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[发明专利]一种惰性气氛烧结镁铝尖晶石透明陶瓷的方法-CN202111538628.3有效
发明人：庞珍丽;尹利君;李祯;雷牧云;王立弟 -专利权人： 烁光特晶科技有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： C04B35/443 文献下载
摘要：本发明公开了一种惰性气氛烧结镁铝尖晶石透明陶瓷的方法,包括以下步骤：将镁铝尖晶石粉体加入LiF，常温常压下球磨，造粒，得到镁铝尖晶石球状粉体；将镁铝尖晶石球状粉体装入石墨模具，放入真空热压烧结炉中进行真空烧结，然后卸压降温同时充入惰性气体，先程序降温，最后自然降温，得到镁铝尖晶石烧结体；对镁铝尖晶石烧结体进行退火后热等静压，得到镁铝尖晶石透明陶瓷。本发明能在材料孔结构形成过程中，阻止晶粒异常长大，缩小材料晶粒粒径分布范围，降低材料内部应力，改善陶瓷性能。降温阶段充入惰性气体，利用惰性气体增加热质传输效率，缩短降温时间，提高生产效率。
一种惰性气氛烧结尖晶石透明陶瓷方法

[发明专利]一种低腐蚀隧道密度人造石英晶体籽晶培育方法-CN202010987011.9有效
发明人：张绍锋;张璇;孙志文;姜秀丽;刘巨澜 -专利权人： 烁光特晶科技有限公司
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： C30B29/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种低腐蚀隧道密度人造石英晶体籽晶培育方法，包括：包括如下步骤：选取人造石英块状籽晶；在籽晶+x晶向开槽，将籽晶制成U型籽晶块；将优质石英原料破碎成块状，经过水洗、碱洗、水洗稀释、烘干，放入高压釜下部溶解区；将籽晶块腐蚀后，用挡板遮挡U型块状籽晶两侧和底面，U型槽开口向下悬挂在晶体生长架上，将晶体生长架放入高压釜内上部生长区；待U型槽内部填满，形成人造石英晶体完整外形后停止生长，去除籽晶原有U型部分，提取U型槽内新填充部分石英晶体，得到低腐蚀隧道密度人造石英晶体籽晶。本发明能够解决低腐蚀隧道密度人造石英晶体生长的籽晶需求，满足晶振元件微型化、高频化QMEMS制造工艺应用。
一种腐蚀隧道密度人造石英晶体籽晶培育方法

[发明专利]一种深紫外高透过石英晶体制造方法-CN202110082024.6有效
发明人：张绍锋;张璇;孙志文;姜秀丽;刘巨澜 -专利权人： 烁光特晶科技有限公司
申请日： 2021-01-21 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： C30B29/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种深紫外高透过石英晶体制造方法。涉及人工晶体技术领域。本发明包括以下步骤：挑选无条纹石英晶体籽晶腐蚀后，水平悬挂固定在晶体生长架上，籽晶上表面贴膜遮挡；制备高纯石英块状原料；高压釜内用节流隔板分成上下两个区域加入矿化剂密封；升温；初期结晶界面控制并重复；恒温；降温取出。本发明工艺制造的深紫外高透过石英晶体SiO2纯度达99.999％以上，内透过率T≥95％/cm@193nm，193nm光学损耗降低了2/3以上，光学均匀性≤5ppm@633nm，双折射率差均匀性≤0.2％，满足深紫外光学仪器应用需求。
一种深紫透过石英晶体制造方法

[实用新型]一种大容积人造石英晶体高压釜-CN202121925702.2有效
发明人：尹利君;张璇;刘巨澜;张绍锋 -专利权人： 烁光特晶科技有限公司
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： B01J3/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种大容积人造石英晶体高压釜，釜体内开设有反应腔，且釜体的顶端和底端均为接通反应腔的开口端，同时反应腔的内径为600至800mm、长度为12至18m、长径比为18至23；釜盖覆盖釜体顶端的开口，并通过环形密封件密封连接在釜体的顶端；环形卡箍的位置对应釜体顶端与釜盖的连接处，且环形卡箍分别卡接釜体与釜盖的外壁；布里奇曼自紧式密封结构靠近釜体底端的开口密封连接在反应腔内。本实用新型公开了一种大容积人造石英晶体高压釜，具有较大的容积，从而不仅可以培育更大尺寸的石英晶体，而且提高石英晶体制备质量和产能，同时可以降低单位成本。
一种容积人造石英晶体高压

