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[发明专利]互补电流场效应晶体管装置及放大器-CN201580083441.5有效
发明人： R·C·朔贝尔;S·M·朔贝尔 -专利权人： 电路种子有限责任公司
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H03K19/094 文献下载
摘要：本发明涉及新颖及发明性复合装置结构，从而实现利用亚阈值操作的基于电荷的方法，以用于设计模拟CMOS电路。确切地说，本发明涉及基于一对互补n型及p型电流场效应晶体管的固态装置，所述电流场效应晶体管中的每一个具有两个控制端口，亦即低阻端口和栅控端口，而常规固态装置具有一个控制端口，亦即栅控端口。这种新颖固态装置提供优于所述常规装置的各种改良。
互补电流场效应晶体管装置放大器

[发明专利]场效应晶体管-CN202010715844.X在审
发明人： S·M·朔贝尔;R·C·朔贝尔 -专利权人： 电路种子有限责任公司
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明涉及一种场效应晶体管，其包括：a.源极扩散，其连接于源极端子；b.漏极扩散，其连接于漏极端子；c.第三扩散，其连接于双向电流端口，介于所述源极扩散和所述漏极扩散之间，用于在所述源极扩散和所述第三扩散之间界定源极沟道部分并且在所述漏极扩散和所述第三扩散之间界定漏极沟道部分；d.栅极，其与所述源极沟道部分和所述漏极沟道部分电容耦合；其中，所述源极沟道部分的宽度与长度之比不同于所述漏极沟道部分的宽度与长度之比。
场效应晶体管

[发明专利]过饱和电流场效应晶体管和跨阻抗MOS装置-CN201680056648.8有效
发明人： S·M·朔贝尔;R·C·朔贝尔 -专利权人： 电路种子有限责任公司
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明涉及对基于新颖及创造性复合装置结构的电流场效应晶体管和跨阻抗MOS装置的改进，所述复合装置结构实现基于电荷的利用亚阈值操作的方法，所述方法用于设计模拟CMOS电路。本发明进一步涉及过饱和电流场效应晶体管(xiFET)，其具有源极、漏极、扩散、第一栅极和第二栅极端子，其中源极沟道界定于所述源极端子与所述扩散端子之间，漏极沟道界定于所述漏极端子与所述扩散端子之间。所述第一栅极端子电容耦合到所述源极沟道；且所述第二栅极端子电容耦合到所述漏极沟道。所述扩散端子接收引起整个所述源极和漏极沟道中的扩散电荷密度的改变的电流。所述xiFET提供用于设计各种模拟电路的基本构建块。
过饱和电流场效应晶体管阻抗 mos 装置

[发明专利]固态装置-CN201910936750.2在审
发明人： R·C·朔贝尔;S·M·朔贝尔 -专利权人： 电路种子有限责任公司
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H03K19/094 文献下载
摘要：本发明涉及一种固态装置，其是新颖及发明性复合装置结构，从而实现利用亚阈值操作的基于电荷的方法，以用于设计模拟CMOS电路。确切地说，本发明涉及基于一对互补n型及p型电流场效应晶体管的固态装置，所述电流场效应晶体管中的每一个具有两个控制端口，亦即低阻端口和栅控端口，而常规固态装置具有一个控制端口，亦即栅控端口。这种新颖固态装置提供优于所述常规装置的各种改良。
固态装置

