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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种晶圆膜厚测量方法和化学机械抛光设备-CN202310820146.X在审
发明人：路新春;窦华成;田芳馨;王同庆 -专利权人：华海清科股份有限公司
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： B24B37/005 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆膜厚测量方法和化学机械抛光设备，所述晶圆膜厚测量方法包括：在抛光初始阶段采集反射光谱，获取所述反射光谱的光谱波峰或者波谷的数量；依据所述光谱波峰或者波谷的数量，选择使用FFT算法或光谱拟合算法解算晶圆膜厚。
一种晶圆膜厚测量方法化学机械抛光设备

[发明专利]一种用于CMP的光学测量装置和化学机械抛光设备-CN202310820151.0在审
发明人：窦华成;田芳馨;王同庆 -专利权人：华海清科股份有限公司
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于CMP的光学测量装置和化学机械抛光设备，所述光学测量装置包括：在线光学测量组件和参考光学测量组件，所述在线光学测量组件包括用于测量晶圆的非金属膜厚的第一光学传感器和第一窗口，所述参考光学测量组件包括用于获得校准光强的第二光学传感器、第二窗口、校准片和遮挡组件。
一种用于 cmp 光学测量装置化学机械抛光设备

[发明专利]一种数据补偿方法和化学机械抛光设备-CN202310406995.0有效
发明人：吴英明;田芳馨;刘杰;王超;曾羿博 -专利权人：华海清科股份有限公司
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： B24B37/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种数据补偿方法和化学机械抛光设备，其中方法包括：当采集到的膜厚数据出现部分缺失时，采用趋势补偿算法和/或去除率估计补偿算法补足缺失部分的数据；其中，所述趋势补偿算法为利用缺失部分的相邻区域的真实数据的趋势拟合得到所述缺失部分的补偿数据，所述去除率估计补偿算法为利用缺失部分的相邻区域的去除率数据的趋势拟合得到所述缺失部分的补偿数据。
一种数据补偿方法化学机械抛光设备

[发明专利]一种膜厚测量装置-CN202111666334.9有效
发明人：王成鑫;王同庆;田芳馨;路新春 -专利权人：华海清科股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： B24B37/013 文献下载
摘要：本发明公开了一种膜厚测量装置，包括电涡流传感器、前置信号处理模块、数据采集模块和通讯模块；电涡流传感器连接前置信号处理模块，前置信号处理模块连接数据采集模块，数据采集模块连接通讯模块，通讯模块与上位机通信；电涡流传感器包括激励线圈和感应线圈；激励线圈和感应线圈均为扁平线圈，并且同轴设置，激励线圈与感应线圈的绕线方向相同；前置信号处理模块包括跟随电路、差分放大单元、整流滤波单元、比较放大单元、信号发生单元、相位解调单元和滤波放大单元。
一种测量装置

[实用新型]一种化学机械抛光系统-CN202321060845.0有效
发明人：窦华成;田芳馨;王同庆 -专利权人：华海清科股份有限公司
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： B24B37/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种化学机械抛光系统，包括：前置单元，其内部储存有晶圆；设备主体，用于对晶圆进行抛光作业；机械手，在所述前置单元与所述设备主体之间进行交互以传递晶圆；前值量测单元，用于在晶圆传递过程中对抛光前的晶圆的厚度进行量测；后值量测单元，用于在晶圆传递过程中对抛光后的晶圆的厚度进行量测。本实用新型将晶圆厚度量测模块集成于化学机械抛光系统中，在晶圆传输过程中即可实现抛光前后晶圆表面的膜层厚度的实时量测，依据历史晶圆抛光前后表面沉积层厚度的变化关系以及下一片来料初始厚度对抛光工艺进行调整。
一种化学机械抛光系统

[发明专利]用于晶圆金属薄膜厚度的测量仪及测量方法-CN202310505303.8在审
发明人：窦华成;李丹;吴英明;田芳馨;王同庆 -专利权人：华海清科股份有限公司
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G01B7/06 文献下载
摘要：本公开提供一种用于晶圆金属薄膜厚度的测量仪及测量方法，其中，测量方法用于晶圆金属薄膜厚度的测量仪。测量仪包括：承载盘，用于承载晶圆，其中，晶圆的上表面覆盖金属薄膜；电涡流传感器，设置在承载盘的上方，配置成利用涡流效应在晶圆的金属薄膜内激发涡流磁场，并且检测涡流磁场的强度以产生对应的输出信号；以及测距传感器，设置在承载盘的上方，用于测量电涡流传感器距离晶圆的提离高度。测量方法包括：在承载盘承载待检测晶圆时，分别获取电涡流传感器产生的目标输出信号以及测距传感器测量到的目标提离高度；以及根据目标输出信号以及目标提离高度确定待检测晶圆的金属薄膜的厚度。
用于金属薄膜厚度测量仪测量方法

