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[发明专利]一种薄膜体声波谐振器的腔体结构及制造工艺-CN202010094463.4有效
发明人：李林萍;盛荆浩;江舟 -专利权人：见闻录（浙江）半导体有限公司
申请日： 2020-02-15 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜体声波谐振器的腔体结构及制造工艺，通过在布置有牺牲材料层的衬底上布设支撑层以使得支撑层至少覆盖在牺牲材料层的外围的部分上表面，并且支撑层具有开口区域以使得牺牲材料层上表面的剩余部分暴露在外；利用牺牲材料填平支撑层的开口区域；在支撑层和牺牲材料上制作底电极层，底电极层架设在支撑层上；在底电极层上制作压电层和顶电极层；去除全部牺牲材料形成腔体结构。因此大大抑制了薄膜体声波谐振器的寄生电容，可以有效提高器件的机械稳定性，减小膜层的应力变化对器件的谐振性能的影响，可以有效提高谐振器的谐振性能。
一种薄膜声波谐振器结构制造工艺

[发明专利]一种具有加强结构的声波谐振器及其制造方法-CN202111659817.6有效
发明人：李林萍;盛荆浩;江舟 -专利权人：杭州星阖科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本申请提出了一种具有加强结构的声波谐振器，其包括衬底以及形成在衬底上的空腔，衬底上设置有压电层，且压电层的外围区域设有贯穿压电层的开口，加强结构包括加强层，加强层的一部分贴合形成在开口的边缘处以对开口的边缘附近的谐振功能层进行加强，其在空腔释放之后可以减小开口的边缘附近的压电层与下电极的应力变化，从而使得压电层与下电极不容易因应力问题造成坍塌，进而保证器件性能。同时，本申请还提出一种具有加强结构的声波器件的制造方法，该制造方法将上电极和加强层同时形成，不仅制作的加强层具有使压电层与下电极不容易因应力问题造成坍塌的效果，还具有加强层的制作过程简单高效的效果。
一种具有加强结构声波谐振器及其制造方法

[发明专利]晶圆级自屏蔽封装结构及其制作方法-CN202011337031.8有效
发明人：李林萍;盛荆浩;江舟 -专利权人：杭州星阖科技有限公司
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本申请提供一种晶圆级自屏蔽封装结构及其制作方法，所述晶圆级自屏蔽封装结构包括基板和位于基板上的多个第一半导体器件和第二半导体器件，以及屏蔽墙，其中，第二半导体器件包括第一衬底、第一屏蔽层、介质层，以及位于介质层侧壁的第二屏蔽层，屏蔽墙与所述基板上的导电部电性连接，通过在第二半导体器件内部形成第一屏蔽层，结合第二屏蔽层和屏蔽墙，再与基板上的导电部电性连接进行接地，从而使得第二半导体器件本身具有电磁屏蔽结构，然后再将其贴装在基板上后，与其他半导体器件之间形成电磁屏蔽，制作工艺简单、还能起到散热作用，且避免占用产品较多的面积，实现了封装结构的小型化和轻量化。
晶圆级屏蔽封装结构及其制作方法

[发明专利]晶圆级自屏蔽封装结构及其制作方法-CN202011337021.4有效
发明人：李林萍;盛荆浩;江舟 -专利权人：杭州星阖科技有限公司
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本申请提供一种晶圆级自屏蔽封装结构及其制作方法，包括基板和位于基板上的多个第一半导体器件和第二半导体器件，其中，多个第二半导体器件包括衬底和位于衬底侧壁上的第一屏蔽层，晶圆级自屏蔽封装结构还包括屏蔽墙，其中，屏蔽墙同时与基板上的导电部以及衬底侧壁的第一屏蔽层电性连接，衬底背离基板的表面还设置有第二屏蔽层，第二屏蔽层与第一屏蔽层电性连接，通过第一屏蔽层、第二屏蔽层和屏蔽墙与基板上的导电部电性连接进行接地，从而使得第二半导体器件本身具有电磁屏蔽结构，再将其贴装在基板上后，与其他半导体器件之间形成电磁屏蔽，制作工艺简单、还能起到散热作用，且避免占用产品较多的面积，实现了封装结构的小型化和轻量化。
晶圆级屏蔽封装结构及其制作方法

