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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于改进连续Czochralski方法中的晶体生长的堰-CN201380071427.4在审
发明人： T·N·斯瓦米纳坦 -专利权人： 索拉克斯有限公司
申请日： 2013-11-26 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： C30B15/12 文献下载
摘要：用于通过Czochralski方法生长锭的设备包含：限定配置用于使吹扫气体围绕生长锭循环的腔的生长室，和在生长室中提供且配置用于保持熔融硅的坩埚。堰支撑于坩埚中并配置用于将熔融硅分离成围绕熔体/晶体界面的内部生长区与配置用于接收结晶原料的外部区域。堰包含至少一个竖直延伸的侧壁和基本垂直于侧壁延伸的帽。
用于改进连续 czochralski 方法中的晶体生长

[发明专利]用于改善的连续直拉法的热屏障-CN201380062196.0在审
发明人： T·N·斯瓦米纳坦 -专利权人： 索拉克斯有限公司
申请日： 2013-11-26 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： C30B15/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于通过直拉法生长晶锭的设备。该晶锭在由晶体进料予以补充的一定量的熔融硅中从熔体/晶体界面被拉出。该设备包括构造成保持熔融硅的坩埚和支承在坩埚中的窑坎。该窑坎构造成将熔融硅从构造为接纳晶体进料的外部区分离到内部生长区中。该窑坎包括竖直延伸的侧壁和顶壁。环形热屏障设置在窑坎的顶壁上，并且覆盖外部区的至少约70％。
用于改善连续直拉法屏障

[发明专利]用于单晶硅连续生长的系统-CN201310066601.8无效
发明人：大卫·L·本德 -专利权人： 索拉克斯有限公司
申请日： 2005-02-25 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：用于单晶锭连续生长的基于Czochralski法的改进系统，包括低长宽比、大直径以及基本平坦的坩埚，该坩埚包括围绕晶体的任选堰。低长宽比坩埚基本消除对流并减少最终单晶硅锭中的氧含量。独立的水平可控硅预熔化室为生长坩埚提供熔融硅的连续源，有利地消除了在晶体提拉过程中对垂直移动以及坩埚抬升系统的需求。坩埚下面的多个加热器建立横跨熔体的相应热区。分别控制各加热器的热输出以提供横跨熔体以及在晶体/熔体界面处的最佳热分布。提供多个晶体提拉室用于连续加工和高生产量。
用于单晶硅连续生长系统

[发明专利]用于单晶硅连续生长的系统-CN201110385173.6无效
发明人：大卫·L·本德 -专利权人： 索拉克斯有限公司
申请日： 2005-02-25 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：用于单晶锭连续生长的基于Czochralski法的改进系统，包括低长宽比、大直径以及基本平坦的坩埚，该坩埚包括围绕晶体的任选堰。低长宽比坩埚基本消除对流并减少最终单晶硅锭中的氧含量。独立的水平可控硅预熔化室为生长坩埚提供熔融硅的连续源，有利地消除了在晶体提拉过程中对垂直移动以及坩埚抬升系统的需求。坩埚下面的多个加热器建立横跨熔体的相应热区。分别控制各加热器的热输出以提供横跨熔体以及在晶体/熔体界面处的最佳热分布。提供多个晶体提拉室用于连续加工和高生产量。
用于单晶硅连续生长系统

[发明专利]用于单晶硅连续生长的系统-CN201110384363.6无效
发明人：大卫·L·本德 -专利权人： 索拉克斯有限公司
申请日： 2005-02-25 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：用于单晶锭连续生长的基于Czochralski法的改进系统，包括低长宽比、大直径以及基本平坦的坩埚，该坩埚包括围绕晶体的任选堰。低长宽比坩埚基本消除对流并减少最终单晶硅锭中的氧含量。独立的水平可控硅预熔化室为生长坩埚提供熔融硅的连续源，有利地消除了在晶体提拉过程中对垂直移动以及坩埚抬升系统的需求。坩埚下面的多个加热器建立横跨熔体的相应热区。分别控制各加热器的热输出以提供横跨熔体以及在晶体/熔体界面处的最佳热分布。提供多个晶体提拉室用于连续加工和高生产量。
用于单晶硅连续生长系统

[发明专利]用于单晶硅连续生长的系统-CN200580006256.2无效
发明人：大卫·L·本德 -专利权人： 索拉克斯有限公司
申请日： 2005-02-25 - 公布日： 2007-11-21 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：用于单晶硅锭连续生长的基于Czochralski法的改进系统，包括低长宽比、大直径以及基本平坦的坩埚，该坩埚包括围绕晶体的任选堰。低长宽比坩埚基本消除对流并减少最终单晶硅锭中的氧含量。独立的水平可控硅预熔化室为生长坩埚提供熔融硅的连续源，有利地消除了在晶体提拉过程中对垂直移动以及坩埚抬升系统的需求。坩埚下面的多个加热器建立横跨熔体的相应热区。分别控制各加热器的热输出以提供横跨熔体以及在晶体/熔体界面处的最佳热分布。提供多个晶体提拉室用于连续加工和高生产量。
用于单晶硅连续生长系统

[发明专利]用于切割超薄硅片的方法和装置-CN200580010717.3无效
发明人：大卫·L·本德 -专利权人： 索拉克斯有限公司
申请日： 2005-03-24 - 公布日： 2007-03-28 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：提供了一种线状锯和晶片稳定系统，用于使晶片部分(112)在锯割过程中保持不动、免受振动及不期望地运动。当穿过硅材料的硅锭或硅块而部分地切割出晶片部分时，稳定装置(114)在早期被施加到部分限定的晶片部分的端部上。稳定装置用于稳定住晶片部分不动，使其在随后的锯割过程中免受振动、抖动、或者不期望地接触。稳定系统还在切片完成之后加速了晶片的操纵，便于清理过程，并允许晶片更迅速或自动地放置到盒子中。通过稳定系统制造的晶片的特征在于：总厚度变化最小、平面度大致是均匀的、并且基本上没有弯曲或扭曲。
用于切割超薄硅片方法装置

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