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[发明专利]一种基于MEMS产品的刻蚀方法-CN202310321635.0在审
发明人： 程望阳;戴有江;王蕊;李灵均;杨雷;黄梦盼 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于MEMS产品的刻蚀方法，应用于半导体集成电路制造工艺中。具体的，在本发明提供的基于MEMS产品的刻蚀方法中，其先提供一表面上形成有磁性材料层和覆盖在所述磁性材料层表面上的刻蚀阻挡层的半导体结构，然后在以所述磁性材料层为刻蚀停止层，刻蚀所述刻蚀阻挡层，以完成MEMS产品中的磁性材料层的刻蚀工艺。由于本发明实施例中的刻蚀方法是将刻蚀所述刻蚀阻挡层的气体由现有的氯气cl2替换为四氟化碳气体CF4，以避免在氯气cl2中的cl离子与所述磁性材料层的粒子合金界面处容易发生化学反应，而造成MEMS产品中的磁性材料层被腐蚀和脱落的问题，即提高了MEMS产品的稳定性。
一种基于 mems 产品刻蚀方法

[发明专利]一种在半导体制造工艺中锁定污染源的方法-CN202310174206.5在审
发明人：李灵均;徐云;戴有江;程望阳;王蕊;熊淑平 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提供一种在半导体制造工艺中锁定污染源的方法，包括以“品名+工序名”对生产制造过程中所有Lots进行元素定义a1,a2,……,an；响应于某个Lot受到污染，则对设备上受污染Lot前面作业过的其它多个Lots所对应的元素取集合A1,受害N(N≥2)个Lots则会产生A1，A2，……，AN个集合；对集合A1，A2，……，AN做数学交集运算生成一新的集合A；定义集合A中的元素an为锁定的污染源。半导体制造过程中，每个生产批次(Lot)都有固定的“生产品名”及一系列工序，本发明通过建立了一种数学模型来锁定污染源，即对生产系统中所有Lots实际作业履历的大数据以“品名+工序名”定义为元素a1,a2,a3,……,an，然后通过数学交集运算方法找出线上哪个产品在哪道工序存在污染，操作简便，易于实现，而且有利于后续进行改善处理。
一种半导体制造工艺锁定污染源方法

[发明专利]钨化学气相淀积方法-CN202211525182.5在审
发明人：王蕊;戴有江;程望阳;李灵均;刘君韬 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种钨化学气相淀积方法，包括：步骤一、提供表面形成有第一粘附层和第二阻挡层的底层结构。步骤二、进行钨化学气相淀积在第二阻挡层的表面形成钨层。钨层由钨籽晶层和钨主体层叠加而成。钨籽晶层的淀积过程中，工艺气体采用如下分步骤通入到反应腔中：步骤21、进行含钨前体的通入，同时通入第一还原剂气体。步骤22、在延迟第一时间后通入第二还原剂气体，利用含钨前体和第二还原剂气体成核反应形成钨籽晶层。第一还原剂气体的活性小于第二还原剂的活性，用于在第二还原剂气体出现切换作业故障时防止含钨前体的离子对第一粘附层产生腐蚀。本发明能防止发生异常成核并从而避免由异常成核导致产品报废，最后能提高产品良率。
化学气相淀积方法

[发明专利]MEMS中磁性材料的刻蚀方法-CN202210470494.4在审
发明人： 程望阳;戴有江;李灵均;王蕊 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种MEMS中磁性材料的刻蚀方法，包括：步骤一、在底层结构上依次形成磁性材料层和刻蚀阻挡层；步骤二、进行第一次干法刻蚀将刻蚀区域中的刻蚀阻挡层去除，刻蚀气体采用Cl基气体，刻蚀副产物中包括含有Cl的聚合物；步骤三、采用IBE刻蚀工艺对沉积的聚合物进行第一次去除；步骤四、采用湿法清洗工艺对剩余的聚合物进行第二次去除并实现将聚合物完全去除；步骤五、进行第二次干法刻蚀将刻蚀区域中的磁性材料层去除。本发明能消除磁性材料层的刻蚀异常以及能提高磁性材料层的磁性的均匀性和产品良率。
mems 磁性材料刻蚀方法

[发明专利]APM皮带速度实时监控装置及方法-CN201310641632.1在审
发明人：周俊;严玮;程望阳 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-12-03 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： G01P3/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种APM皮带速度实时监控装置，该装置主要包括金属滚轮，安装在皮带下方，并和皮带直接接触，接触面长度在两厘米以上。本发明还公开了基于上述装置实时监控APM皮带速度的方法。本发明通过在皮带下方加装滚轮，与皮带形成反向同步运动系统，利用滚轮的转速，监控皮带的速度，避免了多重转换和以小带大的问题，实现了APM皮带速度的实时、有效监控。
apm 皮带速度实时监控装置方法

[发明专利]一种检查SAT汽化阀堵塞的方法-CN201110280353.8有效
发明人： 程望阳;严玮;周俊 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-09-20 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： G01N27/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种检查SAT(次常压化学汽相淀积设备)汽化阀堵塞的方法，包括：通过一次成膜制作硼磷硅玻璃光片，作为测试片一；采用相同工艺和参数通过多次成膜制作与测试片一厚度相同的硼磷硅玻璃光片，作为测试片二；对测试片一和测试片二进行硼磷浓度测量；比较测试片一和测试片二中的硼磷浓度；当硼浓度相差大于等于0.4mol％，磷浓度相差大于等于0.2mol％，判定汽化阀堵塞；当硼浓度相差小于0.4mol％，磷浓度相差小于0.2mol％，判定汽化阀畅通。本发明检查SAT汽化阀堵塞的方法能快速检测BPSG成膜是否有浓度异常，能准确判断汽化阀是否堵塞。
一种检查 sat 汽化堵塞方法

[发明专利]亚常压化学气相沉积法设备气化阀堵塞的检测方法-CN201110267096.4有效
发明人：成鑫华;严玮;程望阳 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-09-09 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明公开了一种亚常压化学气相沉积法设备气化阀堵塞的检测方法，包括如下步骤：1)记录腔体基准压力；2)设定载气流量为固定值，设定腔体压力为固定值，待载气流量稳定后，记录节流阀的位置A；3)将节流阀所开的位置设定在位置A上，保持载气流量为设定的固定值，腔体压力须在设定的固定值附近；4)分别流入TEOS液体流量，并记录腔体压力；5)计算各TEOS流量下腔体压力和腔体基准压力的差值；6)绘制TEOS流量和腔体压差的变化示意图，正常的TEOS流量和腔体压差变化为一条直线，由此判断不正常情况下的气化阀堵塞。本发明通过TEOS流量和腔体压力差的线性关系来检测气化阀的状况，可更高效及时地发现气化阀堵塞问题。
常压化学沉积设备气化堵塞检测方法

[发明专利]氮气保护罩-CN200610029245.2有效
发明人：严玮;程望阳;任坚 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2006-07-21 - 公布日： 2008-01-23 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮气保护罩，包括盖板、被盖板覆盖的多个排气管和与分别与排气管连接的多个进气管，排气管和进气管接触部位的管壁之间有等于2毫米或大于2毫米的间隙；排气管和进气管通过焊接方式连接。本发明由于在氮气保护罩的进气管和排气管之间保留了间隙，使得进气管和排气管接触处氮气能自由流动，可减少接触处的粉尘堆积，减少粉尘对产品的危害，减小氮气保护罩保养次数，增加其使用时间。
氮气护罩

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