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[发明专利]一种含氧空位的尖晶石结构金属氧化物负极材料的高温高压制备方法-CN202210525113.8在审
发明人： 秦杰明;闫律 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： C01G23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种含氧空位的尖晶石结构金属氧化物负极材料的高温高压制备方法，步骤如下：将原料混匀后模压成型并装配组装合成块；将组装块置于高温高压合成设备的腔体中；在压力0.5～2.0GPa,温度773～1473K下保温保压30min以上,制得所述含氧空位的尖晶石结构金属氧化物负极材料。本方法在合成样品的同时原位引入氧空位，避免惰性氛围长时间烧结。与传统固相合成法相比缩短了制备时间，工艺简单，重复性好，压力可控。
一种空位尖晶石结构金属氧化物负极材料高温高压制备方法

[发明专利]一种锂离子电池用多孔磁性石墨负极材料的制备方法-CN202111076239.3在审
发明人： 秦杰明;刘睿;王峰;高山林;王博;张立涛;崔久悦 -专利权人：三目新材料科技（河南）有限公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01M4/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种锂离子电池用多孔磁性石墨负极材料的制备方法，包括以下步骤：将石墨和粉末状过渡金属按比例均匀混合后进行预压，得到块体状原材料；将得到的块体状原材料装入合成模块内，然后放入高压合成设备中进行烧结，最终得到黑色块状产物，对黑色块状产物进行卸压自然冷却脱模处理。本发明通过高温高压方法较好的控制基面与端面的比例以及过渡金属氧化物在端面的深度，作为锂离子电池负极时，可极大的缩短电池的充电时间，适于大量工业化生产。
一种锂离子电池多孔磁性石墨负极材料制备方法

[发明专利]一种低热导率、高ZT值热电材料-CN201611197368.7在审
发明人：邓乐;秦杰明;万玉春 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2016-12-22 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种低热导率、高ZT值方钴矿热电材料。本发明的热电材料具有明显低于现有方钴矿热电材料的热导率和高于现有方钴矿材料的ZT值。本发明的方钴矿热电材料由填充材料M、置换材料N、Co和Sb通过高压合成而制成，该热电材料的分子式为MyCo4Sb12‑xNx，其中x和y的数值范围在0.1‑2之间。本发明热电材料的合成方法极为简单，并适用于工业化生产。所得产物机械性能好，热导率远低于其他方法所合成的填充型或置换型CoSb3热电材料，且具有高的热电性能。
一种低热 zt 热电材料

[发明专利]一种低热导率方钴矿热电材料的制备方法-CN201611197228.X在审
发明人：邓乐;秦杰明;万玉春 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2016-12-22 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L35/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种低热导率的方钴矿热电材料制备方法。本发明的制备方法拓宽了现有方法降低方钴矿热电材料需要低维纳米化和提高填充原子比例的优化渠道。本发明包括以下步骤按预定剂量比分别取原料单质M、Co、Sb和N，其中，M为填充材料，N为置换材料；将所称量的原料单质进行混合和研磨获得粉末状混合物；将所获得的粉末状混合物油压成柱状块体；将所得柱状块体组装在高压合成块中；将所得高压合成块置于液压机中，以预定温度和压力进行高压合成，获得热电材料MyCo4Sb12‑xNx。本发明的合成方法极为简单，并适用于工业化生产。所得产物机械性能好，热导率远低于其他方法所合成的填充型或置换型CoSb3热电材料，且具有高的热电性能。
一种低热导率方钴矿热电材料制备方法

