“牟善勇”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果10个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]评估淀积形成薄膜性能的方法-CN201210143419.3有效
发明人：杜杰;姜国伟;牟善勇;赵高辉 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-05-09 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提出一种评估淀积形成薄膜性能的方法，包括如下步骤步骤1采用第一设备对淀积薄膜进行多次测量，同步记录薄膜的厚度及其相应的拟合程度值，采用第二设备对该薄膜进行多次测量，同步记录薄膜的方块电阻值，所述拟合程度值为测量该薄膜厚度时自动产生的相应的值；步骤2将步骤1记录的拟合程度值和方块电阻值进行公式拟合，得到拟合程度值与方块电阻为线性关系，并通过拟合程度值表征方块电阻。本发明提供的方法可以减少监控测量半导体薄膜的方块电阻而造成的成本支出。
评估形成薄膜性能方法

[发明专利]一种降低晶圆破损率的薄晶圆背面金属溅射方法-CN201310266359.9在审
发明人：赵高辉;姜国伟;牟善勇 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-06-28 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明公开一种降低晶圆破损率的薄晶圆背面金属溅射方法，该方法适用于在晶圆上生长金属层的工艺，该方法包含以下步骤：1、薄晶圆背面金属溅射工艺开始前预先对晶圆喷射反应气体，使晶圆开始缓慢升温；2、进行薄晶圆背面金属溅射工艺；3、薄晶圆背面金属溅射工艺完成后，持续对晶圆喷射反应气体，使晶圆缓慢降温。本发明通过在进行薄晶圆背面金属溅射工艺开始前预先喷射反应气体，使晶圆在工艺开始前先缓慢升温，并在工艺完成后持续对晶圆平射反应气体，使晶圆在工艺完成后缓慢降温，实现晶圆在整个工艺过程中柔和形变，以降低晶圆破损率，破损率有现有技术的1%降低至0.1%。
一种降低破损薄晶圆背面金属溅射方法

[发明专利]一种防止质量流量控制器内部气体泄露的方法-CN201410097450.7在审
发明人：田守卫;孙洪福;姜国伟;牟善勇 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： G05D7/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种防止质量流量控制器内部气体泄露的方法，包括：质量流量控制器的进气端上设置有第一调节阀，出气端连接至一腔室，所述质量流量控制器完成每一制程后，抽空从所述腔室至所述第一调节阀的管路内的气体以及所述质量流量控制器内的气体，然后再进行下一制程，所述质量流量控制器内及管路中的气体都被抽空，不会对下一制程造成影响，并且可以提高质量流量控制器的控制精度。
一种防止质量流量控制器内部气体泄露方法

[发明专利]判断磁铁性能的方法-CN201410097487.X有效
发明人：丁同国;姜国伟;牟善勇;梁海林 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本发明提出了一种判断磁铁性能的方法，由于磁铁性能体现在磁场强度上，若磁场强度有所下降，则会导致点火效率下降，当流入点火所需最低流量的氩气进行点火试验时，若能够点火成功，则说明磁铁所带来的磁场强度并未下降，即磁铁性能符合要求，若不能点火成功，则说明磁铁的磁场强度下降，磁铁的性能存在异常，从而快速判断出磁铁性能是否存在异常，无需更换RF进行尝试。
判断磁铁性能方法

[发明专利]减少反应腔内杂质颗粒的方法和化学气相沉积设备-CN201210402056.0有效
发明人：杜杰;姜国伟;牟善勇;赵高辉;高峰;任逸 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-10-19 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：一种减少反应腔内杂质颗粒的方法和一种化学气相沉积设备。所述减少反应腔内杂质颗粒的方法，包括：提供反应腔；提供替换基片于所述反应腔内；在所述替换基片上及反应腔内壁形成覆盖层，所述覆盖层能吸附反应腔内的杂质颗粒。所述化学气相沉积设备，包括：反应腔和覆盖反应腔内壁的覆盖层，所述覆盖层对杂质颗粒有吸附作用。本发明能有效减少反应腔内的杂质颗粒的含量，提高生产效率。
减少反应杂质颗粒方法化学沉积设备

