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- [发明专利]铜酞菁苄砜基化合物及其衍生物-CN201280000280.5有效
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彭孝军;戴正亮;秦学孔;樊江莉;王风;李少磊
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大连理工大学;珠海纳思达企业管理有限公司
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2012-02-17
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2012-09-19
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C07D487/22
- 本发明涉及一类铜酞菁苄砜基化合物及其衍生物,并进一步提供含有该类化合物的喷墨墨水组合物。该铜酞菁苄砜基化合物具有下述通式(I),取代基团W1、W2、W3、W4分别独立地位于铜酞菁的β位,且至少一个为W5所示基团,其它取代基可独立地选自SO2(CH2)mSO2X;所述取代基中,X独立地选自NR1(CH2)wOH、N((CH2)wOH)2、NR1(CH2)wSO3M、NR1(CH2)wCO2M或OM,n为0-2的整数,m、w独立地为2-6的整数;并且,R1为H、CH3或CH2CH3;M独立的为H、Li、Na、K或N+R2R3R4R5,其中的R2、R3、R4、R5选自相同或不相同的H、C1-18烷基、环己基、苄基或(CH2)wOH。该类铜酞菁苄砜基化合物可提供青色染料分子添加在墨水中,不仅可以提高墨水的综合稳定性,而且可以降低和避免青铜现象,提升打印品质。
- 铜酞菁苄砜基化合物及其衍生物
- [发明专利]高阻断性有机电子器件用封装材料-CN201110153162.5有效
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孙国林;孙世峰;秦学孔
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孙国林;孙世峰;秦学孔
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2011-06-09
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2011-11-02
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C08L63/00
- 本发明公开了高阻断性有机电子器件用封装材料,主要由高分子树脂和无机填充物组成,以质量份数计其含量为,高分子树脂100份,无机填充物20-100份,所述无机填充物为板状,其面上长径和厚度的比例(长径/厚度)在1.5-50之间,且平均粒径在1.0-5.0微米。本发明涉及的封装材料经过交联反应固化后,使用XRD对其结构进行分析,结晶面间隔为0.1-3纳米之内。远小于水分子聚集态的大小,可以阻断水分和气体的透过和扩散路径,可作为具有高度遮断性能的有机器件的封装材料。该封装材料能够充分抑制水分和气体的透过性,防止离子性成分对于电极等的腐蚀,并且热膨胀系数较低,真正实现有机器件的长寿命,并且降低封装宽度、减少封装材料用量而实现封装成本低廉化。
- 阻断有机电子器件封装材料
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