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[发明专利]单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电池-CN200810090977.1有效
发明人：伊藤厚雄;秋山昌次;川合信;田中好一;飞坂优二;久保田芳宏 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2008-04-08 - 公布日： 2008-10-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种光封闭型单晶硅太阳能电池，其以结晶性高的单晶硅作为薄膜的光变换层。一种单晶硅太阳能电池的制造方法，包含：将氢离子或稀有气体离子注入单晶硅基板的工序；于金属基板上形成透明绝缘性层的工序；于上述离子注入面和上述透明绝缘性层表面的至少其中一方，进行表面活化处理的工序；将此两者贴合的工序；机械性剥离上述单晶硅基板以作成单晶硅层的工序；于上述单晶硅层的上述剥离面形成多个第二导电型的扩散区域，并使上述单晶硅层的上述剥离面存在多个第一导电型区域和多个第二导电型区域的工序；于上述单晶硅层的上述多个第一、第二导电型区域上各自形成多个个别电极的工序；形成各集电电极的工序；以及形成透明保护膜的工序。
单晶硅太阳能电池制造方法

[发明专利]SOI基板的制造方法-CN200810088667.6有效
发明人：秋山昌次;久保田芳宏;伊藤厚雄;川合信;飞坂优二;田中好一 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2008-04-10 - 公布日： 2008-10-15 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：提供一种回蚀法薄膜化后的硅层的基板面内的膜厚均匀性和电阻率均匀性优异的SOI基板的制造方法。从单晶硅基板(10)的表面，注入硼离子，在最表面形成深度L的高浓度硼添加p层(11)，使单晶硅基板(10)和石英基板(20)在室温下密接而贴合。从单晶硅基板(10)的背面，施行化学蚀刻，使其厚度为L以下。对所得到的SOI基板，在含氢气氛中施行热处理，使硼从高浓度硼添加p层(11)向外方扩散，得到期望电阻值的硼添加p层(12)。在此热处理中，硅结晶内部的硼，以与环境中的氢结合的状态，扩散至结晶外，高浓度硼添加p层(11)内的硼浓度，逐渐降低。此时的热处理温度，由绝缘性基板的软化点，设为700～1250℃。
soi 制造方法

[发明专利]SOI基板的制造方法-CN200810088669.5无效
发明人：川合信;久保田芳宏;伊藤厚雄;田中好一;飞坂优二;秋山昌次 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2008-04-10 - 公布日： 2008-10-15 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种SOI基板，其不会有起因于氧施体的生成所导致的电特性变动的疑虑。在贴合步骤中所使用的单晶硅基板10，是以红外线吸收法测得的晶格间氧浓度为1×10¹⁸cm^－3以下的单晶硅基板。将单晶硅基板的晶格间氧浓度设为1×10¹⁸cm^－3以下的理由，是因为氧施体的形成程度与该晶格间氧浓度密切相关。若将结晶硅基板的晶格间氧浓度设为1×10¹⁸cm^－3以下，SOI基板的硅层(SOI层)的电特性(电阻率)的变动，能够抑制在实用上不会有问题的程度。如此的单晶硅基板，通过对硅熔液施加磁场来控制其对流的MCZ法、或是通过没有使用石英坩埚的FZ法，能够容易地获得。
soi 制造方法

[发明专利]热分解性氮化硼复合基板的制造方法-CN200810088668.0无效
发明人：川合信;久保田芳宏;伊藤厚雄;田中好一;飞坂优二;秋山昌次 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2008-04-10 - 公布日： 2008-10-15 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明的课题是改善PBN材料表面与金属的润湿性来扩大使用用途。本发明的解决方法是在硅基板10的表面注入氢离子，并在硅基板10的表面附近的规定深度形成离子注入区域11，且对该硅基板10的主面施行以表面洁净化或表面活化等为目的的等离子体处理或臭氧处理。使施行表面处理后的硅基板10与PBN基板20的主面彼此之间，在室温下密接而贴合，并对贴合后的基板赋予外部冲击，来机械性地将硅薄膜12从硅基板的基体13剥离而转印。将所得到的PBN复合基板30切割成为需要尺寸的芯片，并在硅薄膜12侧镀覆(metallizing)高熔点金属来连接配线材料。
分解氮化复合制造方法

