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[发明专利]一种硫化亚铁微米片及其制备方法和应用-CN202310799713.8在审
发明人：赖晓芳;曾少鸣;肖名玲;简基康 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C01G49/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种硫化亚铁微米片及其制备方法和应用，属于材料和环境工程技术领域。硫化亚铁微米片的制备方法，包括以下步骤：将铁粉和九水合硫化钠在水中水热反应，制备硫化亚铁微米片；其中，反应温度为120～150℃，反应时间为7～20天。本发明硫化亚铁微米片的制备方法，通过铁粉和九水合硫化钠在水中水热反应即可制备得到硫化亚铁微米片，制备过程中可以不要求无水无氧环境。制备简单，适用范围广。本发明还公开了一种利用硫化亚铁微米片降解环丙沙星的方法，能够高效降解环丙沙星，降解率可高达99％以上。
一种硫化亚铁微米及其制备方法应用

[发明专利]一种十二硫醇插层二硫化锡纳米带及其制备方法-CN202211576012.X在审
发明人： 简基康;王沛铧 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： C01G19/00 文献下载
摘要：本发明涉及无机材料技术领域，具体涉及一种十二硫醇插层二硫化锡纳米带及其制备方法。本发明提供了一种十二硫醇插层二硫化锡纳米带，是以二硫化锡为主体，以十二硫醇为客体的插层化合物，其晶体结构具有较大层间距，纳米带表面光滑、形状规则，具有典型一维特征，改善了物理性质，扩大其应用范围。十二硫醇插层二硫化锡纳米带可通过在密闭条件下混合锡源、硫源和十二硫醇后进行溶剂热反应制得而成。该制备方法可以原位生成十二硫醇插层二硫化锡纳米带，步骤简单，产物纯度高，产量大。
一种十二硫醇插层二硫化纳米及其制备方法

[实用新型]应用于雾化器的液位检测装置-CN202222413762.7有效
发明人：郑恒瑞;简基康;金亚洪;赖晓芳;张泽亮;宋世杰 -专利权人：肇庆奥迪威传感科技有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： F24F6/12 文献下载
摘要：本申请是关于一种应用于雾化器的液位检测装置，包括：壳体，壳体内设有雾化发生器，雾化发生器连接有液位仓，液位仓内设有待被雾化的液体；壳体内设有雾化通道，雾化通道连接有雾化口；雾化发生器产生雾气，雾气流入雾化通道中，从雾化口流出外界；雾化通道上设有红外发光组，红外发光组检测雾化通道中的雾气，根据雾气的流量判断液位仓内的液位高度。该应用于雾化器的液位检测装置利用红外发光组检测雾化通道中的雾气流量而判断液位仓中是否还有液体，如果红外发光组中没有雾气阻隔，红外发光组信号接通，发出没有液体的警告，不需要设置临界值，不会造成液体的浪费。同时该种检测方式，适用于精油的检测，适用性广。
应用于雾化器检测装置

[发明专利]降低外延片翘曲度的方法及其外延片-CN202010568239.4有效
发明人：黄敏;杨军伟;陈蛟;宋华平;简基康;王文军;陈小龙 -专利权人：东莞市中科汇珠半导体有限公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低外延片翘曲度的方法及其外延片，本发明提供的降低外延片翘曲度的方法合理,将液相等离子电解技术与半导体外延技术相结合，巧妙利用液相等离子电解渗透技术在半导体衬底材料的非外延生长面上进行掺杂，形成应力补偿层，通过该应力补偿层所产生的应力能部分或全部抵消后续外延生长面上的外延层所产生的应力，相互之间达到一个较佳的应力平衡状态，从而获得低翘曲度的外延片，提升外延片的晶体质量，得到较平整的外延片,整个工艺流程操作简易，成本低，易于实现，且效率高。本发明提供的外延片结构设计合理，整体平整度高，给后续的半导体制程带来方便，有效提升半导体器件的良品率，确保产品质量。
降低外延曲度方法及其

[发明专利]一种生长有二铋三镍二硒的柔性纳米材料及其制备方法-CN201911250171.9有效
发明人： 简基康;杜炳生;王盛儒;雷仁博 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料技术领域，具体涉及一种生长有二铋三镍二硒的柔性纳米材料及其制备方法。该生长有二铋三镍二硒的柔性纳米材料通过将硝酸铋和二氧化硒按照摩尔量比1:(1.3～1.7)置于混合溶液中，与加入的金属镍柔性材料进行溶剂热反应制得，同时具有导电性、纳米性和柔性，具有广阔的应用前景，且制备方法操作简单，适用于大规模产业化生产。
一种生长有二铋三镍二硒柔性纳米材料及其制备方法

