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- [发明专利]用于复杂结构半导体器件的激光退火方法-CN201310073999.8有效
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周卫;严利人;刘朋;窦维治
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清华大学
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2011-09-15
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2013-05-22
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H01L21/268
- 本发明公开了属于半导体制造工艺范围的一种用于复杂结构半导体器件的激光退火方法。该激光退火方法采用倾斜入射方式，在实施激光退火时，激光束与晶圆的法线方向之间呈现一个夹角，激光束的束斑作用在晶圆上的三维器件结构上，晶圆的运动方向与激光束在晶圆上的投影所形成的直线段平行。针对三维器件结构和倾斜离子注入工艺制备的器件进行退火。通过激光倾斜辐照，可以使复杂结构半导体器件的正面和侧面的浅表面层得到相同的激光表面退火处理，也可以沿着倾斜离子注入的方向透过离子注入窗口将杂质激活，得到特殊的杂质分布的器件结构。利用激光倾斜入射的投影效应，进行选择性退火，即被照射区域退火，而未被照射的盲区不退火。
- 用于复杂结构半导体器件激光退火方法
- [发明专利]一种激光束加工处理中的晶圆片对准方法-CN201110261070.9有效
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严利人;周卫;刘朋;窦维治
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清华大学
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2011-09-05
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2011-12-14
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H01L21/68
- 本发明公开了属于半导体制造技术范围的一种激光束加工处理中晶圆片的对准的方法。具体的做法是，采用分离的对准片台来实现晶圆片的对准，然后由精密机械手，在保持对准结果不再发生不需要的变化的情况下，将晶圆片送入到工艺腔片台之上。使得芯片间的划片道成为了可利用的资源，可以将激光束加工处理中难以精确控制的光束边缘效应，消耗在不影响芯片功能与性能的划片道之中。以另一个对准片台为主的相对独立的对准机构，通过在对准片台上的粗对准和精对准步骤，以及精密机械手传片，使得最终放置在加工片台上的晶圆片具有了良好的定位精度，因而激光光束的加工处理能够更为有效地集中在芯片区域，保证工艺效果和激光加工的均匀性。
- 一种激光束加工处理中的晶圆片对准方法
- [发明专利]一种用于激光加工的旋转窗片装置-CN201110240538.6有效
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严利人;周卫;刘朋;窦维治
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清华大学
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2011-08-19
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2011-12-14
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H01L21/00
- 本发明公开了一种属于半导体加工技术领域的一种用于激光加工的旋转窗片装置。隔离罩的窗片固定在隔离罩支撑件的一边，隔离罩支撑件固定在隔离罩支撑件环形壁顶端，隔离罩支撑件环形壁由轴承部件支撑在加热器的隔热材料层外圆周壁上；晶圆片置于加热片台上。本发明通过使用旋转的窗片结构，可以隔离加热片台高温部件对于周围环境及其他设备部件的热影响和扰动；由于采用了对作用激光是透明的窗片，并不会隔离激光对于晶圆片的工艺作用；采用旋转窗片的做法，降低了窗片本身的加工难度，窗片的光学特性能够在较小尺寸范围内得到精确的控制，成形激光束不会受到因窗片特性不均匀而引起的额外的不良影响，能够保证工艺效果更加稳定。
- 一种用于激光加工旋转装置
- [发明专利]一种晶圆片热缓冲栈及实现热缓冲的方法-CN201110240474.X有效
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严利人;周卫;刘朋;窦维治
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清华大学
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2011-08-19
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2011-11-30
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H01L21/673
