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[发明专利]表面波等离子体装置-CN201810844700.7有效
发明人： 王桂滨;韦刚 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明提供一种表面波等离子体装置，包括谐振板，在谐振板的远离反应腔室的一个表面上形成有凹槽，该凹槽中可分离的填充有介质结构，用于调节反应腔室中的等离子体分布均匀性。本发明提供的表面波等离子体装置，其不仅可以提高调节等离子体分布均匀性的便捷性、灵活性，而且还可以避免腔室颗粒增加、谐振板下表面不平整的问题。
表面波等离子体装置

[发明专利]表面波等离子体加工设备-CN201810876914.2有效
发明人： 王桂滨;韦刚 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-08-03 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种表面波等离子体加工设备，包括反应腔室和设置在反应腔室顶部的谐振腔，谐振腔的底壁设置有介质窗，还包括介质板，介质板设置于谐振腔的底壁的下方，其中，介质板在谐振腔的底壁上的正投影遮挡至少部分介质窗以及至少部分介质窗以外的区域。本发明提供的表面波等离子体加工设备能够使反应腔室中的等离子体的密度分布更加均匀，从而提高刻蚀均匀性。
表面波等离子体加工设备

[发明专利]等离子体浸没离子注入设备-CN202011253730.4有效
发明人： 王桂滨;韦刚 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种等离子体浸没离子注入设备，包括：工艺腔，在工艺腔中设置有基座，且工艺腔接地，基座与偏压电源电连接；介质筒，设置在工艺腔的顶部，且与工艺腔的内部连通；并且，介质筒的内径由上而下逐渐增大；匀气部件，采用第一导电材料制成，且设置在介质筒的顶部，并且匀气部件的下表面具有暴露于介质筒内部的匀气区域，且匀气区域中分布有多个出气口，用以向介质筒中输送工艺气体；以及耦合线圈，环绕设置在介质筒的外周，且与激励电源电连接；导电部件，分别与匀气部件和工艺腔的腔室壁电导通。本发明实施例提供的等离子体浸没离子注入设备，其可以提高晶片掺杂均匀性。
等离子体浸没离子注入设备

[发明专利]工艺腔室和半导体处理设备-CN201910238878.1有效
发明人： 王桂滨;韦刚 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-03-27 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种工艺腔室和半导体处理设备。工艺腔室包括微波产生结构、微波传输结构、微波耦合件、等离子体产生腔和工艺腔；微波传输结构分别连接等离子体产生腔和微波产生结构；微波耦合件穿设在等离子体产生腔中，其能够将微波产生结构产生的微波耦合至等离子体产生腔内，以在微波耦合件的表面形成表面波，以激发工艺气体形成表面波等离子体；工艺腔经由连接管与等离子体产生腔连通。本发明的工艺腔室，属于远程等离子体源的结构，只有需要的大量的活性自由基能够进入到工艺腔内与硅片表面上的物质进行反应，达到预期的工艺效果。此外，该表面波可以电离工艺气体形成高密度的表面波等离子体，可以提高工艺制程的工艺效率，降低制作成本。
工艺半导体处理设备

[发明专利]远程等离子体源产生装置及半导体加工设备-CN201911226372.5有效
发明人： 王桂滨;楼丰瑞;石锗元;廉串海;吕增富 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种远程等离子体源产生装置及半导体加工设备。该远程等离子体源产生装置用于为工艺腔提供等离子体，包括：微波源、微波天线以及发生腔；微波源通过波导与发生腔连接，波导与发生腔通过介质窗密封连接；微波天线的第一端穿过介质窗延伸至波导内，第二端延伸进入发生腔内部，用于将微波源产生的微波导入发生腔内，微波用于在发生腔电离工艺气体以形成表面波等离子体；发生腔通过连接管与工艺腔连通，以将表面波等离子体输送至工艺腔内。本申请实施例可以提供较高的等离子体密度以及工艺气体电离率，从而提高了工艺效率以及降低了工艺成本。进一步的，本申请实施例可以有效提高工艺腔清洗及晶圆去胶等工艺的效率。
远程等离子体产生装置半导体加工设备