[发明专利]一种体声波谐振器及其制造方法-CN202111598990.X在审
发明人：李林萍;盛荆浩;江舟 -专利权人：杭州星阖科技有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本申请公开了一种体声波谐振器及其制造方法。该谐振器包括形成有声波反射结构的衬底、依次形成在所述声波反射结构上方的底电极层、压电层和顶电极层；从压电层投影到衬底的角度来看，压电层的至少部分区域具有断裂区域，断裂区域具有相对的第一边缘和第二边缘，第一边缘不超过顶电极层的边缘，第二边缘延伸至底电极层的边缘以外，断裂区域内含有不同于构成压电层的材料的轰击离子。本发明通过对声波反射结构的内部延伸至底电极边缘以外的区域的压电层，在一定深度上进行离子轰击，使该区域压电晶体的分子键断裂，来降低或者消除导通效应，可以大大减小谐振器在该区域产生的寄生振荡。
一种声波谐振器及其制造方法

[发明专利]用于MEMS器件的空腔加工工艺、体声波谐振器及其制造工艺-CN202010404255.X有效
发明人：郭海峰;盛荆浩;江舟 -专利权人：见闻录（浙江）半导体有限公司
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：公开了一种用于MEMS器件的空腔加工工艺，包括以下步骤：在衬底上沉积一层掩膜层；利用光刻蚀刻工艺将衬底上将要形成空腔的区域上的掩膜层蚀刻掉；借助APCVD热氧化工艺在将要形成空腔的区域进行蚀刻同时生长形成氧化物；利用湿法工艺将掩膜层去除；在衬底上制作覆盖氧化物的器件功能层后，将氧化物释放。还公开了一种体声波谐振器的制造工艺，采用上述空腔加工工艺在衬底中制造空腔，其中器件功能层为电极层和压电层。同时又公开了一种体声波谐振器，其采用上述工艺制造而成。利用上述工艺可以改善衬底表面粗糙度，并大幅提高产能，适于大批量生产。
用于 mems 器件空腔加工工艺声波谐振器及其制造

[发明专利]一种声波谐振器的制作工艺及声波谐振器-CN202010797111.5有效
发明人：李林萍;盛荆浩;江舟 -专利权人：杭州星阖科技有限公司
申请日： 2020-08-10 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明公开了一种声波谐振器的制作工艺及声波谐振器，该声波谐振器包括衬底、声学镜以及由底电极层、压电层和顶电极层组成的谐振薄膜层，其中谐振薄膜层与声学镜在衬底的厚度方向重叠的区域为投影区域，在谐振薄膜层中具有无定形态部分，无定形态部分的一侧位于投影区域之内或与投影区域的边界重合，无定形态部分的另一侧位于投影区域之外。在优选的实施例中，声学镜包括空腔或布拉格反射层。无定形态部分可以极大地抑制因为顶电极层向外连接而导致的谐振器寄生振荡。在无定形态部分所在的区域可以直接对电极层进行布线，避免了底电极层、顶电极层与压电层在有效谐振区域外产生寄生和谐振干涉，降低了工艺成本和布线设计难度。
一种声波谐振器制作工艺