[发明专利]一种化学机械抛光系统-CN202310500740.0在审
发明人：窦华成;田芳馨;王同庆 -专利权人：华海清科股份有限公司
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： B24B37/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种化学机械抛光系统，包括：前置单元，其内部储存有晶圆；设备主体，用于对晶圆进行抛光作业；机械手，在所述前置单元与所述设备主体之间进行交互以传递晶圆；前值量测单元，用于在晶圆传递过程中对抛光前的晶圆的厚度进行量测；后值量测单元，用于在晶圆传递过程中对抛光后的晶圆的厚度进行量测。本发明将晶圆厚度量测模块集成于化学机械抛光系统中，在晶圆传输过程中即可实现抛光前后晶圆表面的膜层厚度的实时量测，依据历史晶圆抛光前后表面沉积层厚度的变化关系以及下一片来料初始厚度对抛光工艺进行调整。
一种化学机械抛光系统

[发明专利]金属膜厚在线测量补偿方法、膜厚传感器和设备-CN202310410608.0在审
发明人：侯映红;田芳馨;刘杰;王成鑫;郑烨 -专利权人：华海清科股份有限公司
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： B24B37/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属膜厚在线测量补偿方法、膜厚传感器和设备，方法包括：抛光过程中，获取膜厚传感器测量金属膜厚的第n次输出量Sn；利用此时的膜厚传感器温度tsn和自身温漂函数，计算传感器温漂补偿量ΔSsn；利用此时的晶圆温度twn、第n‑1次测定的膜厚dn‑1以及晶圆温度补偿函数，计算晶圆温漂补偿量ΔSwn；计算补偿后的输出量Sn′，Sn′＝Sn‑ΔSsn‑ΔSwn；根据传感器输出函数以及所述补偿后的输出量Sn′得到第n次测定的膜厚dn。
金属膜在线测量补偿方法传感器设备

[实用新型]电涡流传感器、膜厚测量装置和化学机械抛光设备-CN202222430128.4有效
发明人：王成鑫;王同庆;田芳馨;路新春 -专利权人：清华大学;华海清科股份有限公司
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G01B7/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电涡流传感器、膜厚测量装置和化学机械抛光设备，其中，电涡流传感器包括依次叠放的检测线圈、激励线圈和补偿线圈，所述激励线圈位于检测线圈和补偿线圈之间，所述检测线圈的安装位置靠近抛光盘上表面，所述检测线圈、激励线圈和补偿线圈的水平截面均为矩形，并且，激励线圈的水平截面面积小于检测线圈的水平截面面积，检测线圈与补偿线圈的水平截面面积相同。
涡流传感器测量装置化学机械抛光设备

[发明专利]一种金属膜厚测量方法和化学机械抛光设备-CN202111658914.3有效
发明人：王成鑫;王同庆;田芳馨;路新春 -专利权人：清华大学;华海清科股份有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： B24B37/005 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属膜厚测量方法和化学机械抛光设备，其中方法包括：根据待测的金属薄膜的材质，确定膜厚测量装置在该材质下的标定关系，其中，所述标定关系用于表征K值与金属膜厚的映射关系，所述K值用于表征所述膜厚测量装置的输出信号的虚部与实部的比值；使用所述膜厚测量装置探测所述待测的金属薄膜，采集所述膜厚测量装置的输出信号并计算K值；根据计算的K值和所述标定关系，确定所述待测的金属薄膜的膜厚。
一种金属膜测量方法化学机械抛光设备