[发明专利]单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电池-CN200810083479.4无效
发明人：伊藤厚雄;秋山昌次;川合信;田中好一;飞坂优二;久保田芳宏 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2008-03-07 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种单晶硅太阳能电池的制造方法，包括：将氢离子或稀有气体离子注入单晶硅基板的工序；以上述离子注入面作为贴合面，经由透明黏着剂，使上述单晶硅基板与上述透明绝缘性基板密接的工序；使上述透明黏着剂固化的工序；机械性剥离上述单晶硅基板，制成单晶硅层的工序；在上述单晶硅层的上述剥离面侧，形成多个第二导电型的扩散区域，并制成在上述单晶硅层的上述剥离面，存在多个第一导电型区域与多个第二导电型区域的工序；在上述单晶硅层的上述多个第一、第二导电型区域上，分别形成多个个别电极的工序；形成各自的集电电极的工序；以及形成光反射膜的工序。由此可提供一种光封闭型单晶硅太阳能电池，将薄膜的光变换层制成结晶性高的单晶硅层。
单晶硅太阳能电池制造方法

[发明专利]半导体基板的制造方法-CN200810005732.4无效
发明人：秋山昌次;久保田芳宏;伊藤厚雄;田中好一;川合信;飞坂优二 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2008-02-04 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明在硅基板10的主面上使SiGe混晶的缓冲层及Ge磊晶膜生长。在Ge磊晶膜11中，虽然高密度的缺陷从与Si基板10的界面被导入，但是施加700～900℃的热处理，来使贯穿位错12变化成为在Si基板界面附近的环状位错缺陷12’。接着，对形成有离子注入层的Ge磊晶膜11和支撑基板20的至少一方的主面，施加以表面净化或表面活化等作为目的的等离子体处理或臭氧处理，然后使主面之间密接而贴合。对贴合界面施加外部冲击，且沿着氢离子注入界面13进行Ge磊晶膜的剥离而得到Ge薄膜14，进而，若对该Ge薄膜14的表面施加最后表面处理来除去起因于氢离子注入的损伤时，能够得到其表面具有Ge薄膜14的GeOI基板。
半导体制造方法

[发明专利]SOI基板的制造方法-CN200710161139.4有效
发明人：秋山昌次;久保田芳宏;伊藤厚雄;田中好一;川合信;飞坂优二 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2007-12-18 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种SOI基板的制造方法，包括：离子注入工艺，此工艺是在硅基板的主面侧，形成氢离子注入层；表面处理工艺，此工艺是对绝缘性基板和上述硅基板的至少其中一方的主面，施行活性化处理；贴合工艺，此工艺是贴合上述绝缘性基板的主面和上述硅基板的主面；以及剥离工艺，此工艺是从上述贴合基板的上述硅基板，机械性地剥离硅薄膜，而在上述绝缘性基板的主面上，形成硅膜；上述离子注入工艺中的上述硅基板的温度，保持在400℃以下。本发明的方法可抑制剥离后的SOI膜的表面粗糙度，确保SOI基板的全部表面有均匀的SOI膜的厚度。由于全部是低温工艺，又可抑制转印缺陷或滑移错位等的发生，而得到高品质的SOI晶片。
soi 制造方法

