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[发明专利]一种可靠的低耗银太阳能电池片-CN202210017462.9在审
发明人：陈伟文;杨与胜;庄辉虎;张津燕 -专利权人： 福建金石能源有限公司
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供了一种可靠的低耗银太阳能电池片的制造方法，其包含如下步骤：制造完成PN结层结构的太阳能电池片；分别在受光面PN结层和背光面PN结层表面制备减反射膜层；在电池片背面的减反射膜层上制备阻挡层；在阻挡层上依次制备金属导电膜层及金属保护层；依设计需要在上述电池叠层结构的正反面制备栅线形成单面发电的太阳能电池片或双面发电的太阳能电池片。通过在太阳能电池片背面的减反射膜层表面设置阻挡层，可以有效阻挡金属的扩散，有效提升低耗银太阳能电池片的可靠性，又可以增加减反射膜层成份的选择性。同时，该可靠的低耗银太阳能电池片适用于单面发电的电池片，也适用于双面发电的电池片结构，满足电池片设计需求。
一种可靠低耗太阳能电池

[实用新型]一种能充分利用背光的异质结太阳能电池-CN202223168518.5有效
发明人：林锦山;廖培灿;黄天福;黄晓狄 -专利权人： 福建金石能源有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种能充分利用背光的异质结太阳能电池，它包括硅片；所述硅片受光面为抛光面形成的金字塔绒面，所述硅片背光面为在均布有边长或直径为1.5um‑8um且深度为1um‑5um的表面形成的微孔绒面；所述硅片受光面由里到外依次叠设有第一本征非晶硅膜层、N型半导体膜层、第一导电膜层和第一电极，所述硅片背光面由里到外依次叠设有外表面无尖端的第二本征非晶硅膜层、P型半导体膜层、第二导电膜层和第二电极。本实用新型的目的在于提供能充分利用背光的异质结太阳能电池，其对弱光具有更好的吸收能力，来自于地面的散射光线能被背光面更充分的利用，再与受光面的金字塔绒面配合，电池具有了吸收各个角度的太阳光线的能力。
一种充分利用背光异质结太阳能电池

[发明专利]一种镀膜冷辊循环冷却快换挡板及其驱动装置-CN202310260236.8在审
发明人：曲永鹏;刘杰波;陈志伟;林海弈 -专利权人： 福建金石能源有限公司
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种镀膜冷辊循环冷却快换挡板及其驱动装置，包括冷却挡板提升驱动装置、冷却腔体装置和可快换冷却挡板装置；所述冷却挡板提升驱动装置由直线导轨、提升支架、电动缸、电缸固定座、活动接头、电机、减速机组成，所述电动缸、电机、减速机固定安装在电缸固定座上，电动缸通过活动接头固定连接提升支架，所述电机通过减速机增驱动电动缸伸出或缩回运动，同步带动两侧提升支架沿直线导轨做上下运动；所述冷却腔体装置和可快换冷却挡板装置固定安装在提升支架下方。本发明提高了镀膜冷却挡板的冷却效果，提高镀膜成品率，另外增加冷却挡板提升驱动装置，冷却挡板拆装更换简单高效，减少维护时间。
一种镀膜循环冷却挡板及其驱动装置

[发明专利]一种隔离槽特定设置的背接触电池及其制备方法-CN202310332245.3有效
发明人：林楷睿;张超华;谢志刚 -专利权人： 福建金石能源有限公司;金阳（泉州）新能源科技有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种隔离槽特定设置的背接触电池及其制备方法，包括背面具有沿背面的X轴方向间隔设置的抛光区和制绒区的硅基底，在所述抛光区上设置的第一半导体层，以及在所述制绒区上设置的第二半导体层，所述背接触电池还包括沿背面的Z轴方向向外依次设置的导电膜层、导电掩膜层，所述导电掩膜层和导电膜层形成的导电复合层上设有沿X轴方向间隔设置的隔离槽，所述隔离槽位于所述第一半导体层和第二半导体层的Z轴方向接触界面处的上方，且隔离槽在X轴方向上横跨部分抛光区和部分制绒区。本发明大幅改善了漏电微短路现象，同时提高电池转换效率和电池良率；且大幅降低了银浆用量，从而大幅降低了金属电极成本。
一种隔离特定设置接触电池及其制备方法

[发明专利]一种背接触电池及其制作方法和光伏组件-CN202310332231.1有效
发明人：林楷睿;张超华;谢志刚 -专利权人： 福建金石能源有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种背接触电池及其制作方法和光伏组件，包括具有正面和背面的硅基底，设置在背面的具有第二半导体开口区的第一半导体层，以及第二半导体层，还包括沿背面X轴方向间隔排布的若干绝缘层，所述绝缘层设置在所述第二半导体层的外表面上；且在X轴方向上，所述绝缘层横跨第二半导体开口区的侧面边缘且两端分别延伸，且所述绝缘层在第二半导体开口区上的横跨长度W12，所述绝缘层在第一半导体层上的横跨长度W11，满足W12：W11=0.1‑10：1。本发明的背接触电池能够同时兼顾有效避免在第二半导体开口区处的侧面边缘出现的漏电现象、优异的电池效率及电池良率和制备工艺简单。
一种接触电池及其制作方法组件