[发明专利]一种膜厚测量方法和化学机械抛光设备-CN202111087048.7有效
发明人：张经纬;王成鑫;王同庆;田芳馨 -专利权人：华海清科股份有限公司
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： B24B37/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种膜厚测量方法和化学机械抛光设备，其中，方法包括：线下测试步骤，在该步骤中获取在不同提离高度下、不同膜厚对应的膜厚传感器的输出信号值，拟合得到用于表征输出信号值、提离高度和膜厚之间函数关系的静态方程，其中，提离高度为膜厚传感器距晶圆的距离；线上测试步骤，在该步骤中获取抛光垫厚度以及在化学机械抛光设备上进行抛光时膜厚传感器的输出信号值，利用静态方程计算得到晶圆的计算膜厚，根据计算膜厚与晶圆的实际膜厚之间的偏差，得到用于修正静态方程的动态方程；实际测量步骤，在该步骤中根据静态方程和动态方程，基于当前工况下的抛光垫厚度，将膜厚传感器在线测量时的输出信号值转换为最终的膜厚。
一种测量方法化学机械抛光设备

[发明专利]一种能够防止金属污染的金属膜厚测量装置-CN202111506801.1在审
发明人：王成鑫;王同庆;路新春;田芳馨 -专利权人：清华大学;华海清科股份有限公司
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： G01B7/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种能够防止金属污染的金属膜厚测量装置，包括：电涡流传感器，其包括磁芯和线圈，线圈沿磁芯的周向缠绕在磁芯的外周壁上，电涡流传感器还包括电磁屏蔽壳，电磁屏蔽壳的芯层由金属材料制成，并且表面涂覆有非金属材料层以防止金属离子污染；前置信号处理模块，与电涡流传感器连接，用于对电涡流传感器输入正弦激励信号，并通过电涡流传感器采集与金属膜厚相关的电压信号；数据采集处理模块，与前置信号处理模块连接，用于接收前置信号处理模块输出的电压信号将其转换为数字信号，并根据预存的厚度标定表将数字信号转换为对应的膜厚值；通讯模块，用于实现数据采集处理模块与上位机之间的通讯。
一种能够防止金属污染金属膜测量装置

[发明专利]一种膜厚测量方法和化学机械抛光设备-CN202110895311.9在审
发明人：王成鑫;王同庆;田芳馨;侯映红;路新春 -专利权人：清华大学;华海清科股份有限公司
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种膜厚测量方法和化学机械抛光设备，其中，方法包括：获取膜厚测量装置距金属薄膜的距离和金属薄膜的材质；根据所述距离和材质，确定相应的标定曲线，所述标定曲线用于表征膜厚测量装置的输出信号与膜厚之间的映射关系；实时获取所述膜厚测量装置的输出信号；根据所述标定曲线和所述输出信号，得到当前的金属薄膜的膜厚。
一种测量方法化学机械抛光设备

[发明专利]一种用于半导体基板的化学机械抛光方法、装置-CN201910873451.9有效
发明人：路新春;田芳馨;杜新祥;翟佳;金军 -专利权人：清华大学;华海清科股份有限公司
申请日： 2019-09-17 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： B24B37/005 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于半导体基板的化学机械抛光方法、装置，其中装置包括：抛光盘，其覆盖有用于对基板进行抛光的抛光垫；承载头，用于保持基板并将基板按压在所述抛光垫上；光学传感器，用于对基板表面进行检测以得到光学测量值；控制模块，用于利用光学传感器进行检测以得到与基板表面的材料分布相关的光学测量值，并根据基板表面不同区域对应的光学测量值变化判断抛光是否有异常。本发明实现了抛光均匀性的监测。
一种用于半导体化学机械抛光方法装置

[实用新型]一种用于CMP的金属膜厚测量装置-CN202023302597.5有效
发明人：王成鑫;王同庆;路新春;田芳馨 -专利权人：清华大学;华海清科股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： G01B7/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于CMP的金属膜厚测量装置，包括：电涡流传感器，其包括磁芯和线圈，线圈沿磁芯的周向缠绕在磁芯的外周壁上；磁芯为长方体，磁芯的长度为其宽度的2‑10倍，磁芯的宽度为2‑4mm，磁芯的高度为1‑3mm；前置信号处理模块，与电涡流传感器连接，用于对电涡流传感器输入固定频率的正弦激励信号，并通过电涡流传感器采集与金属膜厚相关的电压信号；数据采集处理模块，与前置信号处理模块连接，用于接收前置信号处理模块输出的电压信号将其转换为数字信号，并根据预存的厚度标定表将数字信号转换为对应的膜厚值；通讯模块，用于实现数据采集处理模块与上位机之间的通讯。
一种用于 cmp 金属膜测量装置

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