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[发明专利]一种垃圾沥滤液的高效处理方法-CN201811128078.6在审
发明人：李梦红;田贵山;李旭东 -专利权人：山东理工大学
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： C02F9/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种垃圾沥滤液的高效处理方法。包括以下步骤：（1）调节池，调节垃圾沥滤液的水质水量；（2）经过调节池调节后进入预处理系统，预处理由“混凝沉淀+芬顿”组成，去除部分COD，并提高废水的可生化性；（3）滤液经预处理后进入膜生物反应器（MBR）,进一步去除COD，并脱除氨氮；（4）MBR出水进入砂滤池，进一步除去浊度；（5）最后经过反渗透膜,使污水达标排放。本发明的预处理系统可将大分子的有机物降解为小分子，替代了厌氧系统，克服了温度、pH等对厌氧污泥的影响，COD含量可降至一半左右，效果稳定可靠，出水达标排放，且不受周围温度等环境的影响，适用于寒冷气候地区。
垃圾沥滤液预处理预处理系统达标排放高效处理调节池出水去除寒冷气候膜生物反应器有机物降解反渗透膜混凝沉淀可生化性水质水量效果稳定厌氧污泥厌氧系统砂滤池小分子氨氮脱除浊度废水污水替代

[发明专利]一种垃圾沥滤液的处理方法-CN201811128081.8在审
发明人：李梦红;田贵山;李旭东 -专利权人：山东理工大学
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： C02F9/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种垃圾沥滤液的处理方法。包括以下步骤：（1）调节池，采用回流水进行稀释，调节水质水量；（2）再经过预处理系统，预处理系统依次由混凝池、芬顿池、沉淀池组成，去除部分COD及金属离子；（3）滤液再经过膜生物反应器（MBR），进一步降低COD，并去除氨氮；（4）再经过砂滤池，进一步除去SS，反冲洗废水引入步骤（1）调节池中；（5）滤液再经过反渗透膜（DTRO）,使滤液达标排放，膜浓缩液和膜清洗液回流至步骤（1）调节池中。本发明可以将含有高浓度有机物和氨氮的垃圾沥滤液进行有效处理，出水达到国家达标排放，并且使膜浓缩液真正达到循环处理，不外排，解决了膜浓缩液处理难，成本高的实际问题。
垃圾沥滤液膜浓缩液调节池预处理系统达标排放氨氮去除高浓度有机物膜生物反应器清洗液回流反渗透膜金属离子实际问题水质水量循环处理有效处理沉淀池反冲洗芬顿池回流水混凝池砂滤池稀释出水外排废水引入

[发明专利]一种垃圾沥滤液的处理系统及装置-CN201811161452.2在审
发明人：李梦红;田贵山;李旭东 -专利权人：山东理工大学
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： C02F9/14 文献下载
摘要：本发明公开并提供了一种工艺流程简单、设备成本低、处理效果稳定、并能彻底实现垃圾沥滤液浓缩液循环处理的处理工艺及其处理装置。其中垃圾沥滤液处理装置包括依次相连接的调节池、混凝池、芬顿池、沉淀池、膜生物反应器（MBR）、砂滤池、反渗透膜（DTRO），其中所述调节池分别与所述砂滤池以及所述反渗透膜（DTRO）相连，所述垃圾沥滤液处理装置还包括鼓风系统、加药系统和带式污泥压滤机，其中所述鼓风系统与所述膜生物反应器（MBR）相连，所述加药系统分别所述混凝池、所述芬顿池、所述沉淀池相连，所述带式污泥压滤机分别与所述混凝池、所述芬顿池、所述沉淀池以及所述调节池相连，所述调节池又与垃圾中转站污水储存池相连。本发明适用于垃圾中转站的垃圾沥滤液处理领域。
垃圾沥滤液调节池处理装置沉淀池芬顿池混凝池膜生物反应器垃圾中转站污泥压滤机反渗透膜鼓风系统加药系统砂滤池带式污水储存池处理工艺处理系统设备成本效果稳定循环处理工艺流程浓缩液