[发明专利]一种钨化学气相沉积系统的清洗方法-CN201210191411.4有效
发明人：梁海林;牟善勇;姜国伟;罗杰 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-06-11 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种钨化学气相沉积系统的清洗方法，通过使用硅片达到保护加热器的目的，使得在等离子体清洗时，减少了对加热器的损耗，延长了加热器的使用寿命，并节省了原有方法由于打磨或更换加热器后需要对仪器进行调整所需的时间，从而的节省了人力财力，大大提高了生产效率。
一种化学沉积系统清洗方法

[发明专利]保证膜层沉积质量的方法、膜层沉积设备的每日监控方法-CN201210024584.7有效
发明人：赵高辉;李春雷;牟善勇;张永刚 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-02-03 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本发明提供了一种保证膜层沉积质量的方法，包括每天进行对膜层沉积设备进行气密性检测的步骤；其中，所述气密性检测的步骤包括：对所述膜层沉积设备进行抽真空；抽真空结束后的给定时间段内，使所述膜层沉积设备处于气密状态，检测膜层沉积设备的气压变化状况，记录下该时间段内的气压最大值；若所述气压最大值大于预定值，则将所述膜层沉积设备归为需维修设备。本发明还提供了一种膜层沉积设备的每日监控方法，所述每日监控方法包含上述的气密性检测的步骤。与现有技术相比，本发明改善了沉积膜层的质量，提高了产品合格率，且简单易行，几乎不需增加成本。
保证沉积质量方法设备每日监控

[发明专利]金属互连结构形成方法和金属互连结构-CN201110103157.3无效
发明人： 牟善勇;谭璜 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-04-25 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属互连结构形成方法和金属互连结构。根据本发明的金属互连结构形成方法包括：金属间介质沉积步骤，用于在形成有有源区结构的半导体器件结构上沉积金属间介质；接触孔图案形成步骤，用于对金属间介质进行刻蚀以形成接触孔图案，金属层形成步骤，用于在形成有接触孔图案的结构上形成金属层；刻蚀步骤，用于所形成的金属层进行刻蚀；以及金属层再形成骤，用于在刻蚀后的金属层上再次形成金属覆盖层。根据本发明，通过两次形成金属层以及两次形成金属之间的刻蚀，可以有效地消除接触孔部分的金属互连结构中的空隙，并且使得所形成的金属互连结构更加均匀。
金属互连结构形成方法

[发明专利]掺氟的氧化硅薄膜的形成方法-CN200910194445.7有效
发明人： 牟善勇;田守卫;姜国伟;熊辉;刘玮;解毅 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2009-08-17 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：一种掺氟的氧化硅薄膜的形成方法，包括：提供化学气相沉积设备，对化学气相沉积设备的反应腔室执行清洁步骤；在所述反应腔室表面形成覆盖层，所述覆盖层在腔室不同的位置厚度不同，所述覆盖层的厚度与氟离子在反应腔室不同的位置减薄覆盖层的速率对应；提供衬底，在所述形成有覆盖层的腔室内，在衬底表面形成掺氟的氧化硅薄膜。本发明能够降低掺氟的氧化硅薄膜表面的缺陷数量，并且能够提高形成掺氟的氧化硅薄膜工艺的效率。
氧化薄膜形成方法

[发明专利]一种清洗反应腔内部的方法-CN200710044767.4无效
发明人：张炳一;牟善勇 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2007-08-10 - 公布日： 2009-02-11 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本发明提供一种清洗反应腔内部的方法，其是等离子体化学气相淀积制程后对反应腔进行清洗的方法，该方法将预定的清洗时间划分为若干个时间段并依次减少每个时间段内充入反应腔内清洗气体的平均流量。与先前清洗方法相比，本发明的方法可以达到与先前清洗方法基本相同的清洗效果，并比先前清洗方法节省大量的清洗气体，有效降低了清洗气体的损耗，从而降低了生产成本。
一种清洗反应内部方法

1
共 10 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top