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[实用新型]微小渗漏量自动量测装置及结构-CN202220526865.1有效
发明人：陈文华;张猛;王国斌 -专利权人：中国电建集团华东勘测设计研究院有限公司;杭州国家水电站大坝安全和应急工程技术中心有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01F13/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种微小渗漏量自动量测装置及结构。适用于大坝安全监测技术领域。本实用新型所采用的技术方案是：一种微小渗漏量自动量测装置，其特征在于：具有量水器，以及接于量水器上部的进水管和接于量水器底部的放水管，其中进水管装有进水口电控球阀，放水管装有放水口电控球阀，量水器内设有位于不同高度位置的上水位测针和下水位测针；所述进水口电控球阀、放水口电控球阀、上水位测针和下水位测针均电路连接控制采集器，该控制采集器基于上水位测针和下水位测针采集的水位信号控制进水口电控球阀和放水口电控球阀开关。
微小渗漏动量装置结构

[发明专利]发光二极管及其制备方法-CN202111654387.9有效
发明人：闫其昂;王国斌 -专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管及其制备方法。发光二极管的制备方法包括：提供衬底；于衬底的上表面形成外延结构，外延结构包括第一限制材料层和发光层，发光层位于第一限制材料层的上表面；第一限制材料层中包含In，且In的组分沿第一限制材料层的厚度方向渐变；对第一限制材料层进行处理，消耗部分第一限制材料层以形成第一限制区域及第一限制层，第一限制区域位于第一限制层的外围；其中，第一限制层靠近发光层的表面尺寸小于发光层的尺寸，且小于第一限制层背离发光层的表面尺寸。上述发光二极管的制备方法可以提高载流子的注入效率，同时增强载流子在其他功能层中的扩展效果。
发光二极管及其制备方法

[发明专利]半导体衬底及其制备方法、半导体器件及其制备方法-CN202111432273.X有效
发明人： 王国斌;闫其昂;刘宗亮 -专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体衬底及其制备方法、半导体器件及其制备方法。其中，半导体衬底及其制备方法包括：提供半导体基础衬底；将半导体基础衬底放入刻蚀腔室内；对半导体基础衬底的材料表面进行化学分解，以形成凸起结构；以第一刻蚀功率对形成有凸起结构的半导体基础衬底进行刻蚀，以形成半导体衬底。本申请实施例形成具有凹坑结构的半导体衬底，一方面可以有效缓解应力，另一方面可以提高半导体器件中，形成于半导体衬底上的有源层的面积。
半导体衬底及其制备方法半导体器件

[发明专利]一种低背景浓度氮化镓外延结构的制备方法及其外延结构-CN202210758795.7有效
发明人： 王国斌;周溯沅 -专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种低背景浓度氮化镓外延结构的制备方法及其外延结构，包括：在衬底层上沉积氮化铝缓冲层，阻挡衬底层上吸附的O杂质；反应腔室在第一V/III比的条件下，持续通入镓源和氮源，以便在所述氮化铝缓冲层上生成氮化镓粗化层，减少氮化镓中穿透位错等线缺陷的形成，阻断后序外延层材料杂质并入根源；所述反应腔室在第二V/III比的条件下，持续通入所述镓源和所述氮源，以便在所述氮化镓粗化层上生长氮化镓恢复层，减少氮空位的产生，为后续生长低背景浓度；所述反应腔室在第三V/III比的条件下，持续通入所述镓源和所述氮源，以便在所述氮化镓恢复层上生长低背景浓度氮化镓层；减少氮空位的产生，以及C、Si杂质的并入，降低氮化镓的背景浓度。
一种背景浓度氮化外延结构制备方法及其

[发明专利]外延结构、其制作方法及深紫外消杀装置-CN202310867965.X在审
发明人：李利哲;王国斌 -专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种外延结构、其制作方法及深紫外消杀装置。所述外延结构包括沿指定方向依次设置的衬底、缓冲层、N型层、多量子阱层和P型层；所述缓冲层包括沿指定方向依次设置的第一缓冲层和第二缓冲层，所述第一缓冲层、第二缓冲层和N型层均具有孔洞结构，并且第二缓冲层的孔洞密度小于第一缓冲层的孔洞密度。本发明中的双层结构的缓冲层能够提高上层结构的晶体质量，并且双层结构的缓冲层中均具有孔洞结构，一方面孔洞结构可以缓解在制备深紫外半导体发光器件的层结构之间的应力，另一方面也能够实现对深紫外光的散射，提高了光提取效率，出光强度更大。
外延结构制作方法深紫外消杀装置