[发明专利]采用氧化锌基半导体薄膜的紫外火焰探测器-CN201410777541.5在审
发明人：蒋大勇;刘如胜;田春光;孙龙;侯建华;赵建勋;高尚;梁庆成;秦杰明 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2014-12-15 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： G08B17/12 文献下载
摘要：采用氧化锌基半导体薄膜的紫外火焰探测器属于消防设备技术领域。现有紫外火焰探测器采用的紫外光敏管制备工艺复杂，制作成本较高；尤其管内气体容易溢出，导致紫外光敏管功能下降，使用寿命缩短，紫外火焰探测器的维护周期缩短，使得火焰探测预警工作量增大，火焰探测预警成本进一步提高。本发明其特征在于，氧化锌基金属-半导体-金属型叉指电极的感光面位于紫外增透聚光镜像方焦面处，氧化锌基金属-半导体-金属型叉指电极与探测信号采集处理模块相连；所述氧化锌基金属-半导体-金属型叉指电极的结构为，在衬底上表面附着一层氧化锌基半导体薄膜，金属薄膜叉指电极位于氧化锌基半导体薄膜上表面；金属薄膜叉指电极的两根引线接探测信号采集处理模块。
采用氧化锌半导体薄膜紫外火焰探测器

[发明专利]高温高压制备石墨烯材料的方法-CN201410146634.8有效
发明人：刘亚冰;秦鹤;秦杰明 -专利权人：吉林建筑大学
申请日： 2014-04-11 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：高温高压制备石墨烯材料的方法属于碳材料技术领域，目的在于解决现有技术存在的问题，实现对石墨烯的制备。本发明将含碳的固态有机物进行预压，得到块体状原材料；并装入合成模块腔体内，保温保压10分钟以上，升温速率每分钟5度；再对其进行卸压冷却脱模处理得到石墨烯材料。保温保压的压力P的取值范围为：400MPa≤P≤20000MPa，温度T的取值范围为：900℃≤T≤1600℃。本发明通过高温高压精确控制球状、棒状和片状石墨烯的粒径、厚度以及表面开口狭缝尺寸；可以精确控制球状、棒状和片状石墨烯的缺陷；本发明未使用任何酸碱及有毒有害试剂，绿色环保，本发明方法所获得的多种石墨烯材料重复性好、适于工业化生产。
高温高压制备石墨材料方法

[发明专利]MgZnO薄膜叠靶射频磁控溅射制备方法-CN201310293559.3有效
发明人：蒋大勇;赵曼;秦杰明;梁庆成;赵建勋;高尚;侯建华 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2013-07-12 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：MgZnO薄膜叠靶射频磁控溅射制备方法属于半导体光电技术领域。现有技术在MgxZn1–xO薄膜晶体的生长过程中出现Zn原子流失。本发明在射频磁控溅射仪的真空室中进行，将由MgxZn1–xO陶瓷靶材制作的圆片状溅射靶放置在真空室内的溅射靶台上；衬底与溅射靶相对并位于溅射靶上方，真空室抽真空后通入溅射气体；衬底升温，提供溅射功率；其特征在于，在所述溅射靶台上增设一个Zn环靶，Zn环靶的内径等于所述溅射靶的外径，由溅射靶和Zn环靶构成叠靶。在Zn环靶上方形成上升的圆筒状Zn原子流，在一定程度上防止Mg、Zn、O原子流中的Zn流失，也对Mg、Zn、O原子流中的Zn流失进行Zn补充，MgxZn1–xO薄膜晶体中的Zn空位得到填补。
mgzno 薄膜射频磁控溅射制备方法

[发明专利]MgZnO纳米线阵列紫外光电探测器-CN201210395263.8无效
发明人：蒋大勇;赵曼;梁庆成;高尚;赵建勋;秦杰明 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2012-10-17 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：MgZnO纳米线阵列紫外光电探测器，采用双温区化学气相沉积方法制备MgZnO纳米线阵列，由此获得MgZnO纳米线阵列紫外光电探测器，其响应度高于现有MgZnO纳米线紫外光电探测器，属于半导体光电技术领域。本发明之MgZnO纳米线阵列紫外光电探测器下电极位于硅衬底背面，MgZnO纳米线分布在硅衬底正面，上电极位于MgZnO纳米线上面，并与MgZnO纳米线欧姆接触，其特征在于，所述MgZnO纳米线竖直等高、整齐分布，构成MgZnO纳米线阵列。本发明用于环境污染监控、火焰光电探测、紫外预警以及通讯等领域。
mgzno 纳米阵列紫外光电探测器