[发明专利]使用互补对的电流注入场效应晶体管装置的低噪声传感器放大器和跨阻抗放大器-CN201780082331.6在审
发明人： S·M·朔贝尔;R·C·朔贝尔;T·R·哈德里克 -专利权人： 电路种子有限责任公司
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本发明涉及使用互补对的电流注入场效应晶体管(iFET)装置(CiFET)的低噪声传感器放大器和跨阻抗放大器。CiFET包括N型电流场效应晶体管(NiFET)和P型电流场效应晶体管(PiFET)，所述NiFET和PiFET中的每一个都具有源极、漏极、栅极和扩散(电流注入)端子(iPort)。每个iFET还具有在所述源极和扩散端子之间具有宽度和长度的源极沟道，以及在所述漏极和所述扩散端子之间具有宽度和长度的漏极沟道。通过所述iFET的源极沟道的宽度/长度与漏极沟道的宽度/长度的比率和电源电压来调节所述CiFET装置的跨阻抗。在一种配置中，所述NiFET和PiFET的所述栅极端子连接在一起以形成公共栅极。在另一种配置中，所述公共栅极被配置为用于高输入阻抗模式的电压输入端。输出电压在共模电压周围发生摆动。
沟道漏极源极场效应晶体管传感器放大器跨阻抗放大器效应晶体管公共栅极低噪声扩散配置电压输入端高输入阻抗电源电压共模电压输出电压栅极端子摆动阻抗

[发明专利]可扩展集成数据转换器-CN201680082037.0在审
发明人： S·M·朔贝尔;R·C·朔贝尔 -专利权人： 电路种子有限责任公司
申请日： 2016-12-19 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H03M1/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成数据转换器，具体地涉及使用基于电荷的方法的模数转换器(ADC)和数模转换器(DAC)。电流场效应晶体管的互补对用于形成可扩展ADC的放大器，并且公开了DAC，包含逐次逼近数据转换器(ADC和DAC)和流水线数据转换器(ADC和DAC)。
转换器集成数据可扩展放大器流水线数据模数转换器数据转换器效应晶体管模转换器逐次逼近电荷电流场

[发明专利]基于互补电流场效应晶体管装置的参考产生器和电流源晶体管-CN201680056758.4在审
发明人： S·M·朔贝尔;R·C·朔贝尔 -专利权人： 电路种子有限责任公司
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：现有的与绝对温度成比例(PTAT)/与绝对温度互补(CTAT)参考电压电路需要一种对准确度和对温度及湿度的不符合要求的灵敏度误差或变化进行匹配的较大组件计数和占地面积的精确装置。本发明涉及一种用于这种基于一对自偏置互补的n型和P型电流场效应晶体管的参考电压电路的新颖方法，所述方法提供轨道PTAT、轨道CTAT和模拟参考电压。
参考电压电路场效应晶体管装置场效应晶体管电流源晶体管模拟参考电压参考产生器灵敏度误差准确度互补电流大组件自偏置轨道匹配

[发明专利]基于互补电流场效应晶体管装置的低噪声跨阻抗放大器-CN201680056646.9在审
发明人： S·M·朔贝尔;R·C·朔贝尔 -专利权人： 电路种子有限责任公司
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H03F1/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于低噪声电流放大器或跨阻抗放大器的新颖和创造性的复合装置结构。所述跨阻抗放大器包含：放大器部分，所述放大器部分使用一对互补的新颖n型和p型电流场效应晶体管(NiFET和PiFET)来将电流输入转换为电压；以及使用另一对互补的NiFET和PiFET的偏置产生部分。可通过源极沟道的宽度(W)长度(L)比与漏极沟道的宽度(W)长度(L)比的比率(源极沟道的W/L/漏极沟道的W/L)来配置和编程NiFET和PiFET的跨阻抗以及其增益。
沟道跨阻抗放大器放大器低噪声漏极源极场效应晶体管装置场效应晶体管电流放大器复合装置互补电流输入转换偏置阻抗编程配置

[发明专利]多级式且前馈补偿的互补电流场效应晶体管放大器-CN201680056749.5在审
发明人： S·M·朔贝尔;R·C·朔贝尔 -专利权人： 电路种子有限责任公司
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H03F1/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种多级式且前馈补偿的互补电流场效应晶体管放大器，实现利用在亚阈值操作中引发的指数属性的基于充电的方法。新颖电流场效应晶体管的多个互补对串联连接以形成多级放大器。
场效应晶体管放大器互补电流前馈补偿多级式多级放大器效应晶体管阈值操作电流场充电

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