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[发明专利]一种过滤装置及生活污泥改性加工设备-CN202211267225.4在审
发明人：胡跃伟;陈兴华;洪斌;王玉才;齐先田;杨婷婷;申广耀 -专利权人：商丘中电环保发电有限公司;平顶山市华兴浮选工程技术服务有限公司
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： B01D25/32 文献下载
摘要：本发明涉及污泥处理相关技术领域，具体为一种过滤装置，过滤装置包括压滤板、龙门支架、前位清理组件和后位清理组件，压滤板设置在压滤机的压滤腔之中，且压滤板在压滤腔之中均布设置有多块，龙门支架活动安装在压滤机上，且龙门支架通过驱动结构进行驱动，前位清理组件通过一级液压组件安装在龙门支架的横梁上，且前位清理组件由安装架、清理喷头和清理刷组合构成，安装架上固定连接有安装板；通过设置由压滤板、龙门支架、前位清理组件和后位清理组件组合构成的过滤装置，以通过前位清理组件和后位清理组件对压滤板的表面进行清洁，以避免人工清理压滤板效率过慢及清理效果较差的问题，从而达到提高污泥压滤浓缩效率的目的。
一种过滤装置生活污泥改性加工设备

[实用新型]一种吊挂式悬窗玻璃幕墙清洗机-CN202220255620.X有效
发明人：王松正;王松录;王春辉;杨振江;王沛;杨婷婷;王常春;申广耀;刘彦锋 -专利权人：商丘中电环保发电有限公司
申请日： 2022-02-08 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： E04G23/00 文献下载
摘要：本实用新型属于玻璃幕墙清洗机技术领域，且公开了一种吊挂式悬窗玻璃幕墙清洗机，包括悬臂上横梁，所述悬臂上横梁的一侧设置有吊挂托架，所述吊挂托架上安装有电缆水管托架和上轨道梁，所述上轨道梁位于电缆水管托架的下方，所述上轨道梁上安装有行走机架，所述行走机架上安装有悬臂行走定位轮，所述行走机架上设置有行走减速机，所述行走减速机的一侧设置有伺服电机；通过设置的行走机架和吊挂托架来便于使用，设置的吊挂托架能够安装在悬臂上横梁上，从而伸出玻璃幕墙外进行作业，配合设置的行走机架即可使清洗部位在玻璃幕墙外进行自由移动，从而对玻璃幕墙进行快速的自动化的清洗，解决人工清洗不便，高空作业不安全的问题。
一种吊挂窗玻璃幕墙清洗

[发明专利]一种吊挂式悬窗玻璃幕墙清洗机-CN202210118588.5在审
发明人：王松正;王松录;王春辉;杨振江;王沛;杨婷婷;王常春;申广耀;刘彦锋 -专利权人：商丘中电环保发电有限公司
申请日： 2022-02-08 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： E04G23/00 文献下载
摘要：本发明属于玻璃幕墙清洗机技术领域，且公开了一种吊挂式悬窗玻璃幕墙清洗机，包括悬臂上横梁，所述悬臂上横梁的一侧设置有吊挂托架，所述吊挂托架上安装有电缆水管托架和上轨道梁，所述上轨道梁位于电缆水管托架的下方，所述上轨道梁上安装有行走机架，所述行走机架上安装有悬臂行走定位轮，所述行走机架上设置有行走减速机，所述行走减速机的一侧设置有伺服电机；通过设置的行走机架和吊挂托架来便于使用，设置的吊挂托架能够安装在悬臂上横梁上，从而伸出玻璃幕墙外进行作业，配合设置的行走机架即可使清洗部位在玻璃幕墙外进行自由移动，从而对玻璃幕墙进行快速的自动化的清洗，解决人工清洗不便，高空作业不安全的问题。
一种吊挂窗玻璃幕墙清洗

[发明专利]一种光刻套刻精度差的优化方法-CN201711393107.7在审
发明人：王青;孙勤;高杏;申广耀 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开一种光刻套刻精度差的优化方法。所述光刻套刻精度差的优化方法，包括，步骤S1：提供硅基衬底，并在硅基衬底上制备具有硅化物膜层‑氧化物膜层‑氮化物膜层结构的功能膜层；步骤S2：在功能膜层之异于硅基衬底的一侧淀积底层抗反射涂层，并通过光刻工艺定义单元区域；步骤S3：利用刻蚀工艺将单元区域以外部分的氮化物膜层刻蚀去除，将单元区域的结构进行保留；步骤S4：通过ISSG工艺，分步氧化功能膜层之氮化物膜层，以获得顶层氧化物层。本发明通过ISSG工艺，分步氧化所述功能膜层之氮化物膜层，以获得顶层氧化物层，不仅可以改善SONOS结构的eflash产品工艺流程中由热应力造成的光刻套刻精度差的温度，而且极大的提出产品良率，保证产品性能。
氮化物膜层光刻套刻功能膜层硅基衬单元区域氧化物层顶层优化底层抗反射涂层氧化物膜层产品良率产品性能定义单元光刻工艺硅化物膜刻蚀工艺氧化功能工艺流程热应力淀积刻蚀膜层去除制备保留保证

[发明专利]一种改善多晶硅表面粗糙度的工艺方法-CN201610835268.6在审
发明人：高杏;孙勤;申广耀 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-09-20 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种改善多晶硅表面粗糙度的工艺方法，包括采用中高温多晶硅沉积工艺形成闪存器件的浮栅或控制栅的多晶硅层、采用超快退火工艺对所述浮栅或控制栅表面沉积的多晶硅薄膜进行再处理以及随后进行闪存器件原本工艺流程等步骤；超快退火工艺传送一定量的能量至硅片表面以熔融某些预期多晶硅区域，进行再结晶；重新结晶后的多晶硅粒趋向单晶转变，其表面趋向于更平坦。因此，本发明在不改变闪存器件的浮栅或控制栅的多晶硅薄膜沉积条件下(高于或等于600摄氏度)形成多晶硅薄膜后，通过增加激光退火表现处理，对多晶硅薄膜表面进行再处理，从而达到改善多晶硅薄膜表面粗糙度的目的。
一种改善多晶表面粗糙工艺方法

[发明专利]一种提高闪存低温数据存储特性的方法-CN201610511071.7在审
发明人： 申广耀;孙勤;江润峰;胡荣;高杏 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高闪存低温数据存储特性的方法，包括：第一步骤：在硅衬底上，利用N₂O退火进行退火处理，生长一层掺氮氧化层；第二步骤：利用ISSG通入H₂和O₂，生长氧化层作为隧道氧化层，由此掺氮氧化层与隧道氧化层形成总氧化层；第三步骤：在总氧化层上生长多晶硅作为浮栅层；第四步骤：在浮栅层上生长ONO结构的多晶硅间电介质层，用于保证浮栅中电子的存储；第五步骤：在多晶硅间电介质层上形成控制栅多晶硅层。
一种提高闪存低温数据存储特性方法