[发明专利]具有纳米纤维敏感层的平面式乙炔气体传感器-CN201210091035.1无效
发明人：梁庆成;高尚;赵建勋;蒋大勇;侯建华;秦杰明 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2012-03-30 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：一种具有纳米纤维敏感层的平面式乙炔气体传感器，气敏材料为掺杂二氧化锡纳米纤维，对于乙炔气体具有高选择性，属于气体传感器技术领域。在现有技术中尚无采用纳米纤维气敏材料的乙炔气体传感器。本发明之乙炔气体传感器在硅衬底两侧绝缘层上分别布有加热电极和信号电极，乙炔气体敏感层位于信号电极上，乙炔气体敏感层形态为SnO2纳米纤维网，气敏材料为同时掺In、Sm、Co的SnO2，In、Sm、Co的掺入量分别为In2O3、Sm2O3、Co3O4、SnO2四种氧化物总质量的5～7％、43～45％、1～2％。该具有纳米纤维敏感层的平面式乙炔气体传感器能够实现一线全天候多点乙炔气体探测。
具有纳米纤维敏感平面乙炔气体传感器

[发明专利]掺铒氟化钆锂晶体及其生长方法-CN201010192338.3无效
发明人：刘景和;李春;曾繁明;张学建;张莹;林海;金银锁;秦杰明;董仲伟;董国飞 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2010-06-07 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：掺铒氟化钆锂晶体及其生长方法，属于光电子材料技术领域。现有掺铒氟化钇锂晶体因离子半径匹配方面的原因，掺杂浓度低；在生长这种晶体的过程中，由于氟化钇锂熔点高，原料挥发严重，难以生长出大尺寸的晶体。本发明之掺铒氟化钆锂晶体属于四方晶系，以稀土铒为激活离子，所述掺铒氟化钆锂晶体分子式为Er:LiGdF4，晶体基质为氟化钆锂；其生长方法特征在于LiF按LiF∶GdF3＝16.5～17∶7.76～8过量加入，晶体生长工艺参数确定为提拉速度：0.3～0.8mm/h，旋转速度：3～10rpm，生长温度：745～755℃。掺铒氟化钆锂晶体是一种激光晶体，适用于大功率固体激光器。
氟化晶体及其生长方法

[发明专利]钬铥双掺镓酸钆激光晶体-CN201010192355.7无效
发明人：刘景和;张莹;曾繁明;张学建;李春;林海;金银锁;秦杰明 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2010-06-07 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：钬铥双掺镓酸钆激光晶体属于光电子材料领域。现有技术中掺有稀土激活离子的的复合钨酸盐、稀土钒酸盐、铝酸盐或者氟化物受其组成、结构等方面因素所限，或此或彼地存在晶体生长周期长、生长温度高、生长困难、成晶率、晶体尺寸小等问题。本发明之钬铥双掺镓酸钆激光晶体其特征在于掺有2μm波段稀土激活离子钬和铥，分子式为Ho:Tm:GdGaO3，属于正交晶系，激光晶体基质为镓酸钆晶体。本发明可应用于激光器件制造领域。
钬铥双掺镓酸钆激光晶体

