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[发明专利]使用多种测量技术的计量系统和方法-CN201910821778.1在审
发明人： D·权 -专利权人： 维高仪器股份有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： G01D21/02 文献下载
摘要：本文公开了用于在化学气相沉积工艺期间检测互补的数据组的系统和方法。该系统和方法减少了化学气相沉积反应器中有限窗口空间的使用，同时获得了化学气相沉积反应器中结构的外延生长中的各种阶段的有用数据。
使用多种测量技术计量系统方法

[实用新型]具有多区域引射器块的化学气相沉积设备-CN201920505560.0有效
发明人： B·米特洛夫克;I·昆奇;J·伽玛拉;曼德尔·德什潘德 -专利权人： 维高仪器股份有限公司
申请日： 2019-04-15 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本公开提供了一种用于将一种或多种反应气体供应到化学气相沉积反应器中的引射器块。引射器块包括：多个第一反应气体分配通道，其介于一个或多个第一反应气体入口和多个第一反应气体分配出口之间，以将第一反应气体输送到反应器中；以及多个第二反应气体分配通道，其介于一个或多个第二反应气体入口和多个第二反应气体分配出口之间，以将第二反应气体输送到反应器中，多个第二反应气体分配出口被至少划分为第二反应气体第一区域和第二反应气体第二区域，第二反应气体第二区域至少部分地围绕第二反应气体第一区域。
反应气体分配出口反应气体入口反应气体输送第二区域第一区域分配通道反应器引射器化学气相沉积反应器反应气体供应

[发明专利]具有多区域引射器块的化学气相沉积设备-CN201910300090.9在审
发明人： B·米特洛夫克;I·昆奇;J·伽玛拉;曼德尔·德什潘德 -专利权人： 维高仪器股份有限公司
申请日： 2019-04-15 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本公开提供了一种用于将一种或多种反应气体供应到化学气相沉积反应器中的引射器块。引射器块包括：多个第一反应气体分配通道，其介于一个或多个第一反应气体入口和多个第一反应气体分配出口之间，以将第一反应气体输送到反应器中；以及多个第二反应气体分配通道，其介于一个或多个第二反应气体入口和多个第二反应气体分配出口之间，以将第二反应气体输送到反应器中，多个第二反应气体分配出口被至少划分为第二反应气体第一区域和第二反应气体第二区域，第二反应气体第二区域至少部分地围绕第二反应气体第一区域。
反应气体分配出口引射器反应气体入口反应气体输送第二区域第一区域分配通道反应器化学气相沉积反应器化学气相沉积设备反应气体供应多区域

[发明专利]用于化学气相沉积的具有热盖的晶圆载体-CN201910234575.2在审
发明人：桑迪普·克里希南;Y·瑞史克夫斯基;A·谷拉瑞;利奥·陈;曼德尔·德什潘德 -专利权人： 维高仪器股份有限公司
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆载体，所述晶圆载体被配置为与化学气相沉积装置一起使用，包括：板，其具有布置为彼此相对的顶表面和底表面；多个平台，其限定在所述板的所述顶表面上；一个或多个盖区段，其配置为与所述板的所述顶表面接合，所述一个或多个盖区段中的每一个限定至少一个孔，所述孔对应于所述多个平台中的一个；改进包括：对于每个平台和相应的盖区段而言：多个径向内基座，其仅设置在所述平台上以支撑相应的衬底；以及多个径向外基座，其仅设置在所述顶表面上并且配置为支撑相应的盖区段。
顶表面晶圆载体配置化学气相沉积装置化学气相沉积彼此相对接合内基座外基座支撑衬底热盖种晶改进

