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[发明专利]用于转移有用层的方法-CN201780049093.9有效
发明人：迪迪埃·朗德吕;纳迪娅·本默罕默德;O·科农丘克;F·马赞;D·马西;S·勒博;F·里厄托尔 -专利权人：索泰克公司;法国原子能和替代能源委员会
申请日： 2017-08-01 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于将有用层(3)转移到支撑体(4)上的方法，该方法包括以下步骤：通过将轻核素注入到第一衬底(1)中来形成脆化平面(2)，以便在该平面与所述第一衬底(1)的表面之间形成有用层(3)；将所述支撑体(4)施加到所述第一衬底(1)的所述表面上以便形成待破裂组件(5)；脆化热处理所述待破裂组件(5)；引发破裂波并沿着所述脆化平面(3)将其传播到所述第一衬底(1)中。根据本发明，所述破裂波是在所述脆化平面(2)的中心区域中引发的，并且该波的传播速度被控制为具有足够的速度。因此，所述破裂波与在其引发和/或传播期间发出的声振动的相互作用被限制到所述有用层(3)的周边区域。
用于转移有用方法

[发明专利]用于确定供体基板中的合适注入能量的方法和用于制造绝缘体上半导体结构的工艺-CN201780014686.1有效
发明人：卢多维克·埃卡尔诺;纳迪娅·本默罕默德;卡里纳·杜雷特 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2017-03-02 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于确定供体基板(30)中的至少两种原子物质的合适注入能量以形成限定待转移到受体基板(10)上的单晶半导体层(32)的弱化区(31)的方法，包括以下步骤：(i)在供体基板(30)和受体基板(10)中的至少一个上形成介电层；(ii)将物质共同注入供体基板(30)中；(iii)将供体基板(30)结合在受体基板(10)上；(iv)沿着弱化区(31)分离供体基板(30)，以转移单晶半导体层(32)并且回收供体基板的剩余部分(34)；(v)检查供体基板的剩余部分(34)的或者在步骤(iv)转移了单晶半导体层(32)的受体基板(10)的周边环部；(vi)如果环部展示转移到受体基板上的区域，则推断步骤(ii)的注入能量太高；(vii)如果环部未展示转移到受体基板上的区域，则推断步骤(ii)的注入能量合适。
用于确定供体中的合适注入能量方法制造绝缘体上半导体结构工艺

[发明专利]包含无任何贯通孔的内插层的半导体结构的制造方法-CN201780032360.1有效
发明人：比什-因·阮;卢多维克·埃卡尔诺;纳迪娅·本默罕默德;C·马勒维尔 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2017-05-24 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种形成半导体结构的方法，所述方法包括：在选定条件下将氢物种和氦物种(例如离子)引入临时支撑件(1)，以便在其中预定深度处形成弱化平面(2)，并定义所述临时支撑件(1)的表面层(3)和剩余部分(4)；在所述临时支撑件(1)上形成互连层(5)；将至少一个半导体芯片(6)放置在所述互连层(5)上；将加固件(8)组装在所述至少一个半导体芯片(6)的背面上；和对所述临时支撑件(1)提供热能，以便分离所述剩余部分(4)并提供所述半导体结构。互连层(5)形成无任何贯通孔的内插层。
包含任何贯通内插半导体结构制造方法

[发明专利]用于制备薄层的工艺-CN202180022608.2在审
发明人： F·马赞;F·里厄托尔;M·考伊格;H·格兰佩克斯;迪迪埃·朗德吕;O·科农丘克;纳迪娅·本默罕默德 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备薄层(1)的工艺，该工艺包括以下步骤：弱化步骤(S2)，该弱化步骤用于在供体基板(2)的中央部分(2c)中形成弱化区(3)，该弱化区(3)不延伸到供体基板(2)的外围部分(2p)中；接合步骤(S3)，该接合步骤将供体基板(2)的主面(2a)接合至受体基板(5)以便形成待分割组件；以及分离步骤(S4)，该分离步骤分离待分割组件，该分离步骤包括热处理，所述热处理导致薄层(1)仅从供体基板(2)的中央部分(2c)处释放。该工艺在分离步骤之后还包括拆开步骤(S6)，该拆开步骤包括处理待分割组件，以便将供体基板(2)的外围部分从受体基板(5)拆开。
用于制备薄层工艺

[发明专利]将有用层转移到载体衬底的方法-CN202080016649.6在审
发明人：迪迪埃·朗德吕;O·科农丘克;纳迪娅·本默罕默德 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2020-02-26 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种将有用层转移到载体衬底上的方法，包括以下步骤：a)提供包括埋置弱化面的施主衬底，有用层由施主衬底的正面和埋置弱化面来界定；b)提供载体衬底；c)由施主衬底的正面将施主衬底沿接合界面结合到载体衬底以形成接合结构；d)对接合结构进行退火，以增加埋置弱化面的弱化程度，转移方法的特征在于：‑在退火步骤d)中，将预定应力施加到埋置弱化面达一定时间段，预定应力选择为当达到给定弱化程度时引发分裂波；‑在该时间段结束处，已经达到给定弱化程度，预定应力导致分裂波被引发并且沿埋置弱化面自维持传播，造成将有用层转移到载体衬底。
有用转移载体衬底方法

