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[发明专利]一种半导体开关器件的工作结温监测系统和方法-CN202310702533.3在审
发明人： 程新红;全宇华;郑理 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体开关器件工作结温监测系统、监测方法及过温保护方法。所述监测系统包括控制单元、驱动单元、电压检测单元和模数转换单元；其中，驱动单元与半导体开关器件的栅极连接；电压检测单元的第一采集端口、第二采集端口分别与半导体开关器件的栅极、源极连接，用来获取栅极电压并输出给模数转换单元；模数转换单元用来将所述栅极电压转化为数字信号，生成栅极电压数据输出给控制单元；控制单元对电压数据进行分析得到关断米勒平台电压，进一步分析得到半导体开关器件的结温。本发明能够快速准确的监测半导体开关器件工作结温，并为该开关器件提供过温保护，能够有效防止器件烧毁，保证器件所在电路系统安全稳定的工作。
一种半导体开关器件工作监测系统方法

[实用新型]一种用于大型风电铸件浇筑的升降操作平台-CN202321062971.X有效
发明人：黄志伦;张富恒;程新红 -专利权人：上海机床铸造一厂（苏州）有限公司
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： B66F11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于大型风电铸件浇筑的升降操作平台，包括升降底板，所述升降底板的端端面四边角均竖直固定有稳定立杆，所述稳定立杆的一边角升降滑动有升降操作台，所述稳定立杆上端左右两边内侧设有升降驱动机构，通过收放钢丝辊对钢丝进行收卷，钢丝被收卷并且使其另一端拉动升降块上设置的钢丝连接件进行移动，同时升降块带动升降操作台在升降底板内侧自动上升移动，为保证升降操作台上升移动的稳定性，使升降操作台通过四边角设置的稳定限位滑轮在限位滑槽中滑动上升，从而使升降操作台在上升的情况下不仅可保持水平上升的稳定性，并且不会出现升降操作台晃动不稳现象，进而实现该升降操作平台的自动升降调节的功能。
一种用于大型铸件浇筑升降操作平台

[发明专利]一种提高p-GaN HEMT电流能力及工艺稳定性的方法-CN202310196607.0在审
发明人：沈玲燕;程新红;郑理 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高p‑GaN HEMT电流能力及工艺稳定性的方法。该方法包括：(1)在Si衬底上GaN材料外延，自上而下分别生长AlN成核层、AlGaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层；(2)在AlGaN势垒层表面生长二维材料层；(3)在二维材料层表面生长p‑GaN层；(4)P‑GaN栅极制备；(5)源漏姆接触制备；(6)金属互连及电极制作。该方法制备的pGaN HEMT器件中AlGaN势垒层中不含表层Mg离子，二维电子气密度与理论上更接近，具有器件电阻小、电流能力大的优点，同时消除了因栅极下方Mg离子扩散深度和浓度不可控性引起的阈值电压不稳定性，使得片间阈值电压不均一性降低。
一种提高 gan hemt 电流能力工艺稳定性方法

[发明专利]一种用于电流舵DAC的功耗降低电路及方法-CN202010276988.X有效
发明人： 程新红;夏亦斐;徐大伟 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H03M1/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于电流舵DAC的功耗降低电路，包括比较—控制电路，比较—控制电路设置为：在每个采样周期对当前采样周期的输入信号进行采样，并至少以当前采样周期的输入信号与前一采样周期的输入信号相同为判断条件，在符合至少一个判断条件时，控制驱动锁存电路被使能并更新其输出值；否则，驱动锁存电路保持锁存状态，以维持前一采样周期的输出。本发明还提供用于电流舵DAC的功耗降低方法。本发明的用于电流舵DAC的功耗降低电路，通过比较—控制对输入DAC的数字码是否发生变化进行检测，控制后级锁存电路工作状态，可以减少锁存电路开关频率，降低DAC电路的动态功耗。
一种用于电流 dac 功耗降低电路方法

[实用新型]大型风电主轴类产品的铁模烘烤系统-CN202223516541.9有效
发明人：刘莹;李慧典;郝亮亮;黄志伦;张富恒;程新红 -专利权人：上海机床铸造一厂(苏州)有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： B22D27/04 文献下载
摘要：一种大型风电主轴类产品的铁模烘烤系统，包括铁模，还包括烘烤架；铁模的模腔顶面可拆卸地盖有盖子，盖子上开有排气孔；烘烤架在铁模的模腔内；烘烤架包括底座、内筒和外筒；内筒套在外筒内；内筒内是中空腔体，中空腔体顶面是封闭的；外筒的侧壁开有通气缝，内筒的侧壁开有气孔；在内、外筒之间的空腔是煤炭燃烧空间；内筒和外筒都安装在底座上，一根气管自底座穿入中空腔体。本实用新型可以实现节省原材料、实现增加工作效率、可以提升质量稳定性、本结构简单，方便操作。
大型主轴类产品烘烤系统

