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[发明专利]存储器装置、存储器系统及操作存储器系统的方法-CN201910475761.5有效
发明人：李显雨;金荣均 -专利权人： 爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-06-03 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储器系统。该存储器系统包括：存储器单元阵列，包括多个存储块；外围电路，被配置成对多个存储块之中的选择的存储块执行读取操作，并且对多个存储块之中的备份块执行备份编程操作；以及控制电路，被配置成当在对选择的存储块的读取操作中，选择的存储块的选择的物理页面的读取计数等于或大于设定值时，控制外围电路将包括在选择的存储块中的弱逻辑页面的数据备份在备份块中。
存储器装置系统操作方法

[发明专利]存储器控制器及操作该存储器控制器的方法-CN201910650456.5有效
发明人：朴世昶 -专利权人： 爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-07-18 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：可以在实施例中实施本专利文件中公开的技术，以提供一种被配置为控制存储器装置的存储器控制器以及操作存储器控制器和存储器装置的方法。该存储器控制器可以控制包括多个页面的存储器装置，并且可以包括：命令分析单元，被配置为生成指示针对从多个页面之中选择的页面的读取命令的类型的命令信息；以及初始化时间决定单元，被配置为基于命令信息决定用于初始化包括在所选择页面中的多个存储器单元的通道的通道初始化时间。
存储器控制器操作方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201910670593.5有效
发明人：金有珍;吉德信;安致鸿 -专利权人： 爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-07-24 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本技术涉及具有氧化抑制层的电容器及其制造方法，本技术的电容器可包括：基板上的存储节点接触插塞；上述存储节点接触插塞上的下部电极；上述下部电极上的电介质层；上述电介质层上的上部电极；上述下部电极与上述电介质层之间的第一界面层；以及上述存储节点接触插塞与上述下部电极之间的第二界面层。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN201811441585.5有效
发明人：李政桓 -专利权人： 爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，其包括软修复控制电路，配置为响应于软修复控制信号来生成使能信号，其中，当在刷新操作中计数的第一和第二内部地址具有与第一和第二故障地址相同的组合时，使能信号被使能，并且半导体器件还包括核心电路，核心电路包括第一、第二、第三和第四区域，每个区域包括多个字线，所述多个字线基于第一、第二、第三和第四内部地址的组合被激活，其中，核心电路配置为响应于使能信号来修复字线，所述字线中已经发生故障、并且所述字线被包括在第一、第二、第三和第四区域之中的通过第三和第四内部地址而选择的区域中。
半导体器件

[发明专利]存储器系统及该存储器系统的操作方法-CN201811457577.X有效
发明人：秦龙;白承傑 -专利权人： 爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种存储器系统，包括：存储器装置，包括管芯，每个管芯包括平面，每个页面包括块，每个块包括页面；以及控制器，控制存储器装置，控制器包括：存储器，包括映射表，映射表包括映射数据块，映射数据块通过将映射数据划分为单元大小的映射数据块来生成；样式确定引擎，确定关于从存储器接收的每个映射数据块的样式；以及压缩引擎，基于样式确定引擎确定的映射数据块的样式确定结果，确定是否对映射数据块执行压缩，并且对确定执行压缩的那些映射数据块执行压缩。
存储器系统操作方法

[发明专利]存储器件-CN201811606643.5有效
发明人：金泰均 -专利权人： 爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G06F13/40 文献下载
摘要：一种存储器件，包括：存储体；第一锁存电路，其位于存储体的一侧，且用于同步于第一选通信号来锁存第一列地址；第二锁存电路，其位于存储体的另一侧，且用于同步于第二选通信号来锁存第二列地址；第一列解码器，其位于存储体的一侧，且用于同步于第一选通信号和第一列地址来产生第一列选择信号；以及第二列解码器，其位于存储体的另一侧，且用于同步于第二选通信号和第二列地址来产生第二列选择信号。
存储器件

[发明专利]具有训练功能的半导体装置和半导体系统-CN201910649522.7有效
发明人：洪基汶;金敬勋 -专利权人： 爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-07-18 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G11C29/14 文献下载
摘要：本发明公开了具有训练功能的半导体装置和半导体系统。一种半导体系统包括从设备，所述从设备包括多个单位存储区。该半导体系统还包括主设备，其被配置成通过将测试数据写入所述多个单位存储区、读取被写入的测试数据以及确定针对被读取的测试数据的通过/失败结果来执行训练操作。
具有训练功能半导体装置系统

[发明专利]具有可重新配置的邻区辅助LLR校正的NAND闪速存储器-CN201910713108.8有效
发明人：蔡宇;均峰;诺顿·初;张帆 -专利权人： 爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-08-02 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本发明涉及具有可重新配置的邻区辅助LLR校正的NAND闪速存储器。本发明提供一种操作存储系统的方法，该存储系统包括存储器单元和存储器控制器。每个存储器单元是m位多层单元(MLC)，其中m是整数。方法包括对目标存储器单元执行软读取操作，并且基于来自软读取操作的结果确定当前LLR(对数似然比)值。方法还包括基于相邻存储器单元对目标存储器单元的LLR的影响而将相邻存储器单元和目标存储器单元的m位单元值分组成各自的n位索引，其中n是整数并且nm。基于n位索引来确定LLR补偿值，并且基于当前LLR值和LLR补偿值来确定补偿LLR值。方法还包括使用该补偿LLR值执行软解码。
具有重新配置辅助 llr 校正 nand 存储器

