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[发明专利]利用代谢物面板的癌症检查法-CN202080104377.5在审
发明人：坂入实;阿部真由美;石垣隆士 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G01N30/88 文献下载
摘要：本发明提供一种用于评价被测者的癌症的癌症检查方法以及癌症检查系统。具体而言，本发明提供一种被测者的癌症检查方法，其包括：准备数据库，该数据库存储有针对多个健康者和癌症患者登记了多个癌症标记的信息的标记面板，在各癌症标记的测定值中，将健康者的平均值±X×标准偏差和/或健康者的平均值±标准偏差作为基准范围，具有被区分为基准范围内、比基准范围高以及比基准范围低这3个的识别信息，在式中，X为任意的数值；针对被测者的1个以上的癌症标记的测定值，解析与所述数据库中的所述识别信息的相关性；以及根据所述解析的结果来评价被测者的癌症。
利用代谢物面板癌症检查法

[发明专利]癌检查装置以及癌检查方法-CN202180034179.0在审
发明人： 石垣隆士;坂入实;阿部真由美 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G01N30/02 文献下载
摘要：为了实现多种多样的癌的检查，其特征在于具有：癌检查模型生成部(113)，其根据针对具有癌患者以及健全者的多个被检者的癌检查的结果即临床数据、和作为对从这些被检者采集的第1尿检体进行了基于LC/MS的解析的结果且与第1尿检体中的多个代谢物的量相关的信息即代谢物详尽数据，来构建为癌检查模型；第2取得部，其取得对从不同于第1被检者的被检者即第2被检者采集的第2尿检体进行了基于LC/MS的解析的结果即样本数据；检查处理部(114)，其通过对癌检查模型运用样本数据中的代谢物的量，来推定第2被检者中的癌的状态；和输出处理部(114)，其输出所推定的癌的状态。
检查装置以及方法

[发明专利]电力变换装置以及电动机装置-CN201680014016.5有效
发明人： 石垣隆士;井堀敏;佐佐木康;冨山清隆;景山宽 -专利权人：株式会社日立产机系统
申请日： 2016-04-14 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H02M7/48 文献下载
摘要：一种电力变换装置以及电动机装置，实现了元件的可靠性的提高。电力变换装置具备逆变器以及控制部。逆变器具有具备宽禁带半导体材料的切换元件的多个上臂以及下臂。在逆变器中流过过电流时，控制部断开配置在上下臂中的一个的、过电流的路径上的第1臂，并且在接通相对于第1臂的第2臂之后(期间1→期间2)、根据流过第2臂的电流来断开第2臂(期间2→期间3)。
电力变换装置以及电动机

[发明专利]半导体器件和半导体器件的制造方法-CN200910147423.5无效
发明人：森田祐介;土屋龙太;石垣隆士;杉井信之;木村绅一郎 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2009-06-10 - 公布日： 2009-12-16 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明的目的在于提高具有MIS晶体管的半导体器件的性能。本发明的半导体器件包括：在硅衬底1的主面上沉积半导体层形成的一对源·漏极区域sdn、sdp；覆盖其侧壁的侧壁绝缘膜IS；在平面上被侧壁绝缘膜IS夹着的位置的硅衬底1的主面上，隔着栅极绝缘膜IG配置的栅电极GE；在从栅电极GE的侧方下部开始一直到源·漏极区域sdn、sdp的侧方下部形成的扩散区域exn、exp，其中，源·漏极区域sdn、sdp的侧壁具有正锥状的倾斜，侧壁绝缘膜IS的侧壁中与栅极绝缘膜IG和栅电极GE相邻一方的侧壁具有正锥状的倾斜。
半导体器件制造方法

[发明专利]永久磁铁同步马达及封闭式压缩机-CN200780042191.6有效
发明人：吉野勇人;滝田芳雄;矢部浩二;石垣隆士;增本浩二 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2007-02-21 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： H02K21/16 文献下载
摘要：本发明的目的为提供一种高效、低振动、低噪音的永久磁铁同步马达。本发明的特征在于，定子(30)具有：定子铁心(1)和定子绕组(4)，该定子铁心(1)具备形成于邻接的狭槽(3)之间的磁极齿部(2)，该绕组(4)配置于定子铁心(1)的狭槽(3)；转子(40)具有：转子铁心(5)、多个磁铁插入孔(8)、插入到磁铁插入孔(8)的永久磁铁(7)和形成于磁铁插入孔(8)的外周侧的转子铁心(5)的多个狭缝(6)；在狭缝(6)之中，转子铁心(5)的磁极中心附近的多个狭缝(6)配置成向着由永久磁铁(7)产生的磁通在转子铁心(5)的外侧收敛的方向，同时转子铁心(5)的极间部附近的狭缝(6)配置成向着与转子铁心(5)的磁极中心附近的多个狭缝(6)不同的方向。
永久磁铁同步马达封闭式压缩机

[发明专利]半导体器件-CN200610168710.0无效
发明人：长部太郎;石垣隆士;笹子佳孝 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2006-12-19 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，实现非易失性半导体存储器件的存储单元的微型化。在构成非易失性半导体存储器件的半导体衬底(1)的主面上隔着第1栅绝缘膜(4)形成有多个浮栅(7)。在各浮栅(7)的一个邻接侧形成有辅助栅(9)，上述辅助栅(9)隔着第3栅绝缘膜(6)形成在半导体衬底(1)的主面上。而且，在各浮栅(7)的另一邻接侧形成有沟(Tr1)，在该沟(Tr1)的底部侧形成有n型扩散层(3)。该非易失性半导体存储器件的数据线，由在对辅助栅(9)施加了所希望的电压时形成在与该辅助栅(9)相对的半导体衬底(1)的主面部分的反型层、和上述n型扩散层(3)构成。
半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200610168788.2无效
发明人： 石垣隆士;长部太郎;小林孝;今井丰;清水雅裕 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2006-12-20 - 公布日： 2007-07-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，目的在于实现半导体器件的高集成化。包括在第1导电型的半导体衬底上隔着第1栅极绝缘膜(4)而形成的浮栅(7)；在上述半导体衬底上隔着第2绝缘膜而形成的第2电荷保持区域；在第1方向延伸，在上述第1电荷保持区域之上隔着第2栅极绝缘膜(5)而形成的控制栅(8)；在上述第1方向延伸，在上述第2电荷保持区域之上隔着第2栅极绝缘膜而形成的第2栅电极；以及在第2方向延伸，与上述第1栅电极、上述第2栅电极交叉地形成在上述半导体衬底上的半导体层(10)，其中，上述半导体层形成第2导电型的n形导电区域(3)。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]涡壳压缩机-CN98118349.2有效
发明人：岛津裕辅;增本浩二;佐野文昭;石垣隆士;矢野贤司;中岛浩史 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 1998-08-14 - 公布日： 2002-12-25 - 主分类号： F04C18/02 文献下载
摘要：一种压缩机，具有第一注液路径，第二注液路径，二个第三注液路径和二个第四注液路径，第一注液路径由贯通密闭容器的将压缩机内部和外部联通的配管构成；第二注液路径由与第一注液路径连接的内部有二股分支路径的分支部件构成；二条第三注液路径由分别与第二注液路径的分支路径连接，跟随固定涡壳可作微小振动的配管构成；二条第四注液路径形成在固定涡壳内的同时与第三注液路径连接且与压缩室内导通。
压缩机

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