“王倩琼”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果8个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种单粒子瞬态加固LDO设计方法-CN202211042504.0在审
发明人：张健;王倩琼;巨艇;邢建丽;赖晓玲;秦晟昱 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明涉及一种单粒子瞬态加固LDO设计方法，属于CMOS集成电路空间单粒子效应防护技术领域。该方法通过使用双指数电流源模型，定位LDO电路中单粒子瞬态敏感节点分别为环路主级点和带隙基准源电路中负反馈放大器正向输入点。针对LDO核心电路，增加主级点电路模块的支路电流；针对LDO的带隙基本源电路，调整基准电路中的左右两侧bjt管比例为1:2，并设计模拟信号双路冗余电路结构实现加固。提高了LDO在空间辐照环境下的可靠性。
一种粒子瞬态加固 ldo 设计方法

[发明专利]一种总剂量防护带隙基准源电路-CN201911043357.7有效
发明人： 王倩琼;王轩;巨艇;赖晓玲;张健;邓星星 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：一种总剂量防护带隙基准源电路，包括：带隙核心电路、启动电路I、动态基极补偿分支电路I、动态基极补偿分支II、电源抑制比PSRR增强电路、启动电路II和带隙输出电压电路。动态基极补偿分支电路I和动态基极补偿分支电路II用于补偿带隙核心电路在受到辐照总剂量效应下所感生的双极性晶体管基极泄漏电流，二者间又利用反馈环路实现稳定结构；电源抑制比PSRR增强电路提供带隙核心电路的栅极偏置电压实现提高电源抑制比；带隙输出电压电路则将带隙核心电路的输出参考电流信号Iref转化为参考电压信号Vref，并向外输出；启动电路II接收带隙输出电压电路输出的带隙参考电压Vref，向带隙核心电路提供启动信号。本发明利用动态基极补偿机制实现抗辐照总剂量效应。
一种剂量防护基准电路

[发明专利]一种基于商用工艺的低资源消耗DICE触发器设计方法-CN202011359932.7在审
发明人：张建;赖晓玲;王倩琼;巨艇;邓星星;戴璐 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H03K3/013 文献下载
摘要：一种基于商用工艺的低资源消耗DICE触发器设计方法，在不影响芯片设计流程的情况下，从65nm商用MOS器件SEU发生机理出发，利用多节点电荷共享收集所产生的节点翻转再恢复Recovery效应，对在DICE触发器单元的物理版图层面实现抗SEU的加固设计，实现代价小、资源消耗低、可靠性高的目的。
一种基于商用工艺资源消耗 dice 触发器设计方法

[发明专利]抗辐照复杂集成电路单粒子错误率截面预估方法-CN201710388322.1有效
发明人：刘红侠;杜守刚;王树龙;王倩琼 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种抗辐照复杂集成电路单粒子错误率截面预估方法，其技术方案是：根据电路的系统功能编制地面全功能试验程序，按照占空因子相等，辐射效应类型相同和物理版图可划分的原则，将电路划分成多个模块，并求出各模块的在地面加速试验条件下的占空因子；根据整个电路的单粒子错误率截面与各模块的单粒子本征错误截面、占空因子的相关性，建立单粒子错误率截面预估模型；通过该模型能对抗辐照复杂集成电路的空间应用程序下抗辐照性能做出预估；根据各模块的最大占空因子对地面最劣的单粒子错误率截面进行预估，实现对抗辐照复杂集成电路单粒子错误率截面的预估计，为抗辐照复杂集成电路的空间工程应用选型提供参考依据。
辐照复杂集成电路粒子错误率截面预估方法

