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[发明专利]一种有机无机杂化新型无铅钙钛矿晶体的制备方法及其产品和应用-CN202310447019.X在审
发明人：唐孝生;陈光昊;王玉婵;张文霞;曾福嘉;张楠;戚飞 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C07D211/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机无机杂化新型无铅钙钛矿晶体的制备方法及其产品和应用，属于钙钛矿材料制备技术领域。本发明主要是以四氨基哌啶(4amp)、氯化锌(ZnCl2)粉末和三氯化锑(SbCl3)为原料，在盐酸存在下在可控温烘箱中进行反应。不同于(4amp)2ZnCl4在365nm紫外光波长的激发光下发出蓝光)，本发明制备得到的钙钛矿晶体(Sb3+:(4amp)2ZnCl4微晶)掺杂Sb3+后经过365nm的紫外光激发后发出粉红色光，且具有晶体稳性好、发光特性优异的特点；另外本发明的制备方法简单、易操作、对设备要求不高、低成本、低能耗，适合扩大化生产。
一种有机无机新型无铅钙钛矿晶体制备方法及其产品应用

[发明专利]一种铜离子调控光学性能的锰掺杂钙钛矿量子点及其制备方法和应用-CN202310679656.X在审
发明人： 王玉婵;曾福嘉;张文霞;唐孝生;陈光昊;张楠;戚飞 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C09K11/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜离子调控光学性能的锰掺杂钙钛矿量子点及其制备方法和应用，属于钙钛矿材料光学性能与应用技术领域。该钙钛矿量子点的化学式为CsMnxCuyPb1‑x‑yCl3(其中0.11≤x0.5，0y≤0.78)。其以碳酸铯、四水合氯化锰、氯化铅和氯化铜为主要原料进行制备，通过调节铜离子的掺杂量来调控锰离子的荧光强度，从而增强锰掺杂钙钛矿量子点的荧光强度，实现其光学性能的优化。与未经铜离子调控的钙钛矿量子点相比，在相同的测试条件下，本发明中的钙钛矿量子点的光学性能更好，晶体稳性更高。其制备方法简单易操作、对设备要求不高、低成本、低能耗，适合扩大化生产。
一种离子调控光学性能掺杂钙钛矿量子及其制备方法应用

[发明专利]一种内质网应激抑制剂及其应用-CN202310481485.X在审
发明人：石国军;杨吉锋;陈燕铭;温诗怡;文哲瑶;任志涛;智亚平;王玉婵;艾鹤英;何学敏;朱延华 -专利权人：中山大学附属第三医院
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： A61K31/352 文献下载
摘要：本申请涉及生物技术领域，具体地涉及一种内质网应激抑制剂及其应用。本申请首次通过靶向IRE1α‑XBP1s通路的药物筛选，筛选到能显著抑制内质网应激的天然产物光甘草定；本申请首次证明光甘草定改善高脂饮食引起的小鼠非酒精性脂肪性肝病，包括内质网应激，脂质沉积和细胞器损伤；并且光甘草定改善衣霉素引起的小鼠肝损伤，包括内质网应激，气泡样变和脂质沉积。
一种内质网应激抑制剂及其应用

[发明专利]双香豆素及其衍生物作为内质网应激抑制剂在制备治疗肝损伤药物中的应用-CN202310481430.9在审
发明人：石国军;杨吉锋;陈燕铭;温诗怡;文哲瑶;米琳;任志涛;智亚平;王玉婵;艾鹤英;何学敏;朱延华 -专利权人：中山大学附属第三医院
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： A61K31/37 文献下载
摘要：本申请涉及生物技术领域，具体公开了一种双香豆素及其衍生物作为内质网应激抑制剂在制备治疗肝损伤药物中的应用。本发明首次通过靶向IRE1α的激酶结构域筛选到能显著抑制内质网应激的天然产物双香豆素；双香豆素可以改善衣霉素引起的小鼠肝损伤，体现为抑制内质网应激，改善气泡样变和脂质沉积。并且，光甘草定改善四氯化碳引起的小鼠肝损伤，体现为抑制内质网应激，改善炎症和细胞凋亡。
双香豆素及其衍生物作为内质网应激抑制剂制备治疗损伤药物中的应用

[发明专利]一种肥胖病的肝脏标志物及其应用-CN202310481486.4在审
发明人：石国军;杨吉锋;陈燕铭;温诗怡;文哲瑶;任志涛;智亚平;王玉婵;艾鹤英;何学敏;朱延华 -专利权人：中山大学附属第三医院
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G01N33/573 文献下载
摘要：本申请涉及生物技术领域，具体公开了一种肥胖病的肝脏标志物及其应用。本申请首次发现CYP2C29(小鼠来源)及其人同源的蛋白CYP2C8、CYP2C9和CYP2C19与肥胖和NAFLD等疾病密切相关，并通过生物学实验验证其对肝脏内质网应激和脂代谢的调控作用。光甘草定可以特异性激活肝脏CYP2C9蛋白和CYP2C29蛋白，光甘草定在体内或体外显著上调CYP2C29蛋白或CYP2C9蛋白的表达水平。CYP2C29蛋白过表达可以缓解毒胡萝卜素和棕榈酸引起的肝脏内质网应激反应，还可以缓解Tm引起的小鼠肝损伤，促进小鼠通过提高脂肪利用率促进小鼠能量消耗，改善小鼠肝脏脂代谢。
一种肥胖肝脏标志及其应用