[发明专利]一种高电流密度的联合钝化背接触电池及其制备方法-CN202310368984.8有效
发明人：林楷睿;林锦山;谢志刚;张超华 -专利权人： 福建金石能源有限公司
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种高电流密度的联合钝化背接触电池及其制备方法，包括具有正面和背面的硅基底，设置在背面的第一半导体层、第二半导体层，以及设置在正面的正面钝化层和减反射层，所述第一半导体层包括隧穿氧化层和第一掺杂硅晶层，所述第二半导体层包括本征硅层和第二掺杂硅层；所述第一掺杂硅晶层的远离硅基底的一侧设有第一重掺杂区，所述硅基底的正面设有第二浅掺杂区，所述第二浅掺杂区与所述正面钝化层接触，且第一重掺杂区与第二浅掺杂区的面掺杂指数的比值为10‑40:1，第二浅掺杂区与隧穿氧化层的厚度之比为2‑10:1。本发明能够在保证具有高电流密度的同时，无需设置非晶硅或微晶硅层。
一种电流密度联合钝化接触电池及其制备方法

[发明专利]一种高效异质结太阳能电池及其制造方法-CN202211514346.4在审
发明人：张津燕;曾清华 -专利权人： 福建金石能源有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明涉及一种高效异质结太阳能电池的制作方法，它包括在经钝化处理的半导体基板的第一钝化层上形成具有N型掺杂或P型掺杂的第一半导体膜层，其具体步骤如下，步骤A，在经钝化处理的半导体基板的第一钝化层上形成第一微晶硅叠层；步骤B，在第一微晶硅叠层上形成第一非晶硅层。本发明的目的在于提供一种高效异质结太阳能电池及其制造方法，通过采用微晶硅叠层与非晶硅层复合的N型半导体膜层或/和P型半导体膜层能够同时提升电池短路电流、开路电压以及填充因子的影响，电池效率得以明显提升。
一种高效异质结太阳能电池及其制造方法

[发明专利]一种卷对卷真空镀膜设备智能纠偏带摆臂收放卷装置-CN202310304311.6在审
发明人：曲永鹏;黄发明;黄小强;徐尔强 -专利权人： 福建金石能源有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： B65H23/038 文献下载
摘要：本发明公开了一种卷对卷真空镀膜设备智能纠偏带摆臂收放卷装置，包括依次设置的收放卷组件和摆臂组件，所述收放卷组件包括底座，位于底座上的气胀轴，驱动气胀轴的收放卷电机组，连接气胀轴和收放卷电机组的收放卷联轴器，套设于气胀轴上的卷材，固设于底座两侧的左支撑板和右支撑板，所述摆臂组件通过轴承座固设于左支撑板和右支撑板之间，所述摆臂组件包括依次设置的过渡辊、弧形辊和主动辊，主动辊由主动辊电机组连接主动辊联轴器驱动，所述左摆臂和右摆臂通过摆臂电机组连接摆臂联轴器驱动做摆动。本发明通过收放卷薄膜各配置一套纠偏系统，确保放卷和收卷边缘同步，更加平稳运行，薄膜运行不走偏、不起褶皱，边缘整齐。
一种真空镀膜设备智能纠偏带摆臂收放卷装置

[发明专利]一种边缘钝化修复的柔性太阳能电池的制备方法-CN201911162472.6有效
发明人：谢志刚 -专利权人： 福建金石能源有限公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开了一种边缘钝化修复的柔性太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：提供硅片，在硅片其中一面预切割形成网格状凹槽；将硅片制绒清洗，形成金字塔绒面；在硅片表面形成钝化层及掺杂层；在硅片的正背面沉积透明导电膜层，通过激光开口或印刷掩模的方法在透明导电膜层形成缺口；在硅片表面形成金属电极，N型电极位于电池正面而P型引出电极位于电池的背面；在硅片的背面通过图形印刷的方式，形成多个子电池单元，相邻子电池单元之间预留间隙。本发明在P面切割预设位置附近，通过印刷制作掩模的方式移除该处的ITO膜层，P面切割入光成为可能，不限于只从N面切割HIT电池，且切割深度无限制，增大了由小电池单元组合成柔性组件的工艺选择范围。
一种边缘钝化修复柔性太阳能电池制备方法

[实用新型]一种隧穿型背接触异质结太阳能电池-CN202223212265.7有效
发明人：林锦山;谢志刚;张超华;廖培灿;黄晓狄;黄天福 -专利权人： 福建金石能源有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种隧穿型背接触异质结太阳能电池，它包括背面形成背面钝化层的硅片；所述硅片背面划分为第一半导体区、第二半导体区以及位于第一半导体区和第二半导体区之间的隔离区；所述位于隔离区的背面钝化层上设有绝缘膜层；所述绝缘膜层和位于第一半导体区的背面钝化层上设有第一半导体膜层；所述第一半导体膜层上和位于第二半导体区的背面钝化层上由里及表依次设有第二半导体膜层和导电膜层；所述位于隔离区的导电膜层开设有对第一半导体区和第二半导体区进行绝缘隔离的隔离槽。本实用新型的目的在于提供一种隧穿型背接触异质结太阳能电池，其能缩短制造流程，生产成本降低。
一种隧穿型背接触异质结太阳能电池