[发明专利]一种SnSe/Bi2-CN202010071218.1有效
发明人： 简基康;王盛儒;郭钦桦;杜炳生 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明公开了一种SnSe/Bi2Se3纳米片异质结及其制备方法，将Bi2Se3纳米片分散在衬底上，再打开SnSe蒸发源，进行真空蒸镀，制得SnSe/Bi2Se3纳米片异质结。本发明所制备的SnSe/Bi2Se3异质结厚度及形貌可根据需要特点调控，且实验所用衬底也可选择可调控，不依赖衬底类型而制备，实验方法简单，能快速大量制备，对环境污染小，易于操作、推广，因而具有重要的研究价值和广阔的应用前景。
一种 snse bi base sub

[发明专利]一种用于钠离子电池的硒化锡纳米片阵列/碳布复合负极材料结构-CN202210229973.7在审
发明人： 简基康;杨文龙 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01M4/58 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于钠离子电池的硒化锡纳米片阵列/碳布复合负极材料结构，属于纳米材料和电池技术领域。该负极材料结构采用简单的真空热蒸发技术制备，通过将硒化锡粉末加热在真空环境下到一定温度升华而在碳布上沉积形成硒化锡纳米片阵列，从而形成该复合负极材料结构。硒化锡纳米片阵列均匀的覆盖在碳布表面，使得每一个纳米片都可以贡献有效的容量，而且可以有效避免粉末材料的团聚现象，提高了材料的比容量和循环稳定性。并且该复合负极结构具有碳布的柔性，而碳布又增加了其导电性。相比于传统的电池负极材料，此结构无需使用粘结剂和导电剂，可直接作为钠离子电池负极使用，而且具有高的比容量，具有良好的应用前景。
一种用于钠离子电池硒化锡纳米阵列复合负极材料结构

[发明专利]一种BiSe及其掺杂化合物单晶材料及其制备方法-CN202210105398.X在审
发明人： 简基康;何梓民 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及了一种BiSe及其掺杂化合物单晶材料及其制备方法，该种BiSe及其掺杂化合物单晶材料的化学组分为Bi1‑xMxSe，其中x为0‑0.3。其制备方法包括以下步骤：将原料充分混合均匀后封装入石英管内，并放置在马弗炉中加热，使原料充分反应；之后采用布里奇曼法，利用温度梯度使熔融物缓慢结晶，最终得到BiSe及其掺杂化合物单晶材料。本发明制备的BiSe及其掺杂化合物单晶材料尺寸大，原材料环境友好，成本低廉，且合成工艺简单，成功率高，可用于热电器件等领域。
一种 bise 及其掺杂化合物材料制备方法

[发明专利]用于生长大尺寸外延片的石墨盘及其使用方法-CN202011189588.1有效
发明人：杨军伟;宋华平;陈蛟;黄敏;王文军;简基康;陈小龙 -专利权人：松山湖材料实验室;中国科学院物理研究所
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于生长大尺寸外延片的石墨盘及其使用方法，石墨盘包括石墨盘基座，石墨盘基座的中心区域设有放置区，该放置区的边缘位置设有若干周期性斜面凹槽和若干周期性凸起，该周期性凸起和周期性斜面凹槽沿所述放置区的外形轮廓线排列。本发明通过在放置区的边缘位置设有周期性斜面凹槽和周期性凸起,可显著减少晶圆边缘与石墨盘的粘接，大大提高尤其是厚膜外延片生长完后取片的便捷性，降低晶圆边缘的损伤；同时周期性斜面凹槽结构不仅可以增加边缘气流的流动性，减少甚至消除气体湍流，让晶圆的径向温场更均匀，提高了外延片径向均匀性，提升产品质量，另外整体结构简单，成本低，操作使用简易，易于实现，利于广泛推广应用。
用于生长尺寸外延石墨及其使用方法

[发明专利]一种三硒化二铟纳米带及其制备方法和应用-CN202110170558.4有效
发明人： 简基康;许静;杨文龙;何梓民 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种三硒化二铟纳米带及其制备方法和应用。所述制备方法，包括如下步骤：S1.在管式炉中，将硒源加热到220～360℃，将铟源加热到400～630℃；所述硒源为硒粉，所述铟源为负载氧化铟的衬底；S2.密封管式炉腔体并抽真空后，以流量为20～80sccm的氩气为载气，将管式炉腔体压强恢复至常压，再升温至900～980℃后，经过沉积、降温，得到所述三硒化二铟纳米带。本发明通过选择合适的硒源和铟源，通过化学气相沉积方法，在无催化剂辅助作用的情况下，在管式炉中制备得到了纳米带形貌的三硒化二铟材料。
一种三硒化二铟纳米及其制备方法应用