- 本发明公开了属于半导体制造设备的一种晶圆片热缓冲栈及实现热缓冲的方法。在缓冲栈的外壳的圆周壁上部两边分别设置晶圆片入口和晶圆片出口，在缓冲栈的外壳内，底部安装升降机和转动部件，升降机和转动部件中心的传动杆上部等距离固定多层圆托盘，两个圆托盘之间由垂直隔热板定位连接。实现热缓冲的方法为对于完成加工的处于较高的温度晶圆片用温度传感器探测和反馈不同晶圆片位置的实际温度；按按照温度高到低的先后次序进入到热缓冲栈的圆托盘上，免去了加工片台反复的升降温温度循环，可提高能效及设备运行的稳定性、可靠性。能够形成流水线式的运行，配合特定的热缓冲栈的使用策略后，可更进一步地，从总体上提升晶圆片加工处理的产率。
- 一种晶圆片热缓冲实现方法
- [发明专利]一种激光加工中晶圆片定位误差的量测方法-CN201110056309.9有效
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严利人;周卫;刘朋;窦维治
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清华大学
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2011-03-09
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2011-09-14
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H01L21/66
- 本发明公开了属于半导体制造技术范围的一种激光加工中晶圆片定位误差的量测方法。所述的方法，首先是设计半导体制造的版图，在版图设计完成，并制版之后，进入制造流程，制造这些微测试结构。除低浓度掺杂区外其他部分的工艺均同常规工艺然后采用相应制造工艺，其中含激光处理步骤，来制作出按不同位置分布的微测试结构，最后对微测试结构的电学特性进行测试。根据各测试结构不同的测量结果和已知的位置分布情况，即可判断得到激光加工中晶圆片定位的误差，从而为误差校正提供测试依据。本发明方法简便实用，无需借助于大型复杂仪器设备和额外的精确操作即可进行，可以与激光加工设备相结合，成为后者设备性能定期检测校准的标准化的方法。
- 一种激光加工中晶圆片定位误差方法
- [发明专利]使激光光束做大范围移动及扫描动作的机构-CN201110056223.6有效
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严利人;周卫;刘朋;窦维治;张伟
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清华大学
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2011-03-09
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2011-09-07
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G02B26/12
- 本发明公开了属于半导体制造设备范围的使激光光束做大范围移动及扫描动作的机构。激光器、反射镜及处理激光光束的光路组件安装于光学腔中，其中激光器、处理激光束的光路组件分别安装在光学腔两个竖直腔内，光学腔安装于支撑座上，利用该机构，可以在较大范围内移动激光光束，使其对不同的工作站进行扫描或者步进扫描，并覆盖所要处理的全部晶圆片表面。该机构还可以对激光光束进行扩束、匀束、光斑整形、准直等光学处理。光路组件部分处于扫描机构的后面，并且随扫描过程也做同步的移动，通过这样的方式，使作用于工作站上的晶圆片表面不同区域的激光光束稳定一致，从而能够保证激光加工工艺质量的均匀性，稳定性，并实现激光光束利用的高效率。
- 激光光束范围移动扫描动作机构
- [发明专利]一种超浅结深紫外激光退火设备中的屏蔽电极装置-CN201110056560.5有效
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周卫;严利人;刘朋;窦维治
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清华大学
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2011-03-09
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2011-08-31
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H01L21/00
- 本发明公开了属于半导体器件制作工艺的深紫外激光退火设备中的屏蔽电极装置。在被加工的圆片上方加一个屏蔽电极，该屏蔽电极位于承载片台和被加工的圆片的上方，与被加工圆片表面平行，电极中心有一个小孔可使深紫外激光透过，电极相对于激光光束静止不动，该激光退火设备由深紫外激光器来提供脉冲激光束，激光束经过扩束、匀束、边沿处理的光路，并通过屏蔽电极上的小孔投射到一个可以进行X-Y平面二维精确定位和移动的承载片台上，对放置于平台上的被加工圆片进行激光退火。屏蔽电极相对于激光束静止不动，承载片台可以进行二维的匀速或步进式移动。承载片台接地，屏蔽电极相对于片台和圆片为负电位，这样可以有效地抑制由于深紫外激光照射而产生的外光电效应现象，防止在退火过程中由于电子逃逸出圆片所造成的器件损伤。
- 一种超浅结深紫激光退火设备中的屏蔽电极装置
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