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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体封装结构-CN202310620676.X在审
发明人：黄盛华;钱开友;黄世岳;秦瑞丰 -专利权人：鼎道智芯（上海）半导体有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种半导体封装结构，包括：基板，包括中心区域、位于基板角落处的至少一个边缘区域以及位于边缘区域与中心区域之间的隔离区域；中心区域内包括介质层和分布于介质层的两个相对表面以及内部的多层金属层；隔离区域的材料模量小于金属层的模量；多个焊球，设置于基板的中心区域和边缘区域的底表面上。
半导体封装结构

[发明专利]中介层、半导体封装结构及其形成方法-CN202310383839.7在审
发明人： 秦瑞丰 -专利权人：鼎道智芯（上海）半导体有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种中介层、半导体封装结构及其形成方法，其中，中介层用于传递半导体封装结构中多个堆叠结构之间的电信号，中介层包括：核心层和散热结构；核心层至少包括第一区域；散热结构至少沿第一方向贯穿第一区域；第一方向为核心层的厚度方向。
中介半导体封装结构及其形成方法

[发明专利]一种封装结构及封装方法-CN202310240320.3在审
发明人： 秦瑞丰 -专利权人：鼎道智芯（上海）半导体有限公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种封装结构及封装方法，所述结构至少包括：基板，所述基板一侧为基板表面，所述基板表面设置有凹槽；器件，至少部分位于所述凹槽内；芯片，所述芯片与所述基板的基板表面相对设置，且电连接所述器件，所述器件位于所述芯片在所述基板上的投影区域内。
一种封装结构方法

[实用新型]一种天然气压力发电装置-CN201520630687.7有效
发明人：胡睿;秦瑞丰;陈思蓓;黄小美 -专利权人：重庆大学
申请日： 2015-08-20 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： H02K7/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种天然气压力发电装置，包括连接在中低压调压站进气管段上的管体，其特征在于，还包括转轴、叶轮、磁铁、导电线圈和电缆；其中，转轴整体为顺管体长度方向设置且可转动架设在管体内部；叶轮套接固定在转轴上；磁铁套接固定在转轴上；导电线圈位于磁铁周向的管体的外壁上且绕制呈多匝，导电线圈处在磁铁的磁场范围内，导电线圈的两端部连接有电缆。本实用新型能够通过旋转磁铁直接将机械能通过磁场传递到管体外，减少通过机械传递的物理摩擦损失，避免对管体进行改变，保证燃气降压过程的安全可靠,降低设备成本。将降压过程中损失的能量进行回收利用，对于构建资源节约型、环境友好型社会和实现节能减排具有重要意义。
一种天然气压力发电装置

[发明专利]具有电响应特性的形状记忆材料及其制备方法-CN200410073393.5无效
发明人：朱光明;秦瑞丰;许硕贵 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2004-12-10 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： C08L67/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有电响应特性的形状记忆材料及其制备方法。为克服现有技术中通过加热实现形状记忆特性时，由于加热方式中热量不易定量控制，使得受控部位受热不均的不足，本发明采用聚酯类聚合物作为母体，与导电填料及其它助剂进行混合，以制备所要求的材料。本发明的组分配比为：脂肪族聚酯100份，导电填料10～50份，多官能团单体0～10份，其它助剂0～30份。本发明在制备过程中还使用高能射线对聚合物进行辐射处理，并通过改变辐照剂量和导电填料含量，有效地控制收缩速率和收缩力。本发明所制备材料的响应电压范围大，可在不同的电压作用下收缩，具有控制方便、可实现定量控制、易加工成型及应用范围广的特点。
具有响应特性形状记忆材料及其制备方法

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