[发明专利]用于碎裂多个晶圆组件的系统-CN202080020793.7在审
发明人：迪迪埃·朗德吕;O·科农丘克;纳迪娅·本默罕默德 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2020-02-26 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于碎裂多个晶圆组件(1)的系统，各个组件(1)的晶圆之一包括脆化面并且各个组件(1)包括周边侧槽，该装置包括：‑托架(8)，用于保持所述多个组件中的组件(1)沿着存放轴线彼此间隔开且平行；‑分离装置(12)，用于在设置在分离装置的碎裂区域(13)中的组件(1)的周边槽(6)中施加分离力，所述分离力旨在将组件(1)的晶圆彼此分离以在脆化面(3)上引发晶圆的碎裂；以及驱动装置，其被配置为沿着用于将托架(8)与分离装置相对存放的所述轴线移动，以将托架(8)的组件(1)依次放置在分离装置的碎裂区域(13)中。
用于碎裂多个晶圆组件系统

[发明专利]用于待碎裂组件的保持装置-CN202080020794.1在审
发明人：迪迪埃·朗德吕;O·科农丘克;纳迪娅·本默罕默德 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2020-02-26 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种用于待碎裂组件(1)的保持装置(100)，其被设计为沿着待碎裂组件(1)的上部(7)和下部(8)之间限定的碎裂平面(4)分离，该保持装置(100)包括：至少两个凸耳(9)，其被配置为保持待碎裂组件(1)悬浮在基本上水平的保持位置，所述凸耳(9)旨在位于上部(7)和下部(8)之间，抵靠上部的周边倒角(10)；支撑件(15)，其位于凸耳(9)下方并远离凸耳(9)，以在待碎裂组件(1)分离时通过重力接纳下部(8)，并将下部保持在与由凸耳(9)保持的上部(7)相距一定距离处。
用于碎裂组件保持装置

[发明专利]将有用层转移到载体衬底的方法-CN202080016748.4在审
发明人：迪迪埃·朗德吕;O·科农丘克;纳迪娅·本默罕默德 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2020-02-26 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种将有用层转移到载体衬底上的方法，包括以下步骤：a)提供包括埋置弱化面的施主衬底，有用层由施主衬底的正面和埋置弱化面来界定；b)提供载体衬底；c)由施主衬底的正面将施主衬底沿接合界面结合到载体衬底以形成接合结构；d)对接合结构进行退火，以对接合结构施加弱化热预算并且使埋置弱化面达到限定的弱化程度，所述退火达到最高保持温度；e)通过对接合结构施加应力来在埋置弱化面中引发分裂波，分裂波以自维持的方式沿埋置弱化面传播以造成有用层转移到载体衬底。步骤e)中的引发发生在接合结构正经历限定所述接合结构的热区域和冷区域的热梯度、应力局部施加在冷区域中时，并且热区域经历的温度低于最高保持温度。
有用转移载体衬底方法

[发明专利]将有用层转移到载体衬底的方法-CN202080016818.6在审
发明人：迪迪埃·朗德吕;O·科农丘克;纳迪娅·本默罕默德 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2020-02-26 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种将有用层转移到载体衬底上的方法，包括以下步骤：a)提供包括埋置弱化面的施主衬底，有用层由施主衬底的正面和埋置弱化面来界定；b)提供载体衬底；c)由施主衬底的正面将施主衬底沿接合界面结合到载体衬底以形成接合结构；d)对接合结构进行退火，以对接合结构施加弱化热预算并使埋置弱化面达到限定的弱化程度；e)通过向接合结构施加应力来在所述埋置弱化面中引发分裂波，分裂波以自维持的方式沿着埋置弱化面传播，以造成有用层被转移到载体衬底。转移方法特征在于当接合结构经受150℃至250℃之间的温度时，引发分裂波。
有用转移载体衬底方法

[发明专利]可分离结构及使用所述结构的分离方法-CN201980009405.2在审
发明人：迪迪埃·朗德吕;O·科农丘克;纳迪娅·本默罕默德;R·格林;N·克伦贝特 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2019-01-14 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种可分离结构(100)，所述可分离结构(100)包括载体衬底(10)和在第一界面(1)处位于所述衬底(10)上的硅氧化物层(20)。所述可分离结构(100)的特征在于：所述氧化物层(20)的厚度小于200nm；轻氢和/或氦物质(30)根据注入分布曲线(31)深入分布在所述结构(100)的整个区域上，所述注入分布曲线(31)的最大浓度位于所述氧化物层(20)的厚度中；相对于所述氧化物层(20)的厚度，注入的轻物质(30)的总剂量至少超过这些轻物质(30)在所述氧化物层(20)中的溶解度极限的五倍。
可分离结构使用分离方法