[发明专利]一种具有电荷积累效应的超结EA-SJ-FINFET器件-CN202110745217.5有效
发明人：陈伟中;秦海峰;王礼祥;王玉婵;许峰;黄义;张红升 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有电荷积累效应的超结EA‑SJ‑FINFET器件，属于半导体技术领域。该器件由控制区和LDMOS导电区组成，控制区由源栅隔离氧化层、控制区的P‑body、控制区的P型外包区、控制区的漏极N‑buffer区、漏极P+区组成，LDMOS导电区由源极金属Al、源极P+区、源极N+区、P‑body、漂移区、漏极N‑buffer区、漏极N+区组成。本发明器件在传统FINFET器件的结构上，通过使用电荷积累效应和超结技术，提高了器件的击穿电压和跨导最大值，大幅降低了器件的比导通电阻，最终提高了器件的Baliga优值FOM，并打破了硅极限。
一种具有电荷积累效应 ea sj finfet 器件

[发明专利]一种基于硫系化合物的浪涌保护阵列及制备方法-CN202110314789.8有效
发明人： 王玉婵;袁一鸣;张文霞;戚飞;张楠;袁素真 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于硫系化合物的浪涌保护阵列及制备方法，属于半导体技术领域。该述浪涌保护阵列包括：PN二极管、下电极、下加热电极、硫系化合物层、上电极、衬底和绝热材料层；PN二极管呈栓状，等间距阵列式排布在硅衬底上；下电极位于PN二极管之上；下加热电极位于下电极之上；硫系化合物层位于下加热电极之上；上电极位于硫系化合物层之上；上电极呈条状等间距排布，且与硫系化合物层相互垂直。硫系化合物层上部与上电极构成电性连接；硫系化合物层下部通过下加热电极与下电极构成电性连接。本发明利用硫系化合物所特有的阈值导通特性实现过电压保护，是一种过压保护响应速度极快，抑制过压能力极强的浪涌保护阵列。
一种基于化合物浪涌保护阵列制备方法

[实用新型]一种切片装置-CN202221997939.6有效
发明人： 王玉婵;陈鑫;孙倩;包英;安婷 -专利权人：甘肃迪安同享医学检验中心有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： B26D1/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种切片装置，属于样本切片技术领域，包括：外壳体，所述外壳体的操作壁装配有控制器，所述外壳体的内部设置有切片台，所述切片台与外壳体间装配有使切片台具有升降功能的升降机构，所述切片台的顶端一侧对称连接有两个连接板，所述连接板的顶端连接有顶板；本实用新型设置外壳体，外壳体上设置杀菌机构，外壳体内升降设置切片台，切片台上设置夹持机构以及可移动升降的切片机构，同时切片台上通过连接板设置顶板，该种组合式装置不仅具有样本切片功能，而且具有使用前后消毒以及防尘功能，解决现有装置在切片后已经清洗但切片前同样需要工作人员进行清洁导致费时费力的问题。
一种切片装置

[实用新型]一种物品辅助放置装置-CN202221998023.2有效
发明人： 王玉婵;孙倩;陈鑫;包英;安婷 -专利权人：甘肃迪安同享医学检验中心有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： B25B11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种物品辅助放置装置，属于物品放置技术领域，包括：一端开口结构设置的手持壳体，所述手持壳体的开口端内对称设置有两个夹持臂，两个所述夹持臂与手持壳体间装配有驱动两个夹持臂相互靠近夹持或相互远离松懈的驱动机构，所述夹持臂上连接有弧形夹持块，两个弧形夹持块对称设置且在两个夹持臂接触时可形成夹持试管的圆形夹持口；本实用新型通过具有相互靠近以及相互远离功能的两个夹持臂帮助试管进行取出和放置，避免工作人员皮肤直接接触，杜绝烫伤事故的发生，使用安全性能高，同时该装置的两个夹持臂仅通过挤压两个连接杆即可实现试管的夹持取出，松开两个连接杆即可实现试管的松懈放置，操作简单，使用方便。
一种物品辅助放置装置

[发明专利]一种基于无铅双钙钛矿薄膜的柔性阻变存储器及其制备方法-CN202211347112.5在审
发明人： 王玉婵;许楠楠;袁一鸣;曾福嘉;陈光昊;冉倩;张文霞 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于无铅双钙钛矿薄膜的柔性阻变存储器及其制备方法，属于阻变存储器的制备技术领域。本发明的柔性阻变存储器结构简单，具有以下优点：(1)采用有机聚合物材料(聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚酰亚胺(PI))作为衬底，成本低廉且抗弯这能力强；(2)性能优异，具有双极性非易失存储的特点，且操作电压低、开关比高、循环耐受性好，同时机械可靠性强，可进行多次重复弯折。另外本发明的柔性阻变存储器再制备过程中采用的原料易得、制备工艺流程简单、对设备依赖性低、不含铅元素、绿色环保低毒；同时采用低温溶液旋涂法制备阻变层，避免了传统高温设备对柔性衬底造成的不可逆伤害。
一种基于无铅双钙钛矿薄膜柔性存储器及其制备方法

