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- [发明专利]闪存存储器及其制造、使用方法-CN202010754242.5有效
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高超;王哲献;于涛易
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2020-07-30
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2023-08-04
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H10B41/30
- 本发明提供的一种闪存存储器及其制造方法、操作方法，闪存存储器包括至少两个间隔设置的闪存单元组，闪存单元组中位于连接区的相邻字线之间设有横跨相邻字线间区域的第一控制栅，从而使相邻字线间用于电连接的控制栅无间距，且在闪存单元组的连接区中，位于边缘字线外侧的第二控制栅沿垂直于字线的延伸方向并远离第一控制栅的端部至少部分突出第一侧墙，以提高闪存存储器的集成度。在编程操作时，对其中之一的闪存单元编程时，对第一控制栅两侧的字线其中之一施加小于零的电压，以减小编程过程中的干扰，在擦除操作时，对同一闪存单元组内的所有字线施加相同电压，以及对所有第一控制栅和第二控制栅施加相同电压，以对同时擦除所有闪存单元，提升工作效率。
- 闪存存储器及其制造使用方法
- [发明专利]闪存存储器及其制造、使用方法-CN202010764706.0有效
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王哲献;于涛易
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2020-07-30
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2023-07-18
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H10B41/00
- 本发明提供的一种闪存存储器及其制造方法、操作方法，闪存存储器包括至少两个间隔设置的闪存单元组，闪存单元组中位于连接区的相邻字线之间设有横跨相邻字线间区域的第一控制栅，从而使相邻字线间用于电连接的控制栅无间距，且在闪存单元组的连接区中，位于边缘字线外侧的第二控制栅沿字线的延伸方向并远离器件区的端部至少部分突出第一侧墙，以提高闪存存储器的集成度。在编程操作时，对其中之一的闪存单元编程时，对第一控制栅两侧的字线其中之一施加小于零的电压，以减小编程过程中的干扰，在擦除操作时，对同一闪存单元组内的所有字线施加相同电压，以及对所有第一控制栅和第二控制栅施加相同电压，以对同时擦除所有闪存单元，提升工作效率。
- 闪存存储器及其制造使用方法
- [发明专利]分栅快闪存储器及其制备方法-CN202010251504.6有效
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曹启鹏;付博;王哲献;王卉
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2020-04-01
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2023-05-26
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H10B41/30
- 本发明提供的一种分栅快闪存储器及其制备方法，该制备方法包括：提供一半导体衬底，半导体衬底包括相邻的存储区和逻辑区，存储区形成有字线栅极，逻辑区形成有多晶硅层，且暴露出了所述字线栅极的端点，字线栅极包括覆盖共享字线的氧化物层；刻蚀所述端点处的氧化物层；形成图形化的掩模层，图形化的掩模层在字线栅极的端点处暴露出部分长度的字线栅极，还覆盖了逻辑区用于形成逻辑栅极的区域；以图形化的掩模层为掩模，刻蚀多晶硅层，并去除剩余图形化的掩模层，以形成逻辑栅极。本发明通过刻蚀端点处的氧化物层，有利于减少在后续工艺中会在存储区的字线栅极端点处产生的残留物，从而解决了因此引起的逻辑区和存储区功能失效问题的发生。
- 分栅快闪存及其制备方法
- [发明专利]半导体器件的形成方法-CN201910912440.7有效
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高超;王哲献
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2019-09-25
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2021-12-10
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H01L27/11536
- 本发明提供了一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底，衬底分为第一部分和第二部分；在衬底上依次形成形成第一介质层、浮栅层、第二介质层和控制栅层；依次刻蚀第一部分的控制栅层、第二介质层、浮栅层和第一介质层形成多组并排的引出结构，每组引出结构包括两个引出条三个控制栅连接电极，三个所述控制栅连接电极分别连接在两个所述引出条的外侧和两个所述引出条之间，每一个引出条连接第二部分的一端的横截面尺寸大于另一端，相邻的两组引出结构的控制栅连接电极错开布置。在本发明半导体器件的形成方法中，形成的任一组控制栅连接电极不会与其相邻的引出条连接短路。
- 半导体器件形成方法
- [发明专利]半导体器件的制造方法-CN202110877890.4在审
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于涛易;江红;王哲献
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2021-07-30
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2021-11-05
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H01L29/78
- 本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底，衬底上依次形成有浮栅层和控制栅层；在浮栅层和控制栅层上形成暴露衬底的第一开口；在第一开口两侧分别形成第一字线结构和第二字线结构；在第一开口内形成第一光刻胶层，并延伸覆盖所述第一字线结构和第二字线结构，以扩大第一光刻胶层的工艺窗口；以所述第一光刻胶层为掩模刻蚀所述控制栅层和所述浮栅层，使所述第一字线结构和所述第二字线结构分别形成第一栅极结构和第二栅极结构。本发明通过形成第一开口使第一光刻胶层覆盖第一字线结构、第二字线结构和第一开口，增大第一光刻胶层的图形面积，从而增大所述第一光刻胶层的工艺窗口，减少或避免漂胶，提高产品良率。
- 半导体器件制造方法
- [发明专利]分栅快闪存储器的制备方法-CN202110090004.3在审
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于涛易;王哲献;李冰寒;江红;高超
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2021-01-22
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2021-05-04
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H01L21/8246
- 本发明提供一种分栅快闪存储器的制备方法，通过形成的所述图案化光刻胶层，暴露出所述逻辑区中的部分所述多晶硅层、所述字线的相对两端以及位于所述字线的相对两端的所述控制栅侧墙。并以所述图案化光刻胶层为掩模，去除所述逻辑区中暴露出的所述多晶硅层，以形成所述逻辑区的栅极结构，以及去除暴露出的所述字线的相对两端和位于所述字线的相对两端的所述控制栅侧墙。因此，本发明仅通过一个光罩形成图案化光刻胶层，即可将所述字线相对两端部的控制栅侧墙去除，以将包围所述字线的所述控制栅侧墙切开。与此同时，还去除了所述逻辑区的部分所述多晶硅层，以形成逻辑区的栅极结构。因此，本发明不仅精简工艺流程，还减少光罩使用，降低制备成本。
- 分栅快闪存制备方法
- [发明专利]半导体器件加工方法-CN201810311966.5有效
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陈宏;王哲献;曹子贵;王卉
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2018-04-09
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2020-07-31
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H01L21/02
- 本发明提供了一种半导体器件加工方法，提供一晶圆，所述晶圆具有缺口，所述晶圆上形成有若干芯片，所述芯片中存在残留物；将所述晶圆的所述缺口固定在一清洗台的8点钟方向至10点钟方向之间，对所述晶圆进行清洗，所述晶圆清洗时竖直放置；以及所述晶圆在清洗完成后，保持所述缺口方向不变，将所述晶圆沿竖直方向取出。通过改变在晶圆清洗前，所述缺口的固定方向，并在所述晶圆清洗完成后，保持所述缺口的方向不变，将所述晶圆取出，在所述晶圆取出过程中，位于芯片器件区的残留物将由于重力的作用进入芯片的外围区，从而改善了90纳米嵌入式闪存工艺平台中生产出来的芯片的数据保持能力。
- 半导体器件加工方法
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