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[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN201980050065.8有效
发明人：铃木悠介;守屋刚;光成正;岩下伸也;森贞佳纪;野吕尚孝;加贺谷宗仁;田中谕志 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：提供一种成膜装置，该成膜装置具有：处理容器；支承机构，其将基板支承成能够升降；第1气体供给部，其向被所述支承机构支承着的基板的表面供给第1气体；第2气体供给部，其向被所述支承机构支承着的基板的背面供给第2气体；以及第3气体供给部，其向被所述支承机构支承着的基板的表面和背面中的至少任一者供给第3气体。
装置方法

[发明专利]统计方法和处理装置-CN202210202235.3在审
发明人：浅川贵志;田中谕志;青井良太 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G06F17/18 文献下载
摘要：本发明提供一种统计方法和处理装置。统计方法包括：获取日志信息的步骤，所述日志信息包含由处理基片的处理装置所具有的传感器测量出的、所述处理装置使用了的资源消耗的测量值和测量日期时间；将获取到的所述日志信息中包含的所述资源消耗的测量值和所述测量日期时间保存在存储部中的步骤；和参照所述存储部，对指定的统计期间中的所述测量日期时间所对应的所述资源消耗的测量值进行累计，计算每个所述处理装置的所述资源消耗的累计值的步骤。根据本发明，能够使每个处理装置所使用的消耗能量可视化。
统计方法处理装置

[发明专利]碳硬掩模、成膜装置和成膜方法-CN201980080907.4在审
发明人：堀胜;关根诚;杉浦启嗣;守屋刚;田中谕志;森贞佳纪 -专利权人：东京毅力科创株式会社;国立大学法人东海国立大学机构
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：在层叠于被蚀刻膜上的碳硬掩模的一个实施方式中，碳硬掩模中所含的亚甲基CH2和甲基CH3的浓度比满足下述式。CH2/(CH2+CH3)≥0.5。
碳硬掩模装置方法

[发明专利]成膜方法和半导体制造装置-CN201980071967.X在审
发明人：铃木悠介;守屋刚;长谷部一秀;远藤笃史;田中谕志 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法，其包括：准备与基片的正面状态的测量结果相应的掩模的步骤；将上述掩模送入处理容器内的步骤；将上述基片送入上述处理容器内的步骤；和在上述基片的背面配置有上述掩模的状态下，对上述基片的背面进行成膜的步骤。
方法半导体制造装置

[发明专利]温度测量用基板以及温度测量系统-CN201780002554.7有效
发明人：光成正;田中谕志;守屋刚;松田俊也;宫川正章;岩崎贤也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-04-06 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： G01K11/32 文献下载
摘要：本发明提供温度测量用基板以及温度测量系统，温度测量用基板具备：基板，其为半导体晶片或者平板显示器用基板的任一个；和至少一根光纤，其敷设于所述基板的表面，具有第一图案部、和比所述第一图案部更密地形成的第二图案部。
温度测量用基板以及系统

[发明专利]等离子体处理方法及等离子体处理装置-CN200910173200.6有效
发明人：松本直树;舆水地盐;岩田学;田中谕志 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-03-30 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及等离子体处理方法及等离子体处理装置。在阴极耦合方式中，尽可能防止在阳极侧的电极上附加沉积膜而对后续工序造成影响，并尽量提高处理的均匀性。将被处理基板(W)载置在下部电极的基座(16)上，并由高频电源(30)施加等离子体生成用的高频。将在基座(16)的上方与它平行相对配置的上部电极(34)经由环状的绝缘体(35)在电气浮起的状态下安装在腔室(10内。在上部电极(34)的上面和腔室(10)的顶棚之间的空间(50)中设置电容可变的可变电容器(86)。根据处理条件由电容控制部(85)改变可变电容器(86)的电容，对上部电极(34)的接地电容进行切换。
等离子体处理方法装置

[发明专利]等离子体处理方法及等离子体处理装置-CN200910176201.6有效
发明人：松本直树;舆水地盐;岩田学;田中谕志 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-03-30 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及等离子体处理方法及等离子体处理装置。在阴极耦合方式中，尽可能防止在阳极侧的电极上附加沉积膜而对后续工序造成影响，并尽量提高处理的均匀性。将被处理基板(W)载置在下部电极的基座(16)上，并由高频电源(30)施加等离子体生成用的高频。将在基座(16)的上方与它平行相对配置的上部电极(34)经由环状的绝缘体(35)在电气浮起的状态下安装在腔室(10内。在上部电极(34)的上面和腔室(10)的顶棚之间的空间(50)中设置电容可变的可变电容器(86)。根据处理条件由电容控制部(85)改变可变电容器(86)的电容，对上部电极(34)的接地电容进行切换。
等离子体处理方法装置

[发明专利]等离子体处理方法及等离子体处理装置-CN200910173129.1有效
发明人：松本直树;舆水地盐;岩田学;田中谕志 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-03-30 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及等离子体处理方法及等离子体处理装置。在阴极耦合方式中，尽可能防止在阳极侧的电极上附加沉积膜而对后续工序造成影响，并尽量提高处理的均匀性。将被处理基板(W)载置在下部电极的基座(16)上，并由高频电源(30)施加等离子体生成用的高频。将在基座(16)的上方与它平行相对配置的上部电极(34)经由环状的绝缘体(35)在电气浮起的状态下安装在腔室(10内。在上部电极(34)的上面和腔室(10)的顶棚之间的空间(50)中设置电容可变的可变电容器(86)。根据处理条件由电容控制部(85)改变可变电容器(86)的电容，对上部电极(34)的接地电容进行切换。
等离子体处理方法装置