[发明专利]一种基于复合薄膜且性能可调的阻变存储器及其制备方法-CN202211347114.4在审
发明人： 王玉婵;许楠楠;袁一鸣;曾福嘉;陈光昊;冉倩;张文霞 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于复合薄膜且性能可调的阻变存储器及其制备方法，属于阻变存储器制备技术领域。本发明公开了一种基于复合薄膜且性能可调的阻变存储器，自下而上依次由衬底、底电极、阻变层、顶电极层叠组成，其中阻变层为掺杂Cs2AgSbBr6纳米晶体的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)复合薄膜。该阻变存储器通过改变掺入Cs2AgSbBr6纳米晶体的质量比能够实现对存储性能的调控，具有双极性非易失存储的特点。
一种基于复合薄膜性能可调存储器及其制备方法

[发明专利]一种量子除法器的设计方法-CN202011358674.0有效
发明人：袁素真;高胜威;文超;卿显荣;乔治钦;王艳;王玉婵;胡泽锐 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： G06F7/535 文献下载
摘要：本发明涉及一种量子除法器的设计方法，属于量子运算领域。该方法包括以下步骤：S1：利用量子门设计n位量子比较器，实现两个n位二进制数的比较运算；S2：利用量子门设计等位和不等位量子减法器；S3：将步骤S1和S2中的比较器和减法器综合设计得到量子除法器；S4：采用经典计算机与IBM实验室提供的开源量子云模拟器搭建实验平台并进行仿真模拟实现量子除法运算。本发明通过加入辅助量子比特并进行复用，使得量子除法运算得以实现，并提高了量子除法运算的性能，为处理更复杂的量子计算打下了基础。
一种量子法器设计方法

[发明专利]一种二氧化硅薄层包覆FeSiAl合金微粉的电磁吸收剂的制备方法及其产品和应用-CN202210805672.4在审
发明人：张楠;刘佳欣;黄强;戚飞;贺利军;王振;王玉婵;张文霞;陈威威 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： B22F1/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种二氧化硅薄层包覆FeSiAl合金微粉的电磁吸收剂的制备方法及其产品和应用，属于电磁吸收剂的制备技术领域。本发明公开了一种二氧化硅薄层包覆FeSiAl合金微粉的电磁吸收剂的制备方法，主要是将片状FeSiAl系合金微粉加入四甲氧基硅烷(TMOS)进行搅拌反应，在FeSiAl合金微粉表面形成二氧化硅薄层包覆。本发明的制备方法条件简单、容易操作、成本低廉，且形成的包覆层厚度均匀，能够大批量制备得到二氧化硅薄层包覆FeSiAl合金微粉的电磁吸收剂。
一种二氧化硅薄层 fesial 合金电磁吸收剂制备方法及其产品应用

[发明专利]一种基于无铅铯锑碘钙钛矿阻变存储器及其制备方法-CN202111210555.5在审
发明人： 王玉婵;袁一鸣;张文霞;戚飞;张楠;王振;张良睿 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于无铅铯锑碘钙钛矿阻变存储器及其制备方法，属于钙钛矿阻变存储器技术领域。本发明提出的一种基于无铅铯锑碘钙钛矿的阻变存储器及其制备方法，不仅工艺简单、还在钙钛矿阻变层中用锑元素取代铅元素，使器件制备过程绿色环保低毒；同时制备的无铅铯锑碘钙钛矿的阻变存储器结构简单，是一种非易失性存储器，具有良好的存储耐久性、较长的数据保持力以及优异的稳定性和可重复性，并且擦写电压低，可在低功耗状态下实现数据存储。本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
一种基于无铅铯锑碘钙钛矿阻变存储器及其制备方法

[发明专利]一种集成沟槽和体平面栅的SiC MOSFET器件-CN202110924156.9在审
发明人：陈伟中;许峰;秦海峰;王玉婵 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L29/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成沟槽和体平面栅的SiC MOSFET器件，属于半导体技术领域。该MOSFET是在传统沟槽栅的基础上，在沟槽栅底部引入体平面栅结构。该体平面栅由源金属﹑栅绝缘介质层﹑栅底部N+源﹑栅底部P电场屏蔽区以及栅底部沟道区组成，且栅底部N+源﹑栅底部P电场屏蔽区与源金属短接。该体平面栅不但引入新的沟道，且在P电场屏蔽区/N‑漂移区之间集成了新PN结型二极管。与传统沟槽型SiC MOSFET相比，槽栅底部峰值电场下降了75.3％；栅漏电荷下降了91.5％；开启损耗在1MHZ频率下降了66.6％；关断损耗下降了78.0％。
一种集成沟槽平面 sic mosfet 器件

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