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- [发明专利]半导体本体-CN201880015306.0有效
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约阿希姆·赫特功;马库斯·恩希费尔德
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欧司朗光电半导体有限公司
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2018-02-28
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2022-07-22
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H01L33/14
- 提出一种半导体本体(10)，所述半导体本体具有：‑p型掺杂区域(20)，‑有源区域(30)，‑中间层(40)，和‑层堆(41)，所述层堆包含铟，其中层堆(41)中的铟浓度沿着堆叠方向(z)改变，并且层堆(41)除了掺杂材料以外借助刚好一种氮化物化合物半导体材料形成，其中‑中间层(40)名义上不具有铟，设置在层堆(41)和有源层(30)之间并且直接邻接于层堆(41)，‑中间层(40)和/或层堆(41)是至少局部n型掺杂的，‑层堆(41)的掺杂材料浓度至少为5*1017l/cm3并且最大为2*1018l/cm3，并且‑中间层(40)的掺杂材料浓度至少为2*1018l/cm3并且最大为3*1019l/cm3。
- 半导体本体
- [发明专利]光电子器件-CN201780054045.9有效
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维尔纳·贝格鲍尔;约阿希姆·赫特功
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欧司朗光电半导体有限公司
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2017-08-28
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2021-09-07
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H01L33/00
- 提出一种具有有源层的光电子器件(10)，所述有源层具有多重量子阱结构(5)，其中多重量子阱结构(5)包含量子阱层(51)，所述量子阱层具有Alx1Iny1Ga1‑x1‑y1N，其中0≤x1＜0.03，0≤y1≤0.1，并且x1+y1≤1，并且所述多重量子阱结构包含势垒层(52)，所述势垒层具有Alx2Iny2Ga1‑x2‑y2N，其中0≤x2≤1，0≤y2≤0.02，并且x2+y2≤1，其中势垒层(52)具有在空间上变化的铝含量x2，势垒层(52)中的铝含量的最大值为x2,max≥0.05，并且势垒层(52)中的铝含量的最小值为x2,min0.05。
- 光电子器件
- [发明专利]半导体层序列-CN201780053822.8有效
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维尔纳·贝格鲍尔;约阿希姆·赫特功
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欧司朗光电半导体有限公司
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2017-09-04
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2021-09-03
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H01L33/06
- 在一个实施方式中，半导体层序列基于AlInGaN并且设置用于光电子半导体芯片并且以所提出的顺序从n型传导的n型侧起观察具有如下层：‑由AlGaN构成的前势垒层，‑由InGaN构成的、具有第一带隙的前量子阱，所述前量子阱不设计用于产生辐射，‑多量子阱结构，所述多量子阱结构具有多个交替的主量子阱和主势垒层，所述主量子阱具有第二带隙，由InGaN构成，所述主势垒层由AlGaN或AlInGaN构成，其中第二带隙大于第一带隙，并且主量子阱设计用于产生如下辐射，所述辐射具有在365nm和490nm之间的最大强度的波长，其中包括边界值，和‑由AlGaN构成的电子阻挡层，其中前势垒层的铝含量和厚度的乘积是主势垒层的铝含量和厚度的乘积的至少1.3倍。
- 半导体序列
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