[发明专利]一种具有散热结构的体声波谐振器及制造工艺-CN202010125577.0有效
发明人：李林萍;盛荆浩;江舟 -专利权人：见闻录（浙江）半导体有限公司
申请日： 2020-02-27 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有散热结构的体声波谐振器及制造工艺，包括衬底、形成在衬底上并且表面设置有绝缘层的金属散热层以及形成在绝缘层上的谐振功能层，金属散热层和绝缘层在衬底上包围形成空腔，谐振功能层中的底电极层覆盖空腔。空腔的周围设置有金属散热层以及金属柱，因此器件在使用过程中能够及时将热量导出，提高器件的使用寿命。该体声波谐振器在结构上尽量避免金属散热层和底电极层以及顶电极层形成电容，减少谐振器寄生电容，有效提高谐振器的性能。而且该器件还可以具有电磁屏蔽结构，基于减少谐振器寄生电容的前提下，使器件在使用过程中具有良好的散热性及抗电磁屏蔽效果，使器件在正常、稳定工作的同时又具有良好的可靠性。
一种具有散热结构声波谐振器制造工艺

[发明专利]布拉格声波反射层结构及其制作方法和固态装配谐振器-CN202010858769.2有效
发明人：李林萍;盛荆浩;江舟 -专利权人：杭州星阖科技有限公司
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：公开了一种布拉格声波反射结构的制作方法，包括在衬底上制作由第一介质层和第二介质层依次叠加而成的反射层组；对反射层组中的第二介质层进行离子注入以增大第二介质层的声阻抗。还公开了一种利用上述方法制造而成的布拉格声波反射层结构，该布拉格反射层结构具有平坦的反射层，以及包括该布拉格声波反射层结构的固态装配谐振器，其还包括设置在布拉格声波反射层上的底电极层、压电层和顶电极层。该布拉格声波反射层结构的工艺无需使用蚀刻以及CMP工艺，成本大幅减少，利用离子注入的工艺在制备高质量的高声阻抗介质反射层的同时未被注入区域因具有绝缘性抑制了寄生电容的产生，且能够获得高频率和超高频率的声波谐振器的反射层。
布拉格声波反射层结构及其制作方法固态装配谐振器

[发明专利]一种体声波谐振器及其制作方法-CN202110598312.7有效
发明人：李林萍;盛荆浩;江舟 -专利权人：杭州星阖科技有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本申请公开了一种体声波谐振器，包括衬底和设置在衬底上的谐振功能层，谐振功能层与衬底包围形成谐振腔，谐振功能层包括依次形成在衬底上的底电极层、压电层和顶电极层，还包括在谐振腔周边形成的释放腔，释放腔与谐振腔位于不同平面且相互错位连通。还公开了一种用于体声波谐振器的制作方法，在衬底的表面上制作一个或多个凹槽，沉积牺牲材料以填充凹槽并在衬底表面形成至少覆盖凹槽之间的衬底表面和部分凹槽牺牲层，依次形成底电极、压电层和顶电极层，利用释放药液经由从底电极层未覆盖区域穿过压电层以到达凹槽对应位置释放孔释放牺牲材料。本申请避免了牺牲层释放过程中应力突变的问题，空腔结构稳定性和器件谐振性能的一致性得到显著提升。
一种声波谐振器及其制作方法

[发明专利]一种声学谐振器组件及滤波器-CN202010990291.9有效
发明人：李林萍;盛荆浩;江舟 -专利权人：杭州星阖科技有限公司
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：本发明公开了一种声学谐振器组件及滤波器，声学谐振器组件包括至少两个相互垂直连接的声学谐振器，声学谐振器包括：分别设置在衬底上的声学镜、底电极层、压电层以及顶电极层，声学谐振器的有效区域由声学镜、底电极层、压电层和顶电极层的重叠部分定义，声学谐振器还包括支撑层，其设置在声学镜投影于衬底的区域外围的衬底或压电层上，至少两个相互垂直连接的声学谐振器通过在支撑层上进行连接。本发明加工的滤波器显著降低器件的体积65％以及面积40％，提升了设计自由度而降低设计难度，优化了工艺制程并提高工艺兼容性，增强了产品性能又大幅度降低成本。
一种声学谐振器组件滤波器