[发明专利]液相烧结多通道碳化硅陶瓷膜支撑体及其制备方法-CN201810075180.8在审
发明人： 田贵山;李双 -专利权人：山东理工大学
申请日： 2018-01-26 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： C04B35/577 文献下载
摘要：本发明提供液相烧结多通道碳化硅陶瓷膜支撑体及其制备方法，支撑体的制备方法包括：称取碳化硅粉Ⅰ、高岭土、滑石、造孔剂和第一结合剂，与水配置成泥料并成型，经过烧结得到液相烧结多通道碳化硅陶瓷膜支撑体，其中，所述支撑体的烧结温度为1500℃以下。由于所述支撑体的原料中含有高岭土和滑石，利用液相烧结有效地降低了烧结温度，同时，高岭土、滑石与碳化硅液相烧结得到的多通道碳化硅陶瓷膜支撑体具有很高的强度。根据本发明获得的多通道碳化硅陶瓷膜支撑体，抗弯强度大于100MPa，孔隙率在35％～45％之间，可在pH＝0～14的酸碱环境中应用，耐受各种溶剂和各种浓度氧化剂；使用温度可以达到800～1000℃。
支撑体碳化硅陶瓷膜液相烧结多通道滑石高岭土烧结制备氧化剂酸碱环境碳化硅粉结合剂孔隙率碳化硅有效地造孔剂称取抗弯耐受泥料溶剂成型配置应用

[发明专利]液相烧结多通道碳化硅陶瓷膜元件及其制备方法-CN201810075191.6在审
发明人： 田贵山;李双 -专利权人：山东理工大学
申请日： 2018-01-26 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明提供液相烧结多通道碳化硅陶瓷膜元件及其制备方法，制备方法包括如下步骤：支撑体的制备、过渡层的制备、以及表面膜层的制备，其中，所述支撑体的原料中含有高岭土和滑石，所述过渡层的原料中含有高岭土。根据本发明的制备方法，支撑体及过渡层利用液相烧结有效地降低了烧结温度，而表面膜层通过使用微细的碳化硅粉，在保证分离膜亲水性的同时也有效降低了烧结温度。根据本发明获得的多通道碳化硅陶瓷膜元件，碳化硅陶瓷膜与水的润湿角仅为0.3°，抗弯强度大于100MPa；所制备的陶瓷膜元件孔隙率在35％～45％之间，可在pH＝0～14的酸碱环境中应用，耐受各种溶剂和各种浓度氧化剂；使用温度可以达到800～1000℃。
制备碳化硅陶瓷膜液相烧结多通道过渡层支撑体高岭土表面膜层烧结氧化剂滑石陶瓷膜元件酸碱环境碳化硅粉微细分离膜孔隙率亲水性润湿角有效地抗弯耐受溶剂应用保证

[发明专利]纯碳化硅陶瓷膜元件及其制备方法-CN201810075163.4在审
发明人：李双;田贵山;孟子霖;张茜;魏春城;周丽娟 -专利权人：山东理工大学
申请日： 2018-01-26 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： B01D71/02 文献下载
摘要：本发明提供一种纯碳化硅陶瓷膜元件及其制备方法，包括如下步骤：支撑体的制备、过渡层的制备、以及表面膜层的制备。其中，不同层采用不同粒径的碳化硅粉体和聚碳硅烷制备而成，且使用聚碳硅烷作为碳化硅的前驱体。根据本发明获得的纯碳化硅陶瓷膜元件，由于使用聚碳硅烷作为碳化硅的前驱体，聚碳硅烷能在较低的热处理温度下分解产生高活性碳化硅，分解产生的碳化硅作为高温结合剂连接初始碳化硅，因此该方法制备的全碳化硅陶瓷膜具有抗折强度高、烧结温度低的特点。此外，所制备得到的碳化硅陶瓷膜由纯碳化硅组成，表现为较强的亲水憎油特性；良好的机械性能，较高的膜通量，以及很强的化学稳定性。
制备碳化硅纯碳化硅聚碳硅烷陶瓷膜元件碳化硅陶瓷膜前驱体机械性能分解高温结合剂化学稳定性碳化硅粉体热处理表面膜层连接初始烧结高活性过渡层膜通量支撑体抗折粒径亲水憎油表现

[发明专利]硼化锆-氮化硼二元导电陶瓷蒸发舟的制备工艺-CN201410467239.X在审
发明人：孟凡涛;田贵山;魏春城 -专利权人：山东理工大学
申请日： 2014-09-15 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明涉及硼化锆-氮化硼二元导电陶瓷蒸发舟的制备工艺，属于陶瓷材料制备领域，其特征在于采用以下步骤：（1）将原料硼化锆、氮化硼和高温烧结助剂按重量百分比为：55～65%：30～40%：3～7%混合，加入无水乙醇球磨1～3天得到混合均匀的料浆；（2）料浆在旋转蒸发器上蒸发烘干，然后研磨得到混合粉料；（3）再将混合粉料装入表面涂覆氮化硼的石墨磨具中，在氩气气氛下热压烧结，烧结温度为1800～1900℃，保温0.5～2h，压力为20～40MPa，即得硼化锆-氮化硼二元导电陶瓷蒸发舟。本发明制备工艺简单、所得材料可加工性强，使用寿命长，适用于大规模生产。
硼化锆氮化二元导电陶瓷蒸发制备工艺

