膨胀时与相邻的Ga滴互相融合，从而制备得到大尺寸的Ga滴，由于整个制备大尺寸Ga滴的过程基底温度始终可以处于低温，因此可有效避免Ga滴对基底材料的刻蚀作用。
分子束外延系统致密基底脉冲激光原位低温沉积制备脉冲激光辐照基底表面基底材料刻蚀作用外延设备融合高真空引入照射团聚膨胀申请

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