[发明专利]SOQ基板以及SOQ基板的制造方法-CN200710186484.3有效
发明人：秋山昌次;久保田芳宏;伊藤厚雄;田中好一;川合信;飞坂优二 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2007-11-22 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供SOQ基板及其制造方法，该制造方法包括：进行离子注入工艺，在硅基板的主面侧形成氢离子注入层；进行表面处理工艺，对石英基板和上述硅基板的至少其中一方的主面进行活性化处理；进行贴合工艺，将上述石英基板的主面与上述硅基板的主面贴合；进行剥离工艺，在不加热情况下从上述贴合基板的上述硅基板机械性地剥离硅薄膜，在上述石英基板的主面上形成硅膜；以及以1000℃以下的温度，对上述硅膜进行氢热处理的工艺。本发明能够抑制SOQ膜的表面粗糙化并提供高品质的SOQ基板。
soq 以及制造方法

[发明专利]单结晶硅太阳能电池的制造方法及单结晶硅太阳能电池-CN200710193656.X无效
发明人：伊藤厚雄;秋山昌次;川合信;田中好一;飞坂优二;久保田芳宏 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2007-11-23 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种单结晶硅太阳能电池的制造方法及单结晶硅太阳能电池，该方法包含：将氢离子或稀有气体离子注入单结晶硅基板的工艺；对单结晶硅基板的离子注入面与透明绝缘性基板的表面之中的至少一方进行表面活性化处理的工艺；以进行表面活性化处理后的面作为贴合面，来贴合单结晶硅基板的离子注入面与透明绝缘性基板的工艺；对离子注入层施予冲击，机械性剥离单结晶硅基板，来形成单结晶硅层的工艺；在单结晶硅层的剥离面侧形成多个第二导电型的扩散区域，并作成在单结晶硅层的剥离面存在多个第一导电型区域与多个第二导电型区域的工艺；以及形成覆盖多个第一与第二导电型区域的光反射膜工艺。由此可以提供一种光封闭型单结晶硅太阳能电池。
结晶太阳能电池制造方法

[发明专利]半导体衬底的制造方法-CN200710186310.7无效
发明人：秋山昌次;久保田芳宏;伊藤厚雄;田中好一;川合信;飞坂优二 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2007-11-12 - 公布日： 2008-05-14 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种将高品质的硅薄膜转印在低熔点物质的衬底上而成的半导体衬底。本发明的方法为：以1.5×10¹⁷atoms/cm²以上的掺杂量，将氢离子注入单结晶硅衬底(10)的表面(主面)，形成氢离子注入层(离子注入损伤层)(11)。通过此氢离子注入，形成氢离子注入界面(12)。贴合此单结晶硅衬底(10)和低熔点玻璃衬底(20)。以120℃以上250℃以下(但是，不超过支持衬底的熔点温度)的比较低的温度，加热贴合状态的衬底，进而利用赋予外部冲击，将热处理后的贴合衬底，沿着单结晶硅衬底(10)的氢离子注入界面(12)，剥离Si结晶膜。然后，对所得到的硅薄膜(13)的表面进行研磨等，除去损伤，而得到半导体衬底。
半导体衬底制造方法

[发明专利]SOQ基板及其制造方法-CN200710170066.5无效
发明人：秋山昌次;久保田芳宏;伊藤厚雄;田中好一;川合信;飞坂优二 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2007-11-09 - 公布日： 2008-05-14 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种非常适合于半导体装置的工艺的SOQ基板及其制造方法。本发明的手段为：将氢离子注入单结晶硅基板10的表面(主面)，形成氢离子注入层(离子注入损伤层)11。通过此氢离子注入，形成氢离子注入界面12。贴合此单结晶硅基板10和含有碳浓度100ppm以上的石英基板20，并对注入损伤层11附近赋予外部冲击，将贴合基板沿着单结晶硅基板10的氢离子注入界面12，剥离Si结晶膜。然后，对所得到的硅薄膜13的表面，进行研磨等，除去损伤，而得到SOQ基板。
soq 及其制造方法