[发明专利]碳化锆-碳化硅-氮化硼三元导电陶瓷蒸发舟的制备工艺-CN201410466729.8在审
发明人：牛金叶;田贵山;魏春城 -专利权人：山东理工大学
申请日： 2014-09-15 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： C04B35/56 文献下载
摘要：本发明涉及碳化锆-碳化硅-氮化硼三元导电陶瓷蒸发舟的制备工艺，属于陶瓷材料制备领域，其特征在于采用以下步骤：（1）将原料碳化锆、碳化硅、氮化硼和高温烧结助剂按重量百分比为：50～60%：5～15%：25～35%：2～5%混合，加入无水乙醇球磨1～3天得到混合均匀的料浆；（2）料浆在旋转蒸发器上蒸发烘干，然后研磨得到混合粉料；（3）再将混合粉料装入石墨磨具中，在氩气气氛下热压烧结，烧结温度为1900～2000℃，压力为20～40MPa，即得碳化锆-碳化硅-氮化硼三元导电陶瓷；（4）导电陶瓷经过机械切割、磨、铣即得碳化锆-碳化硅-氮化硼三元导电陶瓷蒸发舟。本发明制备工艺简单、所得材料可加工性强，使用寿命长，适用于大规模生产。
碳化碳化硅氮化三元导电陶瓷蒸发制备工艺

[发明专利]注凝成型制备高温气体净化用陶瓷过滤元件的方法-CN201110182174.0无效
发明人：魏春城;张艳平;郑明文;于萧;田贵山;冯柳 -专利权人：山东理工大学
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： C04B38/00 文献下载
摘要：本发明提供一种注凝成型制备高温气体净化用陶瓷过滤元件的方法，步骤是：(1)配料，陶瓷过滤元件为上中下3层，下层粉料组成是粒度为100～150μm的骨料、高温结合剂和增孔剂；中层粉料组成是粒度为40～100μm的骨料和高温结合剂；上层为凸台，粉料组成是粒度为10～40μm的骨料和高温结合剂；将3层粉料分别分散在有机溶液中真空搅拌均匀形成混合液；(2)坯体成型，在三种混合液中分别加入引发剂和催化剂，混合成三种凝胶，先将下层凝胶倒入模具中固化，再倒入中层凝胶固化，最后倒入上层凝胶固化，脱模后得到陶瓷过滤元件坯体；(3)烧结，将坯体室温干燥后烧结，制得陶瓷过滤元件。采用本发明制备的陶瓷过滤元件的凸台致密性高、强度大、使用寿命长。
凝成制备高温气体净化陶瓷过滤元件方法

[发明专利]等静压法制备高温气体净化用陶瓷过滤元件的方法-CN201110182187.8无效
发明人：魏春城;郑明文;张艳平;于萧;田贵山;牛金叶 -专利权人：山东理工大学
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： C04B38/06 文献下载
摘要：本发明提供一种等静压法制备高温气体净化用陶瓷过滤元件的方法，其特征在于：梯度孔陶瓷过滤元件为上下梯度，层数为3层，下层的组成是粒度为10～40μm的骨料、高温结合剂、成型结合剂，中层的组成是粒度为40～80μm的骨料、高温结合剂、成型结合剂和增孔剂，上层的组成是粒度为80～150μm的骨料、高温结合剂、成型结合剂和增孔剂，各层另外添加总重量的2～6％的水，先将配比好的上、中、下层粉料分别在混料机中搅拌均匀后过筛，然后依次将下层、中层、上层粉料装入模具中，等静压成型，制备出坯体，室温干燥，然后烧结，即制得具有上下梯度结构的陶瓷过滤元件。本发明制备的陶瓷过滤元件抗弯曲性强，密封容易，使用寿命长。
静压法制高温气体净化陶瓷过滤元件方法

[发明专利]具有隔热功能的层状硼化锆复合材料的制备方法-CN201010622372.X无效
发明人：魏春城;田贵山;孟凡涛;牛金叶 -专利权人：山东理工大学
申请日： 2010-12-30 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： C04B35/66 文献下载
摘要：本发明提供一种具有隔热功能的层状硼化锆复合材料的制备方法，其特征在于采用以下步骤：1)采用流延法分别制备硼化锆流延片与氧化锆流延片：先将粘结剂和增塑剂加入溶剂中搅拌均匀，再分别加入硼化锆陶瓷粉料和氧化锆陶瓷粉料、搅拌均匀，形成流延料，然后流延成型，室温干燥脱模后分别得到200～1000μm厚的硼化锆流延片和20～100μm厚的氧化锆流延片；2)对硼化锆流延片和氧化锆流延片依照模具大小分别切片；3)将硼化锆片和氧化锆片交替叠加放入石墨磨具中，真空脱脂；4)在氩气气氛下热压烧结，制备出具有隔热功能的层状硼化锆复合材料，室温时，垂直于层方向的热传导为8w/m·k。本发明制备工艺简单、成本低，弯曲强度较高，断裂韧性高达14.7MPa·m1/2。
具有隔热功能层状硼化锆复合材料制备方法

