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[发明专利]在半导体工艺期间对等离子体放电进行辨认和寻址的方法-CN202010710244.4在审
发明人： 王志佑 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种用于对等离子体放电进行辨认和寻址的方法。一种等离子体放电探测系统探测半导体工艺腔室内的不期望的等离子体放电事件。等离子体放电探测系统包括位于半导体工艺腔室周围的一个或多个相机。相机从半导体工艺腔室内拍摄图像。等离子体放电探测系统包括从相机接收图像的控制系统。控制系统对图像进行分析并基于图像探测半导体工艺腔室内的等离子体放电。控制系统可响应于探测到等离子体放电而实时调整半导体工艺。本公开可使半导体晶片及其集成电路中产生更好的均匀性。
半导体工艺期间等离子体放电进行辨认寻址方法

[发明专利]半导体工艺期间电弧的音频识别方法和系统-CN202011449172.9在审
发明人： 王志佑 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：一种电弧检测系统检测半导体处理洁净室环境内的电弧。电弧检测系统包含传声器阵列，所述传声器阵列安置在洁净室环境内。传声器接收洁净室环境内的声波，且基于声波产生音频信号。电弧系统包含控制系统，所述控制系统从传声器接收音频信号。控制系统分析音频信号且基于音频信号检测洁净室环境内的电弧。控制系统可响应于检测电弧而实时调整半导体工艺。
半导体工艺期间电弧音频识别方法系统

[发明专利]用于制造或分析半导体晶圆的装置、操作方法及系统-CN201811337222.7有效
发明人： 王志佑;王天文;周欣慧;林胤藏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-12 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：在用于制造或分析半导体晶圆的装置的操作方法中，在所述装置的操作期间检测所述装置的处理室中的声音。通过信号处理器来获取与检测到的声音相对应的电信号。通过所述信号处理器来处理所获取的电信号。基于所处理的电信号来检测所述装置的操作期间的事件。根据所检测到的事件来控制所述装置的操作。本发明的实施例还提供了用于制造或分析半导体晶圆的装置及系统。
用于制造分析半导体装置操作方法系统

[发明专利]晶圆接合系统、晶圆接合监视系统和接合晶圆的方法-CN202010446921.6在审
发明人： 王志佑;许希丞 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供了系统和方法，用于监视晶圆接合以及用于检测或确定在两个半导体晶圆之间形成的晶圆接合中的缺陷。晶圆接合系统包括配置为监视两个半导体晶圆之间的接合的摄像机。晶圆接合缺陷检测电路从摄像机接收视频数据并基于接收的视频数据检测接合缺陷。本发明的实施例还涉及晶圆接合系统、晶圆接合监视系统和接合晶圆的方法。
接合系统监视方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201910915496.8在审
发明人： 王志佑 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了形成半导体器件的方法和半导体器件。方法包括在半导体衬底上方沉积掩模层，蚀刻掩模层以形成图案化掩模，其中，图案化掩模的侧壁包括第一侧壁区域、第二侧壁区域和第三侧壁区域，其中，第一侧壁区域比第二侧壁区域更远离半导体衬底，并且第二侧壁区域比第三侧壁区域更远离半导体衬底，其中，第二侧壁区域从第一侧壁区域和第三侧壁区域横向突出，使用图案化掩模蚀刻半导体衬底以形成鳍，在鳍上方形成栅极堆叠件，以及在邻近栅极堆叠件的鳍中形成源极和漏极区域。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]分析制造半导体结构的方法-CN201910712331.0在审
发明人： 王志佑 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-02 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明实施例是关于分析制造半导体结构的方法，所述方法包含：设置半导体结构；设置安置于所述半导体结构周围的相机；在所述半导体结构上方安置液体物质；去除所述半导体结构的一部分；从所述半导体结构去除所述液体物质；由所述相机俘获所述半导体结构的多个第一图像；分析所述多个第一图像；基于所述多个第一图像的所述分析识别所述半导体结构的安置所述液体物质的残余物的区；及基于所述半导体结构的所述区的所述识别执行响应。
分析制造半导体结构方法

[发明专利]对晶片进行化学机械抛光的装置-CN201811343555.0在审
发明人： 王志佑;王天文;林胤藏;周欣慧 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：一种对晶片进行化学机械抛光的装置包括：工艺腔室；及能够旋转的台板，设置在工艺腔室内。抛光垫设置在台板上且晶片载具设置在台板上。浆料供应端口被配置成在台板上供应浆料。工艺控制器被配置成控制装置的操作。一组麦克风设置在工艺腔室内。所述一组麦克风被排列成探测在装置的操作期间工艺腔室中的声音并传送与所探测到的声音对应的电信号。信号处理器被配置成从所述一组麦克风接收电信号，处理电信号以实现对在装置的操作期间的事件的探测，并响应于探测到事件而向工艺控制器传送反馈信号。工艺控制器还被配置成接收反馈信号并基于所接收到的反馈信号来启动动作。
台板工艺控制器麦克风探测化学机械抛光操作期间工艺腔室配置工艺腔晶片室内传送反馈信号接收反馈信号接收电信号信号处理器反馈信号供应端口供应浆料晶片载具控制装置启动动作抛光垫浆料传送响应

