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[实用新型]马桶-CN202020280000.2有效
发明人：蔡元学;李雨庚;明成国;秦月婷;原凤英 -专利权人：天津科技大学
申请日： 2020-03-09 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： E03D9/00 文献下载
摘要：本实用新型属于卫生洁具技术领域，具体涉及一种马桶，该马桶包括水箱、马桶座、马桶盖、杀菌机构、驱动机构和控制器，马桶座与水箱连通，马桶盖转动连接在马桶座上，马桶盖可扣合在马桶座上，杀菌机构连接在马桶盖上，驱动机构连接在马桶盖上，且杀菌机构连接在驱动机构上，驱动机构设置成用于驱动杀菌机构进入到马桶座中，水箱、马桶盖、杀菌机构和驱动机构分别与控制器连接，控制器设置成控制水箱向马桶座内冲水、驱动马桶盖转动、杀菌机构的启闭和驱动机构动作。根据实用新型实施例的马桶，需要进行杀菌时，驱动机构驱动杀菌机构运动，杀菌机构进入到马桶座中后对马桶座的内壁进行杀菌，杀菌范围完全覆盖马桶座的内壁，提高了杀菌效果。
马桶

[实用新型]海水盐度检测系统-CN202020280036.0有效
发明人：蔡元学;马天;明成国;原凤英;秦月婷 -专利权人：天津科技大学
申请日： 2020-03-09 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： G01N21/41 文献下载
摘要：本实用新型属于海水测量技术领域，具体涉及一种海水盐度检测系统。本实用新型中的海水盐度检测系统包括检测单元、光纤传输单元、光源发生器和计算单元，检测单元包括测量水槽，测量水槽的内部还依次设有第一楔形水槽、激光扩束组件和第二楔形水槽，第一楔形水槽和第二楔形水槽分别位于测量水槽的两端相对设置，光纤传输单元包括第一传输光纤和第二传输光纤，第一传输光纤的一端与第一楔形水槽相连接，第二传输光纤的一端与第二楔形水槽相连接，光源的一端与第一传输光纤相连接。通过使用本技术方案中的海水盐度检测系统，测量单元的内部的测量水槽和楔形水槽为差动式测量，能够在恶劣的条件下对海水盐度进行检测，提高了适用性。
海水盐度检测系统

[实用新型]杨氏模量测定仪-CN202020339766.3有效
发明人：张贵清;秦月婷 -专利权人：天津科技大学
申请日： 2020-03-18 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： G01N3/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及杨氏模量测定仪，包括底座、仪器壳体、拉伸装置、上位机，底座上设有支撑座，支撑座上安装仪器壳体，仪器壳体上下两端内壁设有多个定滑轮，定滑轮之间呈错位分布；仪器壳体的一侧底端开设有通孔，仪器壳体的另一侧顶端内壁上设有夹紧头，夹紧头上连接有金属丝，金属丝呈S形设置在多个定滑轮上，金属丝另一端穿过通孔并于通孔下方设有观测板，金属丝的末端连接有拉力计，拉力计下端连接有牵引绳，牵引绳与拉伸装置的输出端连接；底座一端设有支架，支架顶部安装有激光位移传感器，激光位移传感器与上位机连接。采用滑轮组节省金属丝所占用的空间长度，采用拉力计进行测力，避免了加砝码时钢丝绳的摆动而产生的测量误差。
杨氏模量测定

[实用新型]一种可变温杨氏模量测定仪-CN202020339783.7有效
发明人：张贵清;秦月婷 -专利权人：天津科技大学
申请日： 2020-03-18 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： G01N3/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种可变温杨氏模量测定仪，包括金属丝、金属丝受力机构、光杠杆组件和温控机构，金属丝受力机构包括固定架、透明罩、砝码，固定架包括两个支撑杆和设置在两个支撑杆上下两端的上支撑座和下支撑座，上支撑座底部设有上螺纹座，两个支撑杆上设有滑动平台和定位平台，定位平台的一端设置光杠杆组件，滑动平台上设有下螺纹座，下螺纹座与上螺纹座呈对称设置；透明罩的上下两端分别与上螺纹座和下螺纹座螺纹连接，透明罩具有双层结构，使得透明罩的内壁与外壁之间设有空腔，透明罩的两端分别连接设有进水端和出水端，进水端和出水端与温控机构连接，使得温控机构通过循环水对透明罩加热，改变透明罩中的金属丝的温度环境。
一种可变温杨氏模量测定

[发明专利]采用蒸发镀膜制备倾斜纳米线阵列结构碲化锑基膜的方法-CN201810014599.2有效
发明人：谭明;郝延明;谢宁;秦月婷;焦永芳;吴泽华 -专利权人：天津科技大学
申请日： 2018-01-08 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用蒸发镀膜制备倾斜纳米线阵列结构碲化锑基膜的方法，制备步骤包括：(1)将质量百分比纯度为99.99％的Sb
制备纳米线阵列结构混合材料蒸发镀膜碲化锑基膜沉积压制氮气真空镀膜机质量百分比超声清洗氮气吹干交流电源输出电流无水乙醇真空室质量比丙酮成块放入基底块体水中温升钨舟加热离子并用室内

[发明专利]利用真空蒸发镀膜可控制备结构梯度定向生长Sb-Bi-Te膜的方法-CN201711444500.4有效
发明人：谭明;郝延明;谢宁;秦月婷;焦永芳;郭婷婷;李天晶 -专利权人：天津科技大学
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用真空蒸发镀膜可控制备结构梯度定向生长Sb‑Bi‑Te膜的方法，包括步骤：(1)将(Bi
定向生长结构梯度基底沉积真空蒸发镀膜混合材料可控制制备加热压制氮气真空镀膜机超声清洗氮气吹干输出电流无水乙醇真空室质量比丙酮成块放入控温块体水中钨舟离子电源并用室内