[发明专利]一种基于绝缘套的引流线识别方法、存储介质及机器人-CN202311052231.2在审
发明人： 王国斌;王涛;陈兵;林行;纪雄斌 -专利权人：福建大观电子科技有限公司
申请日： 2023-08-21 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： B25J11/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于绝缘套的引流线识别方法、存储介质及机器人，所述引流线识别方法包括以下步骤：通过激光雷达扫描当前环境中的引流线得到当前环境的雷达点云数据；对雷达点云数据的信号强度进行匹配，得到信号特征码所对应的数据块，所述信号特征码为绝缘套上特征码区由激光雷达扫描得到的数字特征码；将得到的数据块进行解析，转换成空间信息，即可得到引流线的空间位置。将容易被激光雷达识别的绝缘套设置在电缆引流线上，进而使得激光雷达可以容易识别出电缆引流线，便于后续的带电作业。
一种基于绝缘引流识别方法存储介质机器人

[发明专利]智能化节能环保型田间地头果蔬真空预冷设备系统-CN202210118169.1有效
发明人：冯仁君;王国斌;孙速梅;陈昭;杨宝雷;李程北;李静;董伟光 -专利权人：郑州凯雪冷链股份有限公司
申请日： 2022-02-08 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： F25D13/00 文献下载
摘要：本发明涉及果蔬冷藏领域，具体涉及智能化节能环保型田间地头果蔬真空预冷设备系统。包括包括冷库、传感装置、数据传输装置和后台监控装置，传感装置包括设置于冷库内侧壁的轨道、外框架、内框架和连接传动组件，外框架由外伸缩缸围合成长方形，内框架由内伸缩缸围合；连接传动组件包括内齿轮、外齿轮、内齿条、外齿条和触发块，外齿条和内齿条同侧且滑动设置于轨道，内齿轮设置于内框架的边框且与内齿条啮合、外齿轮设置于外框架的边框且与外齿条啮合，触发块上设置有报警开关且单向连接外齿条和内齿条。本发明的传感装置采用机械结构设计，能够在冷库温度升高至环境温度再落至初始温度时发出警报，提醒工作人员处理果蔬，保证果蔬储存质量。
智能化节能环保田间地头真空预冷设备系统

[发明专利]基于III族氮化物量子点的半导体发光结构制备方法及器件-CN202210677343.6有效
发明人： 王国斌;闫其昂 -专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种基于III族氮化物量子点的半导体发光结构制备方法及器件。该半导体发光结构包括依次设置的极性氮化物单晶衬底、第一导电类型的第一III族氮化物层、多量子阱有源区和第二导电类型的第二III族氮化物层；多量子阱有源区包含一个以上周期结构，一个周期结构包括依次设置的量子垒层、量子点基底层、量子阱层和帽层；量子点基底层具有多孔结构，其中多个孔洞沿厚度方向贯穿量子点基底层；量子阱层包括多个III族氮化物量子点，每一III族氮化物量子点至少局部嵌入相应一所述孔洞内。本申请能有效降低极性GaN材料的极化效应，加强电子空穴波函数的重叠，改善半导体发光器件在大电流密度下的工作效率，并使其具有发光强度高和发光均匀性好等特点。
基于 iii 氮化物量子半导体发光结构制备方法器件

[实用新型]一种莲花座脚手架-CN202321011418.3有效
发明人：曹万珍;王嘉宁;祁伟;王国斌 -专利权人：甘肃省安装建设集团有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： E04G5/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种莲花座脚手架，包括多个井子面和多个立杆，多个立杆分别安装在多个井子面的一侧，相邻的多个井子面和多个立杆之间分别通过多个斜撑活动连接，相对应的多个井子面的内壁之间均设有铺设跳板，多个井子面的中间位置处设有钢柱，其中一部分井子面的外表面均开设有外螺纹，其中一部分井子面的一端部均固定套设有限位圈，本实用新型一种莲花座脚手架，通过设置了外螺纹、搁置套筒、尖锥和限位条，将限位条的一端嵌入到对应的限位孔和开设在支撑板一侧的圆孔的内部进行螺纹连接，从而可以将支撑板与支撑架进行限位与固定，保证了尖锥的稳定性，尖锥与土壤相嵌插，避免了井子面晃动而造成工作人员摔伤。
一种莲花脚手架

[发明专利]一种带电作业机器人引线搭接装置及搭接方法-CN202210093833.1有效
发明人：王涛;王国斌;陈兵;纪雄斌 -专利权人：福建大观电子科技有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H02G1/14 文献下载
摘要：一种带电作业机器人引线搭接装置及方法，装置包括：接线工具和线夹；接线工具，包括：机架、线夹安装机构、引线夹紧机构和线夹拧紧机构；线夹安装机构和引线夹紧机构并排设置在机架上方的前端，线夹拧紧机构设在机架上方的后端；线夹，包括：前侧部、后侧部，前侧部和后侧部之间通过至少一对螺栓进行连接，并且，在前侧部和后侧部之间形成供母线和引线穿过的母线槽和引线槽；线夹安装机构，用于夹持线夹；引线从引线引导槽进入至线夹的引线槽后被引线夹紧机构夹紧；线夹拧紧机构，包括：并排设计的两个螺批头组件单元和螺批头驱动单元。本发明能够单轴异步旋紧线夹螺母、旋紧后接线工具和线夹能够自动脱离并且低功耗。
一种带电作业机器人引线装置方法

