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[发明专利]半导体发光装置和包括半导体发光装置的发光装置组件-CN202310039587.6在审
发明人：李性郁;皇甫秀珉;金桑贤;金有正;李政昱;崔慜煜 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-01-11 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：提供了一种半导体发光装置和一种发光装置组件。该半导体发光装置包括：基础层；发光结构，其包括具有第一导电性的第一半导体层、有源层、和具有与第一导电性不同的第二电导率的第二半导体层；发光结构上的波长转换层；分离壁，其设置为邻近于波长转换层的侧表面；第一电极金属层，其在第一半导体层的下表面上，第一电极金属层包括反射结构；以及第二电极金属层，其经由穿过第一电极金属层、第一半导体层和有源层并且暴露第二半导体层的通孔电连接至第二半导体层，其中，半导体发光装置被配置为基于调整第二半导体层的上表面上的发光结构、反射结构、分离壁和发光结构中包括的结构中的至少一个在第一方向上实施渐变。
半导体发光装置包括组件

[发明专利]半导体发光元件和发光装置及制造半导体发光元件的方法-CN201811214372.9有效
发明人：梁钟隣;金泰亨;宋光珉;李承桓;林完泰;韩世俊;洪玄权;皇甫秀珉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-06-13 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体发光元件和发光装置，所述半导体发光元件包括发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。第一电极结构包括与所述第一导电类型半导体层连接的导电通路。第二电极结构与第二导电类型半导体层连接。具有开口区域的绝缘部件在覆盖第一电极结构和第二电极结构的同时以该开口区域暴露出第一电极结构和第二电极结构的一部分。第一焊盘电极和第二焊盘电极分别形成在通过开口区域暴露出来的第一电极结构和第二电极结构的部分上并且分别与第一电极结构和第二电极结构连接。
半导体发光元件装置制造方法

[发明专利]半导体发光元件和发光装置-CN201310233356.5有效
发明人：梁钟隣;金泰亨;宋光珉;李承桓;林完泰;韩世俊;洪玄权;皇甫秀珉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-06-13 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明涉及半导体发光元件和发光装置，所述半导体发光元件包括发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。第一电极结构包括与所述第一导电类型半导体层连接的导电通路。第二电极结构与第二导电类型半导体层连接。具有开口区域的绝缘部件在覆盖第一电极结构和第二电极结构的同时以该开口区域暴露出第一电极结构和第二电极结构的一部分。第一焊盘电极和第二焊盘电极分别形成在通过开口区域暴露出来的第一电极结构和第二电极结构的部分上并且分别与第一电极结构和第二电极结构连接。
半导体发光元件装置

[发明专利]半导体发光器件及其制造方法-CN201310513215.9有效
发明人：金台勋;金成埈;金容一;柳荣浩;孙明洛;李守烈;李承桓;张泰盛;皇甫秀珉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-10-25 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了半导体发光器件及其制造方法，其中的一种制造半导体发光器件的方法包括在半导体单晶生长衬底上形成隔离图案。在半导体单晶生长衬底上由隔离图案限定的一个芯片单元区域中顺序生长第一导电型半导体层、有源层、和第二导电型半导体层，并且形成反射金属层以覆盖发光结构和隔离图案。在反射金属层上形成支撑衬底，并且从发光结构上去除半导体单晶生长衬底。然后将支撑衬底切割为单独的发光器件。
半导体发光器件及其制造方法