[发明专利]2μm波段钨酸钠盐激光晶体-CN200910067492.5无效
发明人：刘景和;林海;李春;张学建;曾繁明;秦杰明;张莹;刘立新;张山丽 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2009-09-04 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：2μm钨酸钠盐激光晶体，属四方晶系，输出2μm波段的激光，具有生长周期短、完整性好、成晶率高、低阈值、高增益等特点，所制作的激光器激光输出效率高，属于光电子材料领域。现有掺有稀土激活离子的钾及稀土复合钨酸盐类激光晶体生长周期长；而掺有稀土激活离子的稀土钒酸盐类激光晶体生长原料熔点高，易因挥发而导致偏析，所生长的晶体热性能差、易开裂、有色心。本发明之激光晶体掺有2μm波段稀土激活离子，基质为钠及稀土复合钨酸盐。应用于激光测距、激光雷达、光电干扰、遥感、环境检测、光通讯以及医疗等领域。
波段钠盐激光晶体

[发明专利]2μm波段K(Yb/Tm)W激光晶体-CN200910067493.X无效
发明人：刘景和;张莹;李春;张学建;曾繁明;秦杰明;林海;刘立新;张山丽 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2009-09-04 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：2μm波段K(Yb/Tm)W激光晶体，输出2μm波段的激光，具有低阈值、高增益的特点，所制作的激光器激光输出效率高，属于光电子材料领域。现有能够产生这种激光的激光晶体其基质材料为钨酸钆钾、钨酸钇钾等，由于缺少敏化离子，导致增益低，采用所述激光晶体制作的激光器激光输出效率低。虽然现有KYbW激光晶体含有敏化离子，但是，其激光输出波长是在0.98～1.08μm范围内。本发明激光晶体基质为钾及稀土复合钨酸盐，掺有2μm波段激活离子，基质中的稀土离子为Yb³⁺或者Tm³⁺。应用于激光测距、激光雷达、光电干扰、遥感、环境检测、光通讯以及医疗等领域。
波段 yb tm 激光晶体

[发明专利]一种制备Cr⁴⁺:Ca₂GeO₄激光晶体的方法-CN200910066837.5无效
发明人：曾繁明;张山丽;刘景和;张莹;秦杰明;张学建 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2009-04-17 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：一种制备Cr⁴⁺:Ca₂GeO₄激光晶体的方法属于可调谐激光晶体技术领域。现有技术采用自发结晶法、助溶剂法制备Cr⁴⁺:Ca₂GeO₄激光晶体；Cr⁴⁺是通过直接加入三氧化二铬原料，在晶体的生长过程中所产生；二氧化锗等原料直接加入熔体中。主要问题是生长速率低、晶体尺寸小，晶体中含有较多缺陷，Cr³⁺未能完全转化为Cr⁴⁺，以及二氧化锗的挥发。本发明包括以下步骤：1.按照化学计量比称取所用原料三氧化二铬、三氧化铬、碳酸钙和二氧化锗，其中三氧化二铬过量1～2％(wt)称取；2.将三氧化二铬和三氧化铬混合，采用水热合成法合成二氧化铬；3.将二氧化铬、碳酸钙和二氧化锗混合后压制成型；高温烧结后研磨成粉，再次高温烧结，获得生长料；4.采用提拉法使用所获得的生长料生长Cr⁴⁺:Ca₂GeO₄激光晶体。
一种制备 cr sup ca sub geo 激光晶体方法

[发明专利]制备p型氧化锌半导体体材料的方法-CN200810050450.6无效
发明人： 秦杰明;姚斌;张吉英;申德振;赵东旭;张振中;李炳辉 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2008-03-10 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明涉及制备p型氧化锌半导体体材料的方法，是以摩尔百分比为95％～99.9％ZnO和5％～0.1％Sb的混合粉体为原料，在压力为2～5.4GPa、温度为1400～1600℃条件下热压烧结制得p型ZnO多晶体体材料。该方法制备的p型ZnO半导体体材料，其载流子浓度为1.0×10^13～21cm^－3，电阻率为1×10^0.01－3Ω.cm，迁移率为0.01～13cm².V^－1.S^－1。本发明方法所获得的p型ZnO多晶体的半导体体材料结晶质量好；制备重复性好；适于工业化生产，为光电器件制造技术领域提供了特别适用的优质新材料。
制备氧化锌半导体材料方法

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