[发明专利]一种全氮化镓集成功率转换模块-CN202211673705.0在审
发明人： 程新红;田宇飞;王达;郑理;俞跃辉 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明涉及一种全氮化镓集成功率转换模块，包括低边驱动电路、高边驱动电路和半桥模块，所述半桥模块包括第一氮化镓功率器件和第二氮化镓功率器件，所述第一氮化镓功率器件的漏极连接高电压HV，源极连接所述第二氮化镓功率器件的漏极，栅极连接所述高边驱动电路的输出端；所述第二氮化镓功率器件的源极接地，栅极连接所述低边驱动电路的输出端；所述高边驱动电路包括第一输入端和第二输入端，所述第一输入端与第一高边驱动信号源相连，所述第二输入端与第二高边驱动信号源相连；所述低边驱动电路的输入端与低边驱动信号源相连。本发明可以降低氮化镓功率器件的使用门槛。
一种氮化集成功率转换模块

[发明专利]一种采样保持电路及电器-CN202010058947.3有效
发明人： 程新红;林联科;徐大伟 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H03M1/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种采样保持电路及电器，包括：第一电容、第一场效应管、第二电容；所述第一电容的一端分别与所述采样保持电路的输入端和所述第一场效应管的源极，所述第一电容的另一端接地；所述第一场效应管的漏极均与所述第二电容的一端和所述采样保持电路的输出端耦接；所述第二电容的另一端接地。本发明提供的采样保持电路能减小输出信号的掉电率、减小采样开关的导通电阻、提高线性度以及降低总体功耗。
一种采样保持电路电器

[发明专利]一种功率器件源极寄生参数及漏极电流测量方法和装置-CN202211463189.9在审
发明人： 程新红;刘天天 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种功率器件源极寄生参数及漏极电流测量方法和装置，其中，方法包括以下步骤：将功率器件、负载电感和电源进行串接形成回路；采集功率器件在一个开关周期内的开尔文源极与功率源极之间的压降信号；对所述压降信号进行积分，并采用二次函数对积分后的压降信号进行拟合，得到随时间t为变量的二次函数；根据二次函数的系数，以及母线电压值和负载电感值计算功率器件的寄生电阻、寄生电感和脉冲初始漏极负载电流。本发明能够在每一个开关周期独立计算功率器件的寄生参数及漏极电流，且不需要进行温度补偿。
一种功率器件寄生参数电流测量方法装置

[发明专利]一种识别船舶身份的方法、装置、终端及存储介质-CN202011214801.X有效
发明人： 程新红;王文涛;李宁鸟;韩雪云;杨润珊;张丽 -专利权人：西安天和防务技术股份有限公司
申请日： 2020-11-04 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： G06F16/583 文献下载
摘要：本申请适用于计算机技术领域，提供了一种识别船舶身份的方法、装置、终端及存储介质，包括：将船舶图像输入到已训练的特征提取模型中处理，得到所述船舶图像对应的船舶特征；在船舶数据库中查找与所述船舶特征匹配的目标特征，并基于所述目标特征确定第一身份信息；对所述船舶图像进行身份识别处理，得到第二身份信息；基于所述第一身份信息以及所述第二身份信息，确定所述船舶特征对应的船舶的目标身份信息。上述方式，通过两方面验证船舶的身份信息，保证了监测得到的船舶身份信息的准确性，提高了识别船舶身份信息的效率，便于海上船舶的管理。
一种识别船舶身份方法装置终端存储介质

[发明专利]安全出口占用检测方法、系统及计算机设备-CN202211335989.2在审
发明人：韩雪云;王文涛;程新红;杨润珊 -专利权人：西安天和防务技术股份有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G06V20/52 文献下载
摘要：本申请实施例适用于安全技术领域，提供了一种安全出口占用检测方法、系统及计算机设备，所述方法包括：对安全出口所在区域进行视频监测；根据所述视频监测得到的视频帧，确定所述安全出口处的警戒区域；对所述视频帧中的所述警戒区域进行目标检测；若所述警戒区域内存在检测目标，则确定所述检测目标在所述警戒区域内的停留时间；若所述停留时间大于预设的时间阈值，则确定所述安全出口被所述检测目标占用。通过上述方法，能够提高安全出口占用检测的准确度。
安全出口占用检测方法系统计算机设备