[发明专利]用于从单晶衬底转移层的方法-CN201610357371.4有效
发明人：卢多维克·埃卡尔诺;尼古拉斯·达瓦尔;纳迪娅·本默罕默德;F·博迪特;C·大卫;I·格林 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2016-05-26 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：用于从单晶衬底转移层的方法。本发明涉及一种用于将层(11)从称为施主衬底(1)的单晶衬底转移至受主衬底(2)上的方法，该方法包括以下步骤：提供所述单晶施主衬底(1)，所述衬底具有在晶体的第一方向上定向的凹口和限定将被转移层(11)的弱区域(10)；将单晶施主衬底(1)接合至受主衬底(2)上，相对于将被转移的层(11)与弱区域(10)相反的施主衬底的主表面(12)位于接合界面处；沿着弱区域(10)分离施主衬底(1)，所述方法特征在于，施主衬底(1)在接合至受主衬底(2)的主表面(12)上具有基本上在晶体的不同于所述第一方向的第二方向上延伸的原子台阶的阵列。
用于衬底转移方法

[发明专利]改进的用于衬底的脆化的注入的方法-CN201380015733.6有效
发明人： 纳迪娅·本默罕默德;C·大卫;C·里加尔 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2013-03-14 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于将离子或原子核素注入到由半导体材料制成的一批衬底中的方法，其中‑由半导体材料制成的各个衬底被定位于批处理注入机的相应支架上，各个衬底包括在其表面上的电绝缘体的薄层，以及‑一剂至少一个离子或原子核素通过所述衬底的绝缘体层注入至所述衬底的整个表面之上，以在各个衬底内形成脆化区，并且以在脆化区结合在绝缘体的所述薄层与所述衬底的所述脆化区之间的半导体材料的薄层，所述注入方法其特征在于，在所述方法期间，衬底被定位于其上的各个支架相对于与所述核素的注入的方向正交的平面具有至少两个单独的倾角，以便于改进所述核素在所述衬底中的注入深度。本发明还涉及通过所述注入方法的实施方式所获得的绝缘体上半导体型的结构。
改进用于衬底注入方法

[发明专利]分裂基板的方法-CN200880112472.9有效
发明人： 纳迪娅·本默罕默德;塞巴斯蒂安·凯尔迪勒 -专利权人：硅绝缘体技术有限公司
申请日： 2008-10-21 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于分裂半导体基板的工艺，该半导体基板在其外围上具有识别切口(4)，所述工艺包括以下步骤：(a)在所述基板中创建弱化区；(b)沿所述弱化区分裂所述基板，所述分裂步骤包括：在所述基板的外围上的预定扇区(R)中发起分裂波，随后将所述波传播至所述基板中，所述工艺的特征在于：步骤(a)中所创建的所述弱化区是通过向所述基板注入原子种类而获得的，在注入期间所述基板的外围的一部分被紧固装置(5)保持在适当位置；所述工艺的特征在于，在分裂步骤(b)期间，所述一部分设置在分裂波起始扇区(R)中，并且所述工艺的特征在于，在步骤(b)期间，所述切口(4)被定位为使其位于所述基板的外围的与所述扇区(R)沿直径相对的四分之一部分(S1)中以发起所述分裂波或者位于所述基板的外围的集中于所述扇区(R)的四分之一部分(S2)中。
分裂方法

[发明专利]键合两个衬底的方法-CN200780051154.1有效
发明人：塞巴斯蒂安·凯尔迪勒;维利·米歇尔;沃尔特·施瓦岑贝格;达尼埃尔·德尔普拉;纳迪娅·本默罕默德 -专利权人：硅绝缘体技术有限公司
申请日： 2007-11-23 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种将两个衬底键合在一起的方法，在键合期间所述衬底的表面彼此接触，该方法包括至少一个清洁步骤，该清洁步骤在使得要键合的两个衬底或者其中一个衬底的表面彼此接触之前清洁所述表面，其特征在于，以使得所清洁的各个表面未被显著地粗糙化的方式执行所述清洁步骤，并且其中，在所述键合之前还对所述要键合的至少一个衬底进行加热，所述加热是在这些衬底的表面彼此接触之前开始的，并且所述加热至少持续到这些表面已经彼此接触为止。本发明还涉及一种形成包括半导体材料薄层的结构的方法，该半导体材料薄层是从供体衬底被转移到第二衬底的，该方法包括以下步骤：将两种原子物质共同注入到所述供体衬底中，以生成限定了要转移的薄层的削弱区域；将这些衬底键合在一起，该方法的特征在于，以使得所述两种原子物质的峰值在所述供体衬底的厚度中具有小于200的偏移的方式，注入所述两种原子物质；并且其中，根据前述方法执行所述键合。
两个衬底方法

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