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- [发明专利]成膜装置-CN201410162793.7有效
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酒见俊之;宫下大;北见尚久;牧野博之
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住友重机械工业株式会社
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2014-04-22
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2017-06-13
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C23C14/32
- 本发明提供一种能够提高成膜材料的材料利用率的成膜装置。本发明的成膜装置(1)具备调整来自蒸发源(2)的成膜材料粒子(Mb)的扩散宽度的扩散宽度调整部(50)。该扩散宽度调整部(50)能够使与短边方向D1正交的长边方向D2上的扩散宽度大于短边方向D1上的扩散宽度。即，扩散宽度调整部(50)能够使短边方向D1上的扩散宽度小于长边方向D2上的扩散宽度。因此，能够以抑制附着于在短边方向D1上对置的真空腔室(10)的侧壁(10i)及侧壁(10h)的方式，减小短边方向D1上的扩散宽度变小。由此，能够使附着于真空腔室(10)的壁面上的成膜材料粒子(Mb)减少，且能够提高成膜材料(Ma)的材料利用率。
- 装置
- [发明专利]半导体装置-CN01117498.6有效
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牧野博之
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三菱电机株式会社
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2001-05-10
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2002-01-30
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H01L29/78
- 在该半导体装置中,有助于晶体管的工作的第1栅电极1～4和无助于晶体管的工作的第2栅电极19、20的栅长都相同,此外,沿栅长方向以相同的间距来配置。此外,分别将第1栅电极1～4和第2栅电极19、20的栅宽方向的两端部设置在最长的有源区宽度以上。利用该结构,在设计半导体装置内的半导体集成电路时,可提供具有不引起晶体管的性能下降的图形结构的半导体装置。
- 半导体装置
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