[发明专利]提高SiC晶圆平整度的方法-CN202010506287.0在审
发明人：宋华平;杨军伟;陈蛟;简基康;王文军;陈小龙 -专利权人：松山湖材料实验室
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高SiC晶圆平整度的方法，本发明通过先测量SiC晶圆的平整度数据，包括TTV值、Bow值和Warp值，通过分析计算获得具有最佳平整度的SiC晶圆而需去除的多余SiC材料对应的最佳切割面，采用激光切割的方法，将SiC晶圆表面不平整区域完全去除，再通过研磨抛光工艺将SiC晶圆的表面平整度和表面粗糙度加工到预定值；本发明提高SiC晶圆平整度的方法操作简单，易于实现，通过激光切割可以大部分消除SiC晶圆的不平整度，从而大大提高了后续研磨工序的效率，并且将研磨工序中出现SiC晶圆破裂的风险降到最低，提高了良率，保证产品质量，且加工效率高。
提高 sic 平整方法

[发明专利]一种NaOH插层过渡金属硫族化合物及其制备方法和应用-CN201910912750.9有效
发明人：赖晓芳;任宇蓉;简基康;郭旻皓 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明属于材料技术领域，尤其涉及一种NaOH插层过渡金属硫族化合物及其制备方法和应用。本发明NaOH插层过渡金属硫族化合物的制备方法中，采用AxM2‑yX2作为前驱体，与金属M和X源置于NaOH溶液中，进行离子交换反应，前驱体中的碱金属A与NaOH溶液发生离子交换反应，碱金属A从前驱体脱出进入溶液中，NaOH进入到MX层间，得到NaOH插层过渡金属硫族化合物，该制备方法简单，适用范围广，产物NaOH插层过渡金属硫族化合物结晶性好，具有超导性能，在超导、热电、电催化方面具有潜在的应用价值。
一种 naoh 过渡金属化合物及其制备方法应用

[发明专利]半导体晶圆外延生长装置及其工作方法-CN202011194799.4在审
发明人：杨军伟;宋华平;陈蛟;黄敏;王文军;简基康;陈小龙 -专利权人：松山湖材料实验室
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体晶圆外延生长装置及其工作方法，半导体晶圆外延生长装置包括外延生长系统和光学表面分析系统，外延生长系统包括生长腔体和石墨基座，光学表面分析系统包括石墨盘转速探测器、电机反馈系统、信号分析系统、斜入射激光器、正入射激光器和第一、第二信号接收器。本发明中的石墨基座带动晶圆旋转，并结合正入射激光器和斜入射激光器的入射激光辐照，通过第一、第二信号接收器接收激光信号并反馈至信号处理系统进行对比和分析，能更精确地实时在线检测晶圆整个表面上的缺陷信息，从而根据反馈的缺陷信息进行即时工艺参数优化，提高产品良率；而且光学表面分析系统采用外侧结构，不受高温影响，工作稳定性好。
半导体外延生长装置及其工作方法

[实用新型]去除晶圆表面汞残留处理装置-CN202021152546.6有效
发明人：黄敏;陈蛟;杨军伟;宋华平;简基康;王文军;陈小龙 -专利权人：松山湖材料实验室
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种去除晶圆表面汞残留处理装置，其包括加热腔体、进气通道、排气通道、汞蒸气反应过滤系统、抽气泵和加热装置；通过加热装置对加热腔体进行加热，位于加热腔体内的晶圆受热使其表面的汞液滴蒸发成为汞蒸气，通过进气通道的吹气加快汞与半导体晶圆的分离，汞蒸气经排气通道进入汞蒸气反应过滤系统进行吸附处理，能简单高效地清除晶圆表面的残留汞，获得洁净的晶圆表面，同时不产生汞废液，经反应过滤后的废气可以直接排出室外而不造成空气污染，对环境友好，另外汞蒸气反应过滤系统可多次循环利用，大大缩减工业级量产外延片测试过程中的成本，利于广泛推广应用。
去除表面残留处理装置

[发明专利]一种纳米柱阵列异质结及其制备方法-CN201910290197.X有效
发明人： 简基康;杨文龙;吴晶;杜炳生 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2019-04-11 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及纳米结构技术领域，尤其涉及一种纳米柱阵列异质结及其制备方法。本发明提供了一种纳米柱阵列异质结的制备方法，包括：首先打开Bi2Te3蒸发源于衬底上蒸镀Bi2Te3，之后关闭Bi2Te3蒸发源，再将Sb2Te3蒸发源打开进行真空蒸镀并在衬底上收集产物。本发明提供了一种纳米柱阵列异质结及其制备方法，解决了现有技术中缺少一维纳米柱阵列异质结以及利用真空热蒸发技术制备纳米柱阵列异质结的技术缺陷。
一种纳米阵列异质结及其制备方法

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