[实用新型]一种开关-CN202320582480.1有效
发明人： 王国斌 -专利权人：浙江安斯澳物联科技有限公司
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01H23/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种开关，包括面板按键、安装框架、开关模块和开关壳座，开关模块进一步包括内按键、动触片组件和静触片组件，内按键转动可作用于动触片组件，并带动触片组件与静触片组件断开或闭合，内按键在其转动连接部的两侧延伸出按压臂，在位于内按键的两侧端处设有按压头，按压头转动安装在开关壳座内，并具有自由端，面板按键可对按压头上自由端下压，内按键的按压臂与对应按压头的自由端下压联动。短内按键在有限空间内的极限摆动角度大，将内按键中部设的摆动部做薄，也能起到作用于动触片组件；在内按键的两侧端加设按压头，面板按键对应按压头的部位相对于其对应内按键的部位摆动幅度更大，使面板按键摆动过程中能向下按压到按压头。
一种开关

[发明专利]载流子扩展结构、生长方法及外延片-CN202111633493.9有效
发明人：闫其昂;王国斌 -专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种载流子扩展结构、生长方法及外延片，所述载流子扩展结构生长在浅发光层上，包括：缓冲层单元；电子限制层单元，生长在所述缓冲层单元上；所述缓冲层单元和电子限制层单元中均包括交替生长的InGaN体系材料层和GaN体系材料层，其中，位于所述电子限制层单元中的GaN体系材料层包括依次生长的uGaN前限制层、nAlxGa1‑xN中限制层、uGaN后限制层。本发明的载流子扩展结构，生长在浅发光层与发光层之间，实现降低电子溢出，提高空穴注入发光层的几率，提升发光效率。
载流子扩展结构生长方法外延

[发明专利]MOCVD设备的复机方法及外延片的制备方法-CN202310651846.0在审
发明人：闫其昂;周溯沅;王国斌 -专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种MOCVD设备的复机方法及外延片的制备方法，所述复机方法包括：对所述反应腔的内壁进行重沉积，形成重沉积层；对所述重沉积层进行涂层沉积，形成涂层；其中，所述重沉积层所用材料包括液态的有机金属源。本发明提供的复机方法通过重沉积提高了复机效率，提高了外延生长的生产产能，降低了成本。而且，本发明提供的复机方法具有稳定的沉积工艺，为后续量产工艺提供了稳定的复机环境，解决了MOCVD复机流程繁复、复机周期时间长以及开腔维护后腔体里面的环境发生变化导致外延生长初期电性异常的问题。
mocvd 设备复机方法外延制备

[发明专利]MOCVD设备的复机方法及外延片的制备方法-CN202310652700.8在审
发明人：闫其昂;周溯沅;王国斌 -专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种MOCVD设备的复机方法及外延片的制备方法，所述复机方法包括：对所述反应腔进行热预处理；对所述反应腔进行第一涂层处理，以在所述反应腔的内壁上形成第一涂层；对所述反应腔进行第二涂层处理，以在所述第一涂层上形成第二涂层；其中，所述第一涂层的材料包括Ga源；所述第二涂层的材料包括In源和/或Mg源，所述第二涂层所用材料的蒸气压大于或等于设定值。本发明提供的复机方法能够解决现有技术中MOCVD机台复机流程繁琐、复机周期时间长以及开腔维护后腔体里面的环境发生变化导致外延生长初期电性异常的问题。
mocvd 设备复机方法外延制备

[发明专利]一种Ka频段GEO卫星地面站天线单脉冲跟踪控制方法-CN202310665810.8在审
发明人：董旭锋;韩文泽;张国志;王尚博;尹辰飞;宫豫燕;王国斌 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十四研究所
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H04B7/185 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ka频段GEO卫星地面站天线单脉冲跟踪控制方法，属于卫星通信地面站天线跟踪控制领域。本发明包括：天线伺服设备连接单脉冲跟踪接收机，获取单脉冲跟踪系统的定向灵敏度参数；并根据天线口径和跟踪频点计算并设定跟踪控制的判定门限；建立3个长度为n的数组，分别存储方位误差电压Ua、俯仰误差电压Ue与总误差电压U；启动单脉冲跟踪；并实时采集方位误差电压和俯仰误差电压，总误差电压U根据计算得到，评估误差根据评估误差V与判定门限进行单脉冲跟踪控制。本发明可在单脉冲跟踪失效前自动切换为其他跟踪方式，可解决由于交叉耦合变差导致天线单脉冲跟踪偏离卫星主波束的问题，提高天线跟踪的可靠性。
一种 ka 频段 geo 卫星地面站天线脉冲跟踪控制方法

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