[发明专利]抗辐照集成电路单粒子效应截面预估方法-CN201710522182.2有效
发明人：刘红侠;杜守刚;王树龙;王倩琼 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗辐照集成电路单粒子效应截面预估方法，主要是解决在相同地面重离子加速辐照实验条件下单粒子效应截面预估问题，其技术方案为：从大量的工程试验数据出发，分析离子总注量与其所引起的单粒子效应次数之间的逻辑相关性，结合单粒子效应产生的机理和概率论统计理论，建立下一次单粒子效应出现的时间节点Δt_i+1的预估模型以及整个电路单粒子效应截面δ的预估模型，从而建立了离子总注量及其所引起单粒子效应次数之间的逻辑关系，本发明解决了在相同试验条件下单粒子效应截面预估问题，为抗辐照集成电路的地面加速模拟试验评估提供了一种工程性的分析手段。可用于对航天微电子器件抗辐照性能预估。
辐照集成电路粒子效应截面预估方法

[发明专利]PLL电路抗辐照性能评估方法-CN201710522652.5有效
发明人：刘红侠;杜守刚;王树龙;王倩琼 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： G01R31/308 文献下载
摘要：本发明公开了一种宇航用抗辐照PLL锁相环电路抗辐照性能评估方法，主要解决现有技术在辐照环境下对电路的功能和性能评估不全面的问题，其技术方案为：从工程试验结果及电路内部设计原理出发，根据PLL锁相环电路在地面加速工程辐照试验时所表征出来的功能及性能的变化，结合不同层面用户的需求，提出用PLL单粒子伪失锁截面、PLL单粒子失锁截面、PLL单粒子功能错误截面和PLL单粒子失锁恢复截面四个评估参数所组成的评估列表综合表征宇航用抗辐照PLL电路的抗辐照性能，从而更加系统合理地解决了PLL电路抗辐照性能评估不全面的问题，为宇航用抗辐照PLL锁相环电路的空间工程应用及地面抗辐照加固设计提供参考依据。
pll 电路辐照性能评估方法

[发明专利]一种制备基于65nm工艺的冗余掺杂抗辐照MOS场效应管的方法-CN201510107916.1有效
发明人：刘红侠;陈树鹏;张丹;陈煜海;刘永杰;王倩琼;赵东东;王树龙 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2015-03-12 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于65nm工艺的冗余掺杂抗辐照MOS场效应管，主要解决传统65nm MOS场效应管在总剂量辐照环境下，阈值电压漂移、亚阈值摆幅退化和关态漏电流退化的问题。其包括P型衬底(1)和位于衬底上的外延层(2)，外延层的上方四周和中部分别设有隔离槽(3)和栅极(6)，栅极两侧边界到隔离槽内边界之间的外延层中设有源漏有源区(4)，栅极两侧边界下方的外延层中设有轻掺杂源漏区(5)，栅极正下方位于两个轻掺杂源漏区之间的区域形成沟道，在与沟道长度方向平行的两个侧边隔离槽底部，即该处的外延层界面上插有冗余掺杂区(7)。本发明提高了器件抗总剂量辐照能力，可用于大规模集成电路的制备。
基于 65 nm 工艺冗余掺杂辐照 mos 场效应

[发明专利]基于SOI衬底的环栅抗辐照MOS场效应管-CN201611033213.X在审
发明人：刘红侠;刘贺蕾;冯兴尧;陈树鹏;赵璐;汪星;王倩琼;李伟 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-11-02 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于SOI衬底的环栅抗辐照MOS场效应管，其包括Si衬底(1)和位于Si衬底(1)内的埋氧层(2)，以及Si衬底(1)上的外延层(3)，外延层中部内设有漏区(5)，漏区外边界紧邻的外延层上方设有环形栅极(4)，环形栅极(4)内外两侧边缘下方的外延层内设有轻掺杂源漏区(7)，该轻掺杂源漏区之间的区域形成沟道；栅极外边缘紧邻的外延层内设有环形源极有源区(6)，环形源极有源区(6)外围紧邻的外延层内设有环形隔离槽(8)，形成依次包围在有源区外部的栅环、源环和隔离槽环这种环套结构。本发明抑制了阈值电压漂移、亚阈值摆幅退化，提高了器件抗总剂量辐照能力，可用于大规模集成电路的制备。
基于 soi 衬底环栅抗辐照 mos 场效应

1
共 8 条