“王润顺”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果4个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]存储器元件的结构及其制造方法-CN201910654128.2在审
发明人： 王润顺;朱猛剀;马卓娜;李华国 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开一种存储器元件的结构及其制造方法，其中该存储器元件的结构包括基板，有存储区域及逻辑区域。阻障层设置在所述基板上，覆盖所述存储区域及所述逻辑区域。图案化的内层介电层，仅在所述存储区域设置在所述阻障层上。第一通孔结构在所述存储区域形成于所述阻障层与所述图案化的内层介电层中。存储单元结构在所述存储区域，设置在所述图案化的内层介电层，与所述第一通孔结构接触。内连线结构在所述逻辑区域，设置在所述阻障层上。
存储器元件结构及其制造方法

[发明专利]半导体基底的清洗方法-CN200710141772.7无效
发明人：孙智强;蓝天呈;李华国;陈京好;黄文俊;王润顺;王敬玲;杨大江;王志祥 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2007-08-21 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体基底的清洗方法。首先，提供半导体基底，半导体基底包含有材料层与图案化光刻胶层，且图案化光刻胶层位于材料层上。之后，利用图案化光刻胶层作为蚀刻掩模对材料层进行接触蚀刻工艺，以在材料层中形成蚀刻孔洞。接着，利用清洗溶剂对半导体基底进行溶剂清洗工艺。其后利用去离子水对半导体基底进行水洗工艺，其中去离子水的温度范围介于30℃至99℃之间。
半导体基底清洗方法

[发明专利]去除刻蚀残留物的方法-CN200610026325.2有效
发明人：王灵玲;宋铭峰;郭佳衢;李建茹;方标;刘轩;王秀;郑莲晃;王润顺 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-04-30 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种去除刻蚀残留物的方法包括：提供一半导体衬底；在衬底上形成功能层，在所述功能层表面形成掩膜层；图案化所述掩膜层；干法刻蚀所述功能层以形成所需图形并采用气体喷流去除刻蚀残留物；湿法清洗去除刻蚀残留物。本发明的另一种去除刻蚀残留物的方法在刻蚀所述功能层以形成所需图形之后先利用湿法去除刻蚀残留物；然后采用灰化方法去除刻蚀残留物；最后进行灰化后的清洗。本发明的刻蚀残留物去除方法对刻蚀后聚合物残留物有很好的去除效果，而且能够抗止光刻胶去除后的残留物再沉积，很好地解决了由于被去除残留物的再沉积而引起的例如堵塞通孔等问题。
去除刻蚀残留物方法

[发明专利]去除光刻膜的技术-CN200510030309.6有效
发明人： 王润顺;王超;郑莲晃 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2005-09-29 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提供了用于去除半导体器件制造过程中使用的光刻膜的技术。第一处理室的衬底支撑部件包括至少三个可缩进针脚，所述至少三个可缩进针脚可以将晶圆抬离衬底支撑部件的表面。此外，第一处理室被配置成将衬底支撑部件自动维持在第一温度。通过使用所述至少三个可缩进针脚将晶圆抬离衬底支撑部件的表面。从衬底支撑部件对衬底的发热被减少。在衬底处于抬升位置的时候刻蚀掉衬底的光致抗蚀剂层。可以刻蚀衬底的抗反射层以充分去除所有抗反射层。在一个具体实施例中，抗反射层包括Honeywell国际公司的DUO^TM底部抗反射涂层。
去除光刻技术

1
共 4 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top