[发明专利]电源门控系统-CN201910782756.9有效
发明人：金雄来;李承燻 -专利权人： 爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：一种电源门控系统包括逻辑电路区域，逻辑电路区域包括被配置为接收第一门控时钟信号的至少一个逻辑门。电源门控系统还包括电源门控控制电路，其被配置为根据芯片选择信号、命令/地址信号和外部时钟信号来产生第一门控时钟信号，所述第一门控时钟信号被控制为在内部电源电压稳定之后开始转变。
电源门控系统

[发明专利]数据储存装置、操作该装置的方法及具有该装置的储存系统-CN201910908810.X有效
发明人：金亨民;金到训;朴才汉 -专利权人： 爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G06F21/78 文献下载
摘要：数据储存装置、操作该装置的方法及具有该装置的储存系统。一种数据储存装置包括储存器、缓冲存储器和控制器。控制器被配置为响应于从主机装置发送的请求而控制向储存器的数据输入和从储存器的数据输出中的至少一个。控制器还被配置为接收从主机装置发送并高速缓存在缓冲存储器中的写入数据，对写入数据进行加密，并将经加密的写入数据存储在储存器中。控制器还被配置为接收从储存器读取并高速缓存在缓冲存储器中的读取数据，对读取数据进行解密，并将经解密的读取数据提供给主机装置。
数据储存装置操作方法具有系统

[发明专利]存储器系统及存储器系统的操作方法-CN201810984836.8有效
发明人：金长铉 -专利权人： 爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种存储器系统，该存储器系统包括：缓冲器，其缓存牺牲块信息；队列，其将牺牲块信息排队；调度单元，其检测读取回收安全时段并生成触发信号；队列管理单元，其在安全时段期间检测队列的剩余容量；缓冲器管理单元，其在安全时段期间将与队列的剩余容量一样多的缓存的牺牲块信息排队在队列中；以及执行单元，其在安全时段期间基于排队的牺牲块信息执行读取回收操作。
存储器系统操作方法

[发明专利]存储器件和控制存储器件的自动刷新操作的方法-CN201811474583.6有效
发明人：陈永栽;金镇昱 -专利权人： 爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：本发明公开了存储器件及控制所述存储器件的自动刷新操作的方法。所述存储器件包括存储介质和存储器控制器。所述存储介质具有存储单元阵列，并且可以被配置为产生自刷新信号以控制对所述存储单元阵列执行的自刷新操作，所述自刷新信号基于所述存储介质的内部温度而改变。所述存储器控制器可以被配置为基于所述自刷新信号来计算用于控制所述存储介质的自动刷新操作的自动刷新控制信号的自动刷新周期。
存储器件控制自动刷新操作方法

[发明专利]提供掉电模式的半导体器件及使用其控制掉电模式的方法-CN201811509619.X有效
发明人：金雄来 -专利权人： 爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括电源开关控制信号生成电路。电源开关控制信号生成电路被配置为基于复位操作和掉电模式生成用于控制电源电压的供应的电源开关控制信号。
提供掉电模式半导体器件使用控制方法

[发明专利]存储器系统的操作方法和存储器系统-CN201811636994.0有效
发明人：秦龙;卢豆荣;李东妵;崔台珍 -专利权人： 爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储器系统的操作方法，该存储器系统包括多个逻辑地址组，每个逻辑地址组具有预设逻辑地址范围。该操作方法可包括：选择牺牲块；在空块之中选择多个目标块；将逻辑地址组中的至少一个逻辑地址组映射到目标块中的每一个；在逻辑地址组之中确定包括存储在牺牲块中的第一有效数据的逻辑地址的第一逻辑地址组；并且将第一有效数据备份到目标块之中映射到第一逻辑地址组的第一目标块中。
存储器系统操作方法

[发明专利]命令生成方法及与命令生成方法有关的半导体器件-CN201910823365.7有效
发明人：崔谨镐;吴昇昱;郑镇一 -专利权人： 爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-09-02 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本申请公开了一种命令生成方法及与命令生成方法有关的半导体器件。半导体器件包括命令恢复电路，该命令恢复电路被配置为接收来自多个命令中的一个命令，根据所接收到的命令来储存通过对所接收到的来自多个命令中的命令进行编码而产生的代码信号，并且在根据移位控制信号而将所接收到的命令移位之后，通过对从代码信号产生的命令代码信号进行解码来产生多个内部命令；以及存储电路，其被配置为根据多个内部命令来执行内部操作。
命令生成方法有关半导体器件