[发明专利]单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电池-CN200710185123.7无效
发明人：伊藤厚雄;秋山昌次;川合信;田中好一;飞坂优二;久保田芳宏 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2007-10-30 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种单晶硅太阳能电池的制造方法，包含：将氢离子或稀有气体离子中的至少一种注入单晶硅基板的工序；以该离子注入面作为贴合面，经由透明导电性粘结剂，粘结该单晶硅基板与该透明绝缘性基板的工序；固化该透明导电性粘结剂成为透明导电性膜，并贴合该单晶硅基板与该透明绝缘性基板的工序；对该离子注入层施予冲击，机械性剥离该单晶硅基板，来形成单晶硅层的工序；以及在该单晶硅层形成pn结的工序。由此提供一种单晶硅太阳能电池，于硅太阳能电池中，为了有效活用其原料(硅)而将光变换层制成薄膜，且变换特性优异，并且因光照射产生的劣化少，所以可使用作为住宅等的采光窗材料的透视型太阳能电池。
单晶硅太阳能电池制造方法

[发明专利]单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电池-CN200710185125.6无效
发明人：伊藤厚雄;秋山昌次;古屋昌浩;川合信;田中好一;久保田芳宏;飞坂优二 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2007-10-30 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明是一种单晶硅太阳能电池的制造方法，包含：将氢离子或稀有气体离子注入单晶硅基板的工序；以该离子注入面作为贴合面，经由透明粘结剂，粘结该单晶硅基板与该透明绝缘性基板的工序；固化该透明粘结剂的工序；对该离子注入层施予冲击，机械性剥离该单晶硅基板，来形成单晶硅层的工序；在该单晶硅层的该剥离面侧，形成多个第二导电型的扩散区域，并作成在该单晶硅层的该剥离面，存在多个第一导电型区域和多个第二导电型区域的工序；在该单晶硅层的该多个第一导电型区域上，分别形成多个个别电极的工序；以及形成各个集电电极的工序。由此提供一种单晶硅太阳能电池，将薄膜的光变换层作成结晶性高的单晶硅层，可提供作为透视型太阳能电池。
单晶硅太阳能电池制造方法

[发明专利]单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电池-CN200710185124.1无效
发明人：伊藤厚雄;秋山昌次;川合信;田中好一;飞坂优二;久保田芳宏 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2007-10-30 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种单晶硅太阳能电池的制造方法，包含：将氢离子或稀有气体离子注入单晶硅基板的工序；形成透明导电性膜于透明绝缘性基板的表面的工序；于该单晶硅基板的离子注入面及/或该透明绝缘性基板上的该透明导电性膜的表面，进行表面活化处理的工序；贴合该单晶硅基板的离子注入面与该透明绝缘性基板上的该透明导电性膜表面的工序；对该离子注入层施予冲击，机械性剥离该单晶硅基板，形成单晶硅层的工序；以及于该单晶硅层形成pn结的工序。由此，提供一种单晶硅太阳能电池，于硅太阳能电池中，为了有效活用其原料(硅)而将光变换层制成薄膜，且变换特性优异，并且因光照射产生的劣化少，所以可使用作为住宅等的采光窗材料的透视型太阳能电池。
单晶硅太阳能电池制造方法

[发明专利]单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电池-CN200710185126.0无效
发明人：伊藤厚雄;秋山昌次;川合信;田中好一;飞坂优二;久保田芳宏 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2007-10-30 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明是一种单晶硅太阳能电池的制造方法，包含：将氢离子或稀有气体离子注入单晶硅基板的工序；对该单晶硅基板的离子注入面与透明绝缘性基板的表面之中的至少一方，进行表面活化处理的工序；以该进行表面活化处理后的面作为贴合面，来贴合该单晶硅基板的离子注入面与该透明绝缘性基板的工序；对该离子注入层施予冲击，机械性剥离该单晶硅基板，来形成单晶硅层的工序；以及在该单晶硅层的该剥离面侧，形成多个第二导电型的扩散区域，并制成在该单晶硅层的该剥离面，存在多个第一导电型区域和多个第二导电型区域的工序。由此提供一种单晶硅太阳能电池，将薄膜的光变换层制成结晶性高的单晶硅层，可提供作为透视型太阳能电池。
单晶硅太阳能电池制造方法

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