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN200910175087.5有效
发明人：松本直树;舆水地盐;早川欣延;花冈秀敏;岩田学;田中谕志 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-03-30 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及等离子体处理装置和等离子体处理方法。根据本发明，在双频重叠施加方式的电容结合型中，充分地防止和控制在另外一方的相对电极上形成的不期望的膜，同时任意地控制等离子体的密度的空间的分布特性。在下部电极的基座(16)上载置被处理基板(W)，从高频电源(30)施加等离子体生成用的第一高频，施加来自高频电源(70)的离子引入用的第二高频。在基座(16)的上方与其平行地相对地配置的上部电极(34)通过环状的绝缘体(35)安装在腔室(10)内。上部电极(34)通过棒状的电感器(54)以及导线(56)连接到接地电位(通常是到腔室10中)。
等离子体处理装置方法

[发明专利]等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置和控制程序-CN200810186171.2有效
发明人： 田中谕志;大矢欣伸;山崎文生 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-12-19 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置和控制程序，其能够形成具有20以上的高深宽比的贯通孔或孔形状，并且能够抑制保龄球形形状，能够获得良好的蚀刻形状。该等离子体蚀刻方法使至少包含C₄F₆气体和C₆F₆气体、且C₄F₆气体的流量相对于C₆F₆气体的流量的比(C₄F₆气体流量/C₆F₆气体流量)为2～11的处理气体等离子体化，以非结晶型碳层(105)作为掩模对氧化硅层(104)进行等离子体蚀刻，形成深度相对于开口宽度的比为20以上的孔形状(111)。
等离子体蚀刻方法装置控制程序

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN200710091349.0有效
发明人：松本直树;早川欣延;花冈秀敏;儿玉法明;舆水地盐;岩田学;田中谕志 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-03-30 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，能够使通过电容耦合型的高频放电生成的等离子体密度的空间分布均匀化，并能够对其进行任意控制，提高等离子体的面内均匀性。本发明的等离子体处理装置，下部电极的基座(16)载置被处理基板(W)，通过高频电源(30)施加等离子体生成用的高频。在基座(16)上方，与其平行的相对配置有上部电极(34)，隔着环状的绝缘体(35)以电浮起的状态安装在腔室(10)上。上部电极(34)的上面与腔室(10)的顶面之间设置有规定的间隔尺寸，其缝隙的一部分或全部形成真空空间(50)。该真空空间(50)的内壁的全部或一部分由片状的绝缘体(52)覆盖。
等离子体处理装置方法

[发明专利]等离子体处理方法及等离子体处理装置-CN200710091348.6有效
发明人：松本直树;舆水地盐;岩田学;田中谕志 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-03-30 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及等离子体处理方法及等离子体处理装置。在阴极耦合方式中，尽可能防止在阳极侧的电极上附加沉积膜而对后续工序造成影响，并尽量提高处理的均匀性。将被处理基板(W)载置在下部电极的基座(16)上，并由高频电源(30)施加等离子体生成用的高频。将在基座(16)的上方与它平行相对配置的上部电极(34)经由环状的绝缘体(35)在电气浮起的状态下安装在腔室(10)内。在上部电极(34)的上面和腔室(10)的顶棚之间的空间(50)中设置电容可变的可变电容器(86)。根据处理条件由电容控制部(85)改变可变电容器(86)的电容，对上部电极(34)的接地电容进行切换。
等离子体处理方法装置

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN200710091350.3无效
发明人：松本直树;舆水地盐;早川欣延;花冈秀敏;岩田学;田中谕志 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-03-30 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及等离子体处理装置和等离子体处理方法。根据本发明，在双频重叠施加方式的电容结合型中，充分地防止和控制在另外一方的相对电极上形成的不期望的膜，同时任意地控制等离子体的密度的空间的分布特性。在下部电极的基座(16)上载置被处理基板(W)，从高频电源(30)施加等离子体生成用的第一高频，施加来自高频电源(70)的离子引入用的第二高频。在基座(16)的上方与其平行地相对地配置的上部电极(34)通过环状的绝缘体(35)安装在腔室(10)内。上部电极(34)通过棒状的电感器(54)以及导线(56)连接到接地电位(通常是到腔室10中)。
等离子体处理装置方法

[发明专利]大气输送室、被处理体的处理后输送法、程序和存储介质-CN200610008360.1有效
发明人：守屋刚;广冈隆明;清水昭贵;田中谕志 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-02-21 - 公布日： 2006-09-20 - 主分类号： H01L21/3063 文献下载
摘要：本发明提供一种大气输送室，使得在能够防止由被处理体制造的半导体器件降低质量的同时，还能够提高被处理体处理装置的开工率。输送进行了蚀刻处理的晶片W的加载模块(13)，包括了在其内部配置在上侧的FFU(34)，FFU(34)由风扇单元(37)、加热单元(38)、除湿装置(39)和除尘单元(40)组成，风扇单元(37)的内部装有向下侧送出大气的风扇，除湿装置(39)的内部装有对风扇单元(37)送出的大气进行除湿的干燥过滤器(55)，除尘单元(40)的内部装有将通过除湿装置(39)的大气中的粉尘收集的过滤器，由此FFU(34)将导入加载模块(13)内部上侧的大气进行加热、除湿和除尘，供给到加载模块(13)内部的下侧。
大气输送处理程序存储介质

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