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[发明专利]单晶硅晶圆的热处理法-CN201580056672.7有效
发明人：曲伟峰;田原史夫;樱田昌弘;高桥修治 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2015-09-17 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L21/322 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶硅晶圆的热处理方法，对于单晶硅晶圆施加RTA处理，将全平面为Nv区域的单晶硅晶圆，或是全平面为包含有OSF区域的Nv区域的单晶硅晶圆予以配置于RTA炉内，在将含有NH3的气体供给至该RTA炉内的同时，以未达硅与NH3的反应温度的温度进行预备加热，之后停止供给该含有NH3的气体并且开始供给Ar气体，于残留有该NH3气体的Ar气体氛围下开始RTA处理。因此，即使是处理全平面为Nv区域的单晶硅晶圆，或是全平面为包含有OSF区域的Nv区域的单晶硅晶圆，亦能不使TDDB特性恶化而赋予吸除能力。
单晶硅热处理

[发明专利]硅晶圆的热处理方法-CN201480034727.X有效
发明人：曲伟峰;田原史夫 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2014-06-26 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明是一种硅晶圆的热处理方法，具有将硅晶圆载置于SiC夹具上，放入热处理炉内的工序；在热处理炉内，在第一非氧化性气氛下，对硅晶圆进行热处理的工序；降温到能将硅晶圆从热处理炉内搬出的温度的工序；以及，将硅晶圆从热处理炉内搬出的工序；在降温工序中，在降温到能搬出的温度后，将第一非氧化性气氛切换成含氧气氛，在含氧气氛下，在SiC夹具的表面上形成厚度1～10nm的氧化膜，之后再将含氧气氛切换成第二非氧化性气氛。由此，能提供一种硅晶圆的热处理方法，该热处理方法能防止在热处理工序中来自于夹具和环境的碳污染。
硅晶圆热处理方法

[发明专利]SOI晶圆的制造方法-CN201380047651.X无效
发明人：曲伟峰;田原史夫;大井裕喜 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2013-09-12 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种SOI晶圆的制造方法，其特征在于，在氧化膜形成工序前，进行对准备好的硅晶圆在氧化性气氛下用1100℃～1250℃的温度实施30分钟～120分钟的热处理的工序，以及对成为该热处理后的硅晶圆的贴合面的表面进行研磨的工序。由此，在SOI晶圆的制造中，能够充分消除接合晶圆的缺陷，制造几乎没有缺陷等不良的SOI晶圆，此外，能够将在离子注入剥离法中作为副产物而生成的剥离晶圆多次再用作接合晶圆。
soi 制造方法

[发明专利]贴合基板及其制造方法-CN201280008465.0有效
发明人：大槻刚;曲伟峰;田原史夫;大井裕喜;三谷清 -专利权人：信越半导体股份有限公司
申请日： 2012-01-06 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明是一种贴合基板的制造方法，其是隔着绝缘膜将基底基板与结合基板贴合来制造贴合基板，其特征在于，其至少具有：多孔质层形成步骤，是在前述基底基板的贴合面上局部地形成多孔质层、或形成厚度局部不同的多孔质层；绝缘膜形成步骤，是利用将前述多孔质层变化为前述绝缘膜，而在前述基底基板的贴合面上形成局部厚度不同的前述绝缘膜；贴合步骤，是隔着该绝缘膜将前述基底基板与前述结合基板贴合；及，薄膜化步骤，是将贴合后的前述结合基板薄膜化而形成薄膜层。由此，提供一种贴合基板的制造方法，能以简单的方法来制造局部厚度不同的绝缘膜。
贴合及其制造方法

[发明专利]单晶硅晶片的制造方法及退火晶片-CN201280006313.7有效
发明人：曲伟峰;田原史夫;大井裕喜;杉泽修 -专利权人：信越半导体股份有限公司
申请日： 2012-01-06 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明是一种单晶硅晶片的制造方法，其是在非氮化性环境下，以1150～1300℃，对单晶硅晶片进行1～120分钟的热处理，其中，所述单晶硅晶片是利用以直拉法培育而成的V区域的单晶硅棒而得，并且氧浓度不足7ppma，氮浓度为1×1013～1×1014atoms/cm3。由此，提供一种单晶硅晶片的制造方法，其使用以能够对应大口径的CZ法制造而成的V区域的晶片，消除主体中的缺陷，并且即使不进行中子照射，面内电阻率分布也与进行中子照射时为相同水平，由此，制造一种可以应用于IGBT的低成本的单晶硅晶片。
单晶硅晶片制造方法退火

[发明专利]单晶硅晶片、单晶硅晶片的制造方法以及单晶硅晶片的评价方法-CN200980116228.4有效
发明人： 田原史夫;大槻刚;名古屋孝俊;三谷清 -专利权人：信越半导体股份有限公司
申请日： 2009-05-07 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶硅晶片的制造方法，其特征在于至少包含以下工序：准备单晶硅晶棒的工序；将该单晶硅晶棒切片而制造出多片切片基板的工序；对该多片切片基板进行抛光、蚀刻、研磨之中的至少1种而加工成多片基板的加工工序；从该多片基板抽取至少1片的工序；使用原子力显微镜测定在该抽取工序中所抽取的基板的表面粗糙度，求取对应波长20纳米～50纳米的频带的振幅即强度，且判定是否合格的工序；若所述判定为合格时送至下个工序，若不合格时实行再加工的工序。由此，能提供单晶硅晶片及其制造方法，即便栅极氧化膜的厚度薄至数纳米时，氧化膜耐压也无劣化；提供一种评价方法，相较于时间相依介电崩溃法等，能容易评价氧化膜耐压无劣化。
单晶硅晶片制造方法以及评价