[发明专利]通过晶片承载器温度偏置来改变晶片表面温度的系统和方法-CN201510547959.1在审
发明人： A·谷拉瑞;E·A·阿穆尔;R·霍夫曼;J·克鲁尔 -专利权人： 维高仪器股份有限公司
申请日： 2007-02-09 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：一种通过晶片承载器温度偏置来改变晶片表面温度的系统和方法。一种用于均匀地加热放置在用于诸如化学汽相沉积反应器之类的晶片处理系统的晶片承载器中的衬底的方法，其中，晶片间隔室的第一图案设置在晶片承载器的顶部，如晶片承载器的一个或多个环，而不同于晶片承载器材料的嵌入材料的第二图案嵌入在晶片承载器的底部，嵌入材料的第二图案基本是晶片间隔室的第一图案的凹凸反相，使得在无晶片间隔室的中间区中至少有与有晶片和晶片间隔室的晶片承载区中一样多的材料界面。
通过晶片承载温度偏置改变表面温度系统方法

[发明专利]用于化学气相沉积反应器的多气体分配喷射器-CN201110127968.7有效
发明人： E·A·阿穆尔;A·谷拉瑞;L·卡丁斯基;R·多普哈莫;G·S·唐帕;M·凯兹 -专利权人： 维高仪器股份有限公司
申请日： 2005-07-29 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种用于化学气相沉积反应器(100)的气体分配喷射器(150)具有面向下游朝向基底(135)设置在一内表面(155)上的间隔开的部位处的前驱气体入口(160、165)，并具有设置在前驱气体入口(160、165)之间的载体开口(167)。一个或多个前驱气体(180、185)通过前驱气体入口(160、165)引入，而一基本上与前驱气体不反应的载体气体(187)通过载体气体开口(167)引入。载体气体将形成在喷射器(150)上的沉积物减到最少。载体气体开口可由形成表面的多孔板(230)或通过散布在前驱入口之间的载体入口(167)提供。气体入口可以是可移去的(1780)或同轴的(1360)。
用于化学沉积反应器气体分配喷射器

[发明专利]用于竖流型转盘式反应器的密度匹配的烷基挤出流-CN200680056352.2有效
发明人： B·米特洛夫克;A·古拉里;W·奎恩;E·A·阿穆尔 -专利权人： 维高仪器股份有限公司
申请日： 2006-10-10 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：在一个用于在基片上生长外延层的转盘式反应器或其它CVD反应器系统中，在离圆盘旋转轴(14)不同径向距离的气体进口(8a-8d)处流向基片(3a，3b，3c)的气体在各个进口具有基本相同的气体流量/速度和基本相同的气体密度。流向远离轴的圆盘部分的气体比流向靠近轴的圆盘部分的气体包含更高浓度的反应气，使得离轴不同距离的基片表面部分在每单位面积上所接收的反应气的量基本相同，利用在离旋转轴不同径向距离处具有不同相对分子量的载气的组合，可使反应器各区域内的气体密度基本相等。在应用该系统时，可以在多个气体进口处组合载气，可以在多个进口处组合载气和反应气，可以使用任意多种气体，前提是至少使用两种不同分子量的气体。在反应器内达到了所需的线性流动式样，避免了层流再循环区域，同时能够在基片上均匀地沉积和生长外延膜。
用于竖流型转盘反应器密度匹配烷基挤出

[发明专利]用来提高材料的发射率的系统和方法-CN200480043268.8有效
发明人： V·博古斯拉夫斯基;A·古拉里 -专利权人： 维高仪器股份有限公司
申请日： 2004-10-19 - 公布日： 2008-02-06 - 主分类号： B44C1/22 文献下载
摘要：本发明揭示了一种用来提高固体材料的发射率的系统和方法，首先对所述材料的表面进行机械处理，以形成微型缺陷，然后进行蚀刻，以形成深的微型粗糙表面结构。通过这种方式，当这些经改良的材料被用于加热元件的时候，可以获得较高的效率和较低的能耗。因此根据该方法制造的改进的加热元件在用于各种加热装置的时候，能够在较低温度下操作，具有较长的寿命。
用来提高材料发射系统方法