[发明专利]一种堆叠式增强型GaN HEMT器件及其制备方法-CN202211257095.6在审
发明人：沈玲燕;程新红;郑理;俞文杰 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本发明涉及一种堆叠式增强型GaN HEMT器件及其制备方法，所述器件采用背栅SOILDMOS与D‑mode GaN HEMT形成堆叠式Cascode结构，实现增强型。本发明的阈值电压由背栅SOILDMOS决定，可以通过调节硅离子注入和BOX层厚度实现增强型，同时相比于传统系统级封装(SystemInaPackage，SIP)的cascade增强型GaN器件，本发明提出的堆叠式结构实现了SOC(SystemOnaChip)，减小了寄生参数，节约了芯片面积，降低了器件成本，更有利于器件的高频、小型化应用。
一种堆叠增强 gan hemt 器件及其制备方法

[发明专利]一种低漏感的平面变压器绕组绕制方法及平面变压器-CN202211128091.8在审
发明人： 程新红;周学通;郑理;俞跃辉 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01F41/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种低漏感的平面变压器绕组绕制方法及平面变压器，其中绕制方法包括：根据原边绕组和副边绕组的匝数关系，计算分组参数，并基于分组参数进行分组，通过分组交错绕制得到低漏感的平面变压器。本发明通过合理排布原边绕组和副边绕组的位置，能够使任意匝数比的平面变压器获得最小漏感，降低了变压器损耗，提升系统效率。
一种低漏感平面变压器绕组方法

[发明专利]一种解调电路和电容耦合数字隔离器-CN202210813367.X在审
发明人： 程新红;张雪菲 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H04L27/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种解调电路和电容耦合数字隔离器，解调电路包括：多级放大器，用于放大输入信号以产生两个不同幅值的差分信号；第一包络检测器，用于对所述两个不同幅值的差分信号中的幅值较小的一个差分信号进行解调，得到第一波形信号；第二包络检测器，用于对所述两个不同幅值的差分信号中的幅值较大的一个差分信号进行解调，得到第二波形信号；比较器，用于将第一波形信号和第二波形信号进行比较并输出比较结果，在比较时，将所述第一波形信号作为阈值电压。本发明能够降低电路的脉冲宽度失真。
一种解调电路电容耦合数字隔离器

[发明专利]一种宽输出范围的高能效双向DC/DC变换器-CN202110677108.4有效
发明人： 程新红;周学通 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明涉及一种宽输出范围的高能效双向DC/DC变换器，包括依次连接的原边全桥电路、谐振电路、变压器和副边全桥电路，所述谐振电路包括第一谐振电感、第二谐振电感和谐振电容；所述第一谐振电感的一端与所述原边全桥电路的第一输出端相连，另一端与所述第二谐振电感的一端相连；所述第二谐振电感的另一端与所述变压器原边侧的第一端相连，所述谐振电容的一端与所述第一谐振电感的另一端相连，另一端与所述变压器原边侧的第二端相连，所述谐振电容的另一端还与所述原边全桥电路的第二输出端相连；所述第一谐振电感和第二谐振电感的电感值相同。本发明双向均可实现软开关，并能够提高双向DC/DC变换器的功率密度。
一种输出范围能效双向 dc 变换器

[发明专利]一种大尺寸晶圆中深能级缺陷态的检测方法-CN202210801932.0在审
发明人：郑理;王昊;俞文杰;程新红;俞跃辉 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种大尺寸晶圆中深能级缺陷态的检测方法，所述检测方法包括：提供待检测晶圆；于所述待检测晶圆底面刻蚀形成若干个互不连接的刻蚀区，所述待检测晶圆底面未经刻蚀的区域被所述刻蚀区间隔为若干个未刻蚀区；于所述待检测晶圆底面形成底面金属层；于所述待检测晶圆顶面形成图形化的顶面金属层；测量所述待检测晶圆的深能级瞬态电容谱曲线，使用所述深能级瞬态电容谱曲线作出阿伦尼乌斯曲线，得到所述待检测晶圆的深能级缺陷的能级位置及浓度信息。本发明所述大尺寸晶圆中深能级缺陷态的检测方法能够解决现有测量技术无法准确探测到大尺寸晶圆中深能级的缺陷态，同时也很难检测到缺陷态的浓度和能级位置的问题。
一种尺寸晶圆中深能级缺陷检测方法

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