[实用新型]一种直线式PECVD设备-CN202222647490.7有效
发明人：杨与胜;庄辉虎;练小洪 -专利权人： 福建金石能源有限公司
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C23C16/54 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种直线式PECVD设备，其包含多个腔室，从进料端依次包含：进料腔，预热腔、多个反应腔、冷却腔和出料腔；所述进料腔、预热腔、反应腔、冷却腔和出料腔均为独立的腔室，进料腔进料口和出料腔出料口及相邻腔室之间均设有密封隔断组件。当相邻两反应腔进行不同的沉积反应时，该两个反应腔之间还设有独立的缓冲腔；所述缓冲腔与反应腔之间也设有密封隔断组件。该直线式PECVD设备通过各个独立腔室的设置，及进料腔和出料腔的设置可以优化预热腔和冷却腔的功能，将稳定反应腔工艺气体和压力的时间节拍放在预热腔和冷却腔进行，减少反应腔的工艺沉积时间，从而大大缩短了整体节拍，有效提升设备产能。
一种直线 pecvd 设备

[实用新型]一种异质结BIPV光伏墙砖结构-CN202223171967.5有效
发明人：黄家容;郑剑祥 -专利权人： 福建金石能源有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： E04F13/075 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种异质结BIPV光伏墙砖结构，从建筑外表面到内表面依次叠层铺设前板、第一层黏接胶膜、电池串、第二层黏接胶膜、背板、结构粘接层、发泡陶瓷墙砖，所述前板、电池串、背板通过层压机一体层压成型，所述电池串连接好电极引出，电极引线从背板背面穿引出，在引出线位置安装好接线盒，所述发泡陶瓷墙砖对应接线盒位置挖出凹槽腾出接线盒的藏匿空间。本实用新型设计在于采用异质结高效电池，采用轻质组件结构封装，结合发泡陶瓷材料墙砖，具有弱光响应好，发电效率高，外形美观，保温隔热等优点。
一种异质结 bipv 光伏墙砖结构

[实用新型]一种高效异质结太阳能电池-CN202223185812.7有效
发明人：张津燕;曾清华 -专利权人： 福建金石能源有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高效异质结太阳能电池，它包括半导体基板、设于半导体基板第一主面上的第一钝化层以及设于第一钝化层上且具有N型掺杂或P型掺杂的第一半导体膜层；所述第一半导体膜层包括设于第一钝化层上的第一微晶硅叠层和设于第一微晶硅叠层上且具有与第一微晶硅叠层相同导电型掺杂的第一非晶硅层。本实用新型的目的在于提供一种高效异质结太阳能电池，通过采用微晶硅叠层与非晶硅层复合的N型半导体膜层或/和P型半导体膜层能够同时提升电池短路电流、开路电压以及填充因子的影响，电池效率得以明显提升。
一种高效异质结太阳能电池

[实用新型]一种能降低吸光效应的背接触异质结太阳能电池-CN202223186386.9有效
发明人：林锦山;谢志刚;廖培灿;黄晓狄;黄天福;张超华 -专利权人： 福建金石能源有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种能降低吸光效应的背接触异质结太阳能电池，它包括硅片、设于硅片正面的正面钝化膜层以及设于正面钝化膜层上的正面减反射膜层；所述正面减反射膜层由两层以上折射率由里及表逐渐减小的膜层构成。本实用新型的目的在于提供一种能降低吸光效应的背接触异质结太阳能电池，优化了正面的膜层结构，可以有效地降低正面膜层的吸光效应。
一种降低效应接触异质结太阳能电池

[发明专利]一种采用复合绝缘膜层的背接触异质结太阳能电池及其制造方法-CN202211529289.7在审
发明人：黄巍辉;张超华;谢志刚;吴远涛;林锦山 -专利权人： 福建金石能源有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用复合绝缘膜层的背接触异质结太阳能电池制造方法，它包括步骤a1，在半导体基板的第一主面上设置第一导电型膜层；步骤a2，在第一导电型膜层上设置复合绝缘膜层；所述步骤a2的具体方法为，a101,在第一导电型膜层上采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或碳氧化硅生成一层基底绝缘层；a102，在基底绝缘层上形成一层以上叠合绝缘层，至少包含一层采用非晶硅或微晶硅形成的叠合绝缘层；每层叠合绝缘层分别采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、非晶硅或微晶硅生成。本发明的目的在于提供一种采用复合绝缘膜层的背接触异质结太阳能电池及其制造方法，大幅度提高半导体膜层在溶液清洗过程的保护效果，减少溶液清洗产生的缺陷。
一种采用复合绝缘接触异质结太阳能电池及其制造方法