[发明专利]用于生长GaN晶片的晶片承载器-CN200580048064.8无效
发明人： V·博古斯拉夫斯基;A·古拉里;R·A·斯托尔 -专利权人： 维高仪器股份有限公司
申请日： 2005-02-16 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：一种用于生长晶片的晶片承载器(224)，包括具有第一表面(226)和第二表面(228)的板(225)、从板(225)的第一表面(26)延伸到第二表面(228)的多个开口(230)以及设置在多个开口(230)的每一个中的多孔元件(236)，每一个多孔元件(236)适于支承一个或多个晶片。晶片承载器(224)还具有从板(225)的第二表面(228)向第一表面(226)延伸的中心盲孔(244)以及从中心盲孔(244)向外延伸的多个通道(242)。每一个通道(242)具有与中心盲孔(244)连通的第一端和与多孔元件(236)中的一个连通的第二端，用于提供中心盲孔(244)和多孔元件中的一个之间的流体连通。通过穿过中心盲孔(244)和通道(242)抽真空来在每一个多孔元件(236)的表面处形成吸力。
用于生长 gan 晶片承载

[发明专利]用于化学气相沉积反应器的多气体分配喷射器-CN200580030594.X有效
发明人： E·A·阿穆尔;A·谷拉瑞;L·卡丁斯基;R·多普哈莫;G·S·唐帕;M·凯兹 -专利权人： 维高仪器股份有限公司
申请日： 2005-07-29 - 公布日： 2007-12-19 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：一种用于化学气相沉积反应器(100)的气体分配喷射器(150)具有面向下游朝向基底(135)设置在一内表面(155)上的间隔开的部位处的前驱气体入口(160、165)，并具有设置在前驱气体入口(160、165)之间的载体开口(167)。一个或多个前驱气体(180、185)通过前驱气体入口(160、165)引入，而一基本上与前驱气体不反应的载体气体(187)通过载体气体开口(167)引入。载体气体将形成在喷射器(150)上的沉积物减到最少。载体气体开口可由形成表面的多孔板(230)或通过散布在前驱入口之间的载体入口(167)提供。气体入口可以是可移去的(1780)或同轴的(1360)。
用于化学沉积反应器气体分配喷射器

[发明专利]通过晶片承载器温度偏置来改变晶片表面温度的系统和方法-CN200710084013.1无效
发明人： A·谷拉瑞;E·A·阿穆尔;R·霍夫曼;J·克鲁尔 -专利权人： 维高仪器股份有限公司
申请日： 2007-02-09 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：一种用于均匀地加热放置在用于诸如化学汽相沉积反应器之类的晶片处理系统的晶片承载器中的衬底的方法，其中，晶片间隔室的第一图案设置在晶片承载器的顶部，如晶片承载器的一个或多个环，而不同于晶片承载器材料的嵌入材料的第二图案嵌入在晶片承载器的底部，嵌入材料的第二图案基本是晶片间隔室的第一图案的凹凸反相，使得在无晶片间隔室的中间区中至少有与有晶片和晶片间隔室的晶片承载区中一样多的材料界面。
通过晶片承载温度偏置改变表面温度系统方法

[发明专利]用于竖流型转盘式反应器的烷基挤出流-CN03826932.5有效
发明人： M·墨菲;R·霍夫曼;J·克鲁尔;L·凯丁斯基;J·C·拉马;E·阿穆尔 -专利权人： 维高仪器股份有限公司
申请日： 2003-08-20 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：在一个用于在基片(3)上生长外延层的转盘式反应器(1)中，在距离圆盘旋转轴不同径向距离的位置处流向基片的气体速度基本相同。流向远离轴的圆盘部分(10a)的气体中，反应气(4)的浓度高于流向靠近轴的圆盘部分(10d)，使得距离轴(14)不同距离的基片表面部分每单位面积所接收反应气(4)的量基本相同。在反应器内达到了所需的流动式样，同时能够在基片上均匀地沉积和生长外延膜。
用于竖流型转盘反应器烷基挤出

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