[发明专利]下电极装置及相关等离子体系统-CN201910521113.9有效
发明人： 王桂滨;韦刚 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种应用于等离子体系统的下电极装置。所述等离子体系统具有下部电极、环绕所述下部电极设置的环形电极以及耦接至所述下部电极的射频源。所述下电极装置包括电场供应电路，所述电场供应电路的一端耦接至所述环形电极，所述电场供应电路的另一端选择性地耦接至所述射频源或所述接地端，当所述等离子体起辉后，所述电场供应电路用于选择性地将所述环形电极耦接至所述接地端或所述射频源，来调节所述工作件边缘上方的电场分布，进而调节工作件(如晶圆)边缘等离子体鞘层的弯曲情况，最终有效解决工作件边缘工艺结果倾斜的问题。
电极装置相关等离子体系统

[发明专利]上电极电源功率调节方法、半导体工艺设备-CN202110356810.0在审
发明人：卫晶;陈星;张宇;韦刚;杨京;王桂滨;岳昕 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2021-04-01 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体工艺设备的上电极电源功率调节方法，包括：获取基准工艺腔室和当前工艺腔室进行半导体工艺步骤时对应的上电极电源的工艺负载；根据当前工艺腔室对应的工艺负载和基准工艺腔室对应的工艺负载，确定当前工艺腔室进行对应半导体工艺步骤时的补偿系数；在进行半导体工艺步骤时，控制当前工艺腔室的上电极电源输出补偿功率。本发明提供的功率调节方法根据不同工艺腔室的工艺负载对各当前工艺腔室的上电极电源功率进行调整，使当前工艺腔室中加载至等离子体的功率与基准工艺腔室保持一致，从而提高了不同工艺腔室中等离子体的参数一致性，进而提高了工艺结果的一致性。本发明还提供一种半导体工艺设备。
电极电源功率调节方法半导体工艺设备

[发明专利]静电卡盘及半导体加工设备-CN202110096674.6在审
发明人： 王桂滨;韦刚 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种静电卡盘以半导体加工设备，静电卡盘包括绝缘层和温度调节结构；其中，绝缘层中设置有直流电极，用于静电吸附置于绝缘层上的被加工工件；温度调节结构包括设置在绝缘层底部的绝缘基体，绝缘基体中设置有对地悬浮的热交换部件，热交换部件包括自绝缘基体的上表面暴露出来的接触面，接触面与绝缘层的下表面相接触，用以通过热传导控制被加工工件的温度。本发明提出的静电卡盘及半导体加工设备，其能够减小直流电极的对地电容，以减小在对地电容上的功率损耗，提高工艺效率。
静电卡盘半导体加工设备

[发明专利]一种等离子体刻蚀方法-CN201810809089.4有效
发明人：卫晶;韦刚;陈国动;牛晨;王桂滨;杨京 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本公开提供了一种等离子体刻蚀方法，用于刻蚀反应腔室内的待加工工件，所述等离子体刻蚀方法包括至少一个刻蚀步骤，在每个所述刻蚀步骤中，包括调节上电极射频电源与下电极射频电源之间的相位差的步骤，以调节等离子体的角向分布状态。
一种等离子体刻蚀方法

[发明专利]半导体工艺设备及其法拉第杯-CN202011204687.2在审
发明人： 王桂滨;韦刚 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01J37/244 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体工艺设备及其法拉第杯，其中法拉第杯包括电源部、杯体和杯口组件，上述的杯口组件设置在杯体的杯口上，杯口组件包括第一电极层和第二电极层。第一电极层设置在杯口上方，同时第一电极层与杯体绝缘，第二电极层设置在第一电极层的上方，第二电极层与第一电极层绝缘，第一电极层和第二电极层具有对应设置的通孔，离子能够通过通孔进入到杯体中。第一电极层和第二电极层之间形成电场方向朝向第一电极层的电场，电场能够防止等离子体中扩散的自由电子进入到杯体中，从而使得法拉第杯的测量结果更加精确。
半导体工艺设备及其法拉第

[实用新型]上电极机构及半导体加工设备-CN202020404446.1有效
发明人： 王桂滨;韦刚 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01J37/24 文献下载
摘要：本实用新型提供一种上电极机构及半导体加工设备，其中，上电极机构，包括射频电源、匹配器和多组线圈，多组线圈相互环绕设置，并且各组线圈均通过匹配器与射频电源电连接，上电极机构还包括至少一个切换组件，切换组件分别与匹配器以及至少一组线圈对应电连接，用于切换对应连接的线圈中的电流方向，以使对应连接的线圈中的电流方向和与其相邻的线圈中的电流方向相同或者相反。本实用新型提供的上电极机构及半导体加工设备不仅能够提高等离子体的分布均匀性，并且还能够满足不同的工艺要求，使半导体加工工艺中的等离子体应用更加多样化。
电极机构半导体加工设备

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