[发明专利]运动微机电系统(MEMS)封装件-CN201510783708.3有效
发明人：程世伟;吕超波;洪忠贤;陈志山;柯全益;王志佑;许希丞;蒋季宏;翁睿均;吴威鼎 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-16 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有抗粘滞层的微机电系统(MEMS)封装件及相关形成方法。在一些实施例中，MEMS封装件包括器件衬底和CMOS衬底。器件衬底包括具有可移动的或灵活的部分的MEMS器件，该可移动的或灵活的部分相对于器件衬底是可移动的或灵活的。可移动的或灵活的部分的表面涂覆有由多晶硅制成的共形抗粘滞层。本发明也提供了一种用于制造MEMS封装件的方法。本发明实施例涉及运动微机电系统(MEMS)封装件。
运动微机系统 mems 封装

[发明专利]微电子机械系统封装件及其形成方法-CN201610903062.2有效
发明人：程世伟;翁睿均;许希丞;王志佑;蒋季宏;吴威鼎;陈信宇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-10-17 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及微电子机械系统(MEMS)封装件及其形成方法，该MEMS封装件具有配置为通过向室中引入排气调整密封室内的压力的加热元件。在一些实施例中，MEMS封装件具有CMOS衬底，该CMOS衬底具有布置在半导体主体内的一个或多个半导体器件。MEMS结构连接至CMOS衬底并且具有微电子机械(MEMS)器件。CMOS衬底和MEMS结构形成了邻接MEMS器件的密封室。加热元件电连接至一个或多个半导体器件并且通过沿着密封室的内表面布置的排气层与密封室分隔开。在形成加热元件之后，通过操作加热元件引起排气层释放气体，可以调整密封室的压力。
微电子机械系统封装及其形成方法

[发明专利]用于寄生电容器的层间多晶硅连接件以及管芯尺寸改进-CN201610755921.8在审
发明人：程世伟;王志佑;许希丞;蒋季宏;翁睿均;林炫政;吴威鼎;胡景翔 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-29 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及使用多晶硅层间连接件以提供MEMS器件信号中的较低的寄生电容的微机电系统(MEMS)封装件、以及形成方法。在一些实施例中，MEMS封装件具有CMOS衬底，CMOS衬底具有在半导体主体内布置的一个或多个半导体器件。具有活动元件的MEMS衬底通过导电接合结构连接至CMOS衬底。在MEMS衬底的从活动元件横向偏移的位置处的前侧上布置导电接合结构。一个或多个多晶硅通孔延伸穿过导电的MEMS衬底至接合结构。一个或多个多晶硅通孔配置为将MEMS衬底电耦合至CMOS衬底。通过使用多晶硅通孔将MEMS衬底连接至CMOS衬底，减小了MEMS封装件的寄生电容和形状系数。本发明的实施例还涉及用于寄生电容器的层间多晶硅连接件以及管芯尺寸改进。
用于寄生电容器多晶连接以及管芯尺寸改进

[发明专利]MEMS结构及其形成方法-CN201310221687.7在审
发明人：程世伟;翁睿均;许希丞;王志佑;杜荣国;朱则荣;徐于庭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-06-05 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：一种集成电路器件包括第一层，该第一层包含至少两个局部腔；接合至第一层的中间层，该中间层形成用于支撑至少两个微电子机械系统（MEMS）器件；以及接合至中间层的第二层，该第二层包含用于通过中间层使第一层的至少两个局部腔完整的至少两个部分层，从而形成至少两个密封的完整腔。在该至少两个完整腔内的压力不同。本发明还提供了一种MEMS结构及其形成方法。
mems 结构及其形成方法

[实用新型]手动复位漏电断路器-CN200320105043.3无效
发明人： 王志佑;刘东升 -专利权人： 王志佑
申请日： 2003-10-28 - 公布日： 2005-01-05 - 主分类号： H01H71/50 文献下载
摘要：一种手动复位漏电断路器，它包括小型断路器，设置有手动复位机构、N极动作机构、试验按钮机构、电子组件和壳体等组成的漏电保护脱扣断路器，其特征是：漏电保护脱扣断路器的手动复位机构中通过转轴连接脱扣件，脱扣件位于动触头和静触头之间，在脱扣件的内侧组装上下滑动的复位锁扣，脱扣件和复位锁扣两者端部设置相互钩住的钩台，复位锁扣的下端组装锁扣反力簧。本实用新型的优点是：减少产品安装占用空间，扩大使用范围，确保电路漏电故障判断准确，动作可靠，手动复位，可靠关合。
手动复位漏电断路器

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