[发明专利]硼化锆-碳化硅/氮化硼层状超高温陶瓷的制备方法-CN201010622365.X无效
发明人：魏春城;董抒华;周立娟;田贵山 -专利权人：山东理工大学
申请日： 2010-12-30 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： C04B35/66 文献下载
摘要：本发明提供一种硼化锆-碳化硅/氮化硼层状超高温陶瓷的制备方法，其特征在于采用以下步骤：1)采用流延法分别制备硼化锆流延片与氮化硼流延片：先将粘结剂和增塑剂加入溶剂中搅拌均匀，再分别加入硼化锆陶瓷粉料和氮化硼陶瓷粉料、搅拌均匀，形成流延料，然后流延成型，室温干燥脱模后分别得到200～1000μm厚的硼化锆流延片和20～100μm厚的氮化硼流延片；2)对硼化锆流延片和氮化硼流延片依照模具大小分别切片；3)将硼化锆片和氮化硼片交替叠加放入石墨磨具中，真空脱脂；4)在氩气气氛下热压烧结，制备出层状超高温陶瓷。本发明制备工艺简单、成本低，组成成分可控，所得材料具有较高的抗高温氧化性，断裂韧性高达18.1MPa·m1/2。
硼化锆碳化硅氮化层状超高温陶瓷制备方法

[发明专利]流延法制备层状硼化锆超高温陶瓷的方法-CN201010622380.4无效
发明人：魏春城;田贵山;冯柳;周立娟 -专利权人：山东理工大学
申请日： 2010-12-30 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： C04B35/66 文献下载
摘要：本发明提供一种流延法制备层状硼化锆超高温陶瓷的方法，其特征在于采用以下步骤：1)采用流延法分别制备两种不同组分和厚度的硼化锆流延片：先将粘结剂和增塑剂加入溶剂中搅拌均匀，再分别加入硼化锆陶瓷粉料、搅拌均匀，形成两种不同组分的流延料，然后流延成型，室温干燥脱模后分别得到300～1000μm厚的硼化锆流延片A和20～100μm厚的硼化锆流延片B；2)对流延片A和流延片B依照模具大小分别切片；3)将切片后的流延片A和流延片B交替叠加放入石墨磨具中，真空脱脂；4)在氩气气氛下热压烧结，烧结温度为1900～2000℃，压力为20～40MPa，即得层状超高温陶瓷。本发明采用流延成型技术，工艺简单，所得材料的韧值高达9.3MPa·m1/2。
法制层状硼化锆超高温陶瓷方法

[发明专利]高分散氧化锆纳米粉体的制备方法-CN201010182575.1无效
发明人：魏春城;牛金叶;孟凡涛;田贵山;周立娟 -专利权人：山东理工大学
申请日： 2010-05-17 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： C01G25/02 文献下载
摘要：本发明提供一种高分散氧化锆纳米粉体的制备方法，属于纳米材料制备技术领域，其特征在于采用以下步骤：(1)在搅拌条件下，将沉淀剂滴定到锆盐溶液中，生成凝胶，然后用去离子水将凝胶抽滤洗涤数次，直至洗液显中性为止；(2)向凝胶中加入莰烯，在50～70℃环境下球磨混合形成料浆；(3)将料浆在室温凝固成型，再把凝固的料浆放在室温空气环境中停留7～10天，待莰烯完全挥发后放到烧结炉中，700～900℃煅烧，即得高分散氧化锆纳米粉体。本发明得到的氧化锆纳米粉体，分散性好，无硬团聚，颗粒小于50nm，工艺简单，操作安全，成本低，易于产业化。
分散氧化锆纳米制备方法

[发明专利]片状氧化铪纳米粉体的制备方法-CN201010182591.0无效
发明人：魏春城;孟凡涛;田贵山;周立娟;冯柳 -专利权人：山东理工大学
申请日： 2010-05-17 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： C01G27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种片状氧化铪纳米粉体的制备方法，属于纳米粉体材料领域，其特征在于：采用固相法，以四氯化铪和草酸为原料，按摩尔比1∶1～3将两者混合，球磨均匀，然后在450～800℃煅烧2h，即得片状氧化铪纳米粉体，其厚度在10nm左右，宽度大于500nm。本发明工艺简单，操作安全，煅烧温度低，颗粒小，能作为片状增韧材料。
片状氧化纳米制备方法

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