[发明专利]采用磁控溅射制备定向纳米柱阵列结构PbTe膜的方法-CN201810205253.0有效
发明人：谭明;郝延明;谢宁;张贵清;秦月婷;焦永芳 -专利权人：天津科技大学
申请日： 2018-03-13 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用磁控溅射制备定向纳米柱阵列结构PbTe膜的方法，包括下列制备步骤：(1)基底清洗吹干后放入溅射真空室；(2)把质量百分比纯度为99.99％的PbTe靶材放入磁控溅射真空室中，调节基底与溅射靶源的距离后抽真空；(3)设定加热温度对基底升温，同时打开气体流量控制仪和溅射电源预热，并打开样品台自转；(4)开始通入高纯度氩气，固定氩气流量并调节气压至预定工作气压；(5)调节溅射功率，沉积2h～3h；(6)关闭溅射电源，并在氩气气氛下对薄膜进行原位退火；(7)关闭电源，待基底温度降至20℃～40℃时，关闭样品台自转和电源即制得在基底上沉积具有定向纳米柱阵列结构的PbTe膜。该方法简单、新颖，生产环境条件宽松，效果非常显著。
基底定向纳米柱阵列制备磁控溅射溅射电源样品台自转放入沉积磁控溅射真空室气体流量控制仪高纯度氩气溅射真空室质量百分比工作气压关闭电源基底清洗溅射功率生产环境原位退火氩气流量氩气气氛抽真空溅射靶温度降预热靶材吹干气压薄膜加热电源

[发明专利]采用蒸发镀膜-电场诱导可控制备定向Bi-Te-Se纳米柱阵列的方法-CN201710935363.8有效
发明人：谭明;郝延明;谢宁;吴泽华;秦月婷;焦永芳 -专利权人：天津科技大学
申请日： 2017-10-10 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用蒸发镀膜‑电场诱导可控制备定向Bi‑Te‑Se纳米柱阵列的方法，主要制备步骤如下：将质量百分比纯度都为99.99％的Bi₂Te_2.7Se_0.3和Te粉末质量比＝10:0.5～2均匀混合，在8MPa～10MPa压力下压制Bi₂Te_2.7Se_0.3和Te混合材料成块体；清洗基底后将0.1g～0.2g的Bi₂Te_2.7Se_0.3和Te混合材料压制成的块体放入真空镀膜机的真空室的钨舟中；向真空室内分两次各充入2min～5min氮气后停止，随后抽真空度达到2.0×10^－4Pa～4.0×10^－4Pa时，打开加热控温电源；温度升至预定温度200℃～350℃后，在PID控制器上设定沉积速率10nm/min～20nm/min，沉积时间2h～3h；开启交流电源，调节输出电流160A～170A；开始在基底上沉积制备定向Bi₂Te_2.7Se_0.3纳米柱阵列。本发明方法简单、新颖，生产环境条件宽松，具有技术的原创性，有非常显著的实用价值和经济效益。
采用蒸发镀膜电场诱导可控制备定向 bi te se 纳米阵列方法

[实用新型]高层垂直循环立体车库停电取车装置-CN201721140600.3有效
发明人：郑永会;孙宇凡;张贺铭;于利;秦月婷;李怡菲 -专利权人：鞍山东方钢构桥梁有限公司
申请日： 2017-09-07 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： F16H7/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高层垂直循环立体车库停电取车装置，包括双轴输出电机，左传动轴和右传动轴，左侧主传动机构和右侧主传动机构，载车板，其特征在于在左传动轴上设有阻尼器和停电取车传动机构，在右传动轴设有制动器；所述的停电取车机构包括设置在平台上的机座，设置在机座上部的链条松紧调整丝杆组件，停电取车传动机构及辅助驱动机构。本实用新型的优点是利用链条传动原理进行远距离传递动力，并且链条可以调节松紧。停电取车机构设置在左传动轴上，在停电状态下，通过小电瓶控制的停电取车机构，进行取车。结构简单、操作方便，停电状态下，利用这个辅助装置可以取车。
高层垂直循环立体车库停电装置

[发明专利]采用蒸发镀膜可控制备多级次Bi‑Sb‑Te倾斜柱阵列的方法-CN201610233479.2有效
发明人：谭明;郝延明;蔡元学;秦月婷;谢宁;吴泽华 -专利权人：天津科技大学
申请日： 2016-04-15 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： C23C14/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用蒸发镀膜可控制备多级次Bi‑Sb‑Te倾斜柱阵列的方法，主要步骤如下将质量百分比纯度为99.99%的Bi1.5Sb0.5Te3粉末在8～10MPa压力下压制成Bi1.5Sb0.5Te3块体；将0.1～0.2g的Bi1.5Sb0.5Te3块体放入真空镀膜机的真空室的钨舟中；向真空室内充入2～5 min高纯氮气后停止，随后对真空室抽真空，使真空室内真空度达到2.0×10－4～5.0×10－4 Pa；打开加热控温电源，温度升至预定温度250～350℃后，在PID控制器上设定沉积速率12～20 nm/min，沉积时间2～3 h；开启交流电源，调节输出电流160～170 A；开始在基板上沉积制备多级次Bi1.5Sb0.5Te3倾斜柱阵列。整个沉积工艺过程简单，成本低廉，易于规模化生产，所得到的多级次Bi1.5Sb0.5Te3柱阵列倾斜生长，且纳米线、柱阵列结构均一，有效的保证了纳米相的均匀分布，应用效果非常显著。
采用蒸发镀膜可控制备多级 bi sb te 倾斜阵列方法

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