[发明专利]一种体声波谐振器的平坦压电层结构及制作工艺-CN202010056383.X有效
发明人：李林萍;盛荆浩;江舟 -专利权人：见闻录（浙江）半导体有限公司
申请日： 2020-01-18 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种体声波谐振器的平坦压电层结构及制作工艺，通过在衬底上形成空腔；在空腔中填充牺牲材料；在被填充后的空腔上制作底电极层；在底电极层周围依次施加阻挡层和介质层以使得阻挡层和介质层构成的复合层的表面与底电极层的表面保持平坦；以及在复合层和底电极层的表面上制作压电层以使得压电层不接触衬底。提高压电层的应力一致性，减小压电层的应力影响，使器件的机电耦合系数控制在最佳范围，提高谐振器品质因素、器件良率和器件成品的一致性和可靠性，并且使有效谐振面积更大更接近空腔但不超出空腔，可以减小器件尺寸。通过设置种子层和钝化层可以保护底电极层和顶电极层，并且将底电极层制作在谐振器的内部，并保持机械稳定性。
一种声波谐振器平坦压电结构制作工艺

[发明专利]叉指电极结构及其制造方法和具有该结构的声表面波器件-CN202010761971.3有效
发明人：李林萍;盛荆浩;江舟 -专利权人：见闻录（浙江）半导体有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：公开了一种叉指电极结构，叉指电极结构被设置在衬底上，其中叉指电极结构中的叉指电极的末端被离子注入以形成掺杂部。还公开了一种声表面波器件，其包括以上叉指电极结构，声表面波器件为滤波器或谐振器。另外，还公开了一种用于制造叉指电极结构的方法，包括制备具有压电层的衬底；在衬底上制作叉指电极；以及对叉指电极进行离子注入以在叉指电极的末端形成掺杂部。通过在叉指电极末端进行离子注入形成掺杂部，在不变剂加权、不调整叉指电极厚度等前提下改善了电极末端的电场梯度变化，抑制寄生振荡，最终提升声表面波器件的性能。
电极结构及其制造方法具有表面波器件

[发明专利]一种体声波谐振器的电极结构及制作工艺-CN202010476599.1有效
发明人：李林萍;盛荆浩;江舟 -专利权人：见闻录（浙江）半导体有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种体声波谐振器的电极结构及制作工艺，包括依次层叠形成的底电极层、压电层和顶电极层，在压电层上形成有包覆顶电极层的至少一个侧边的声波反射挡沿，声波反射挡沿从顶电极层的侧边延伸到顶电极层的顶部边缘形成质量负载层，声波反射挡沿的外侧边缘在压电层上的投影区域完全位于底电极层的区域范围内。通过顶电极层边缘的高低声阻抗交替形成的声波反射挡沿反射横波，避免横波从谐振器边缘泄露而带走能量，提升器件性能。优选地，以简单的工艺在制作声波反射挡沿的同时既能形成质量负载层又能形成顶电极电性连接其它谐振器的连接部。
一种声波谐振器电极结构制作工艺

[发明专利]一种体声波谐振器的空腔结构及制作工艺-CN202010595466.6有效
发明人：李林萍;盛荆浩;江舟 -专利权人：见闻录（浙江）半导体有限公司
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明公开了提出了一种体声波谐振器的空腔结构及制作工艺，包括衬底、形成在衬底上的空腔，衬底上设置有支撑层以包围形成空腔，在衬底上方与空腔同层形成有连通空腔的释放通道，释放通道平行于衬底在空腔周围延伸，其中，交错的释放通道可依谐振器的分布位置设计。无需做释放孔简化了谐振器的制作工艺，避免了制作释放孔时使电极层周围的压电层结构遭受破坏而带来的谐振器性能削弱。并且可以设计电极层周围的释放通道的形状，调节电极层周围的压电层应力可以达到改善谐振器性能的效果。因此既能在不破坏压电层结构的前提下完成空腔释放，又能通过空腔结构设计调节压电层应力。
一种声波谐振器空腔结构制作工艺

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