[发明专利]一种大容积人造石英晶体高压釜-CN202110944307.7在审
发明人：尹利君;张璇;刘巨澜;张绍锋 -专利权人： 烁光特晶科技有限公司
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： B01J3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种大容积人造石英晶体高压釜，釜体内开设有反应腔，且釜体的顶端和底端均为接通反应腔的开口端，同时反应腔的内径为600至800mm、长度为12至18m、长径比为18至23；釜盖覆盖釜体顶端的开口，并通过环形密封件密封连接在釜体的顶端；环形卡箍的位置对应釜体顶端与釜盖的连接处，且环形卡箍分别卡接釜体与釜盖的外壁；布里奇曼自紧式密封结构靠近釜体底端的开口密封连接在反应腔内。本发明公开了一种大容积人造石英晶体高压釜，具有较大的容积，从而不仅可以培育更大尺寸的石英晶体，而且提高石英晶体制备质量和产能，同时可以降低单位成本。
一种容积人造石英晶体高压

[发明专利]一种双晶电光开关组装系统、组装方法及双晶电光开关-CN202011256771.9在审
发明人：师瑞泽;肖亚波;王晓东;张杰 -专利权人： 烁光特晶科技有限公司
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种双晶电光开关组装系统、组装方法及双晶电光开关，通过激光正交锥光干涉法进行开关组装，与现有的光点回原技术进行开关组装的方案相比，该方法中光束通过整个晶体面积产生干涉条纹，其十字中心的最亮和最暗是晶体中包含缺陷等所有光干涉因素的综合反映，且由于其较直观，微调比较方便，因而具有直观、简单和高效的优点。同时，由于调试的直观性，从干涉十字叉丝的形状和对比度可以初步判断开关的最终性能，从而在组装前将不合格的配对晶体器件得以替换，这样在晶体动态配对的情况下，该方法组装成功率高，所制作的开关电光性能好，且消光比高。
一种双晶电光开关组装系统方法

[发明专利]一种高温高压窗口用透明镁铝尖晶石陶瓷材料及其制备方法-CN202011035478.X在审
发明人：庞珍丽;李祯;王丽;雷牧云 -专利权人： 烁光特晶科技有限公司
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： C04B35/443 文献下载
摘要：本发明公开了一种高温高压窗口用透明镁铝尖晶石陶瓷材料及其制备方法，镁铝尖晶石陶瓷材料熔点高达2135℃，光学均匀性优于5×10‑5，热膨胀系数7.33×10‑6/K，镁铝尖晶石陶瓷材料窗口片的厚度通过调整材料强度实现，材料强度又可以通过调整尖晶石MgO·nAl2O3中氧化铝氧化镁摩尔比及控制工艺参数来实现，其中，n＝1～2。利用本本发明方法制备镁铝尖晶石，无需像传统方法中将MgO和Al2O3的摩尔比例严格控制在1：1，n可在1～2范围内取值，通过优化控制烧结温度、保温时间、压力等工艺参数，都可以得到性能优异、透过率和强度可控的透明镁铝尖晶石陶瓷材料，根据窗口厚度与材料强度的关系，从而可以加工出具有厚度小、透过率高及强度高的窗口片。
一种高温高压窗口透明尖晶石陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种高压电力设备上使用的红外测温窗口-CN202010768196.4在审
发明人：尹利君;范志达;施维捷;李祯;姜秀丽;马天翼;张福昌 -专利权人： 烁光特晶科技有限公司
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： G01J5/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压电力设备上使用的红外测温窗口，光学窗口材料为红外长波波段和可见光波段透过率可调整的CVDZnS；所述CVDZnS作为光学材料，光学均匀性优于5×10‑5，发射率低于0.01，抗撞击能量大于0.5J，不溶于水。本发明应用范围广，可以应用于室内、室外、干燥、潮湿等各种自然环境；力学性能好，可以在同样厚度条件下具有更高防爆性能，或者在同样防爆等级条件下，具有更薄的窗口厚度；对环境友好，无毒，无污染；可实现灵敏度高、准确性高、效果更好的红外测温成像；装置选择性强，性价比高，容易普及推广应用。
一种高压电力设备使用红外测温窗口

[发明专利]一种光学材料透过率的测试系统及测试方法-CN201310130954.X在审
发明人：雷牧云 -专利权人： 烁光特晶科技有限公司
申请日： 2013-04-16 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： G01N21/59 文献下载
摘要：本发明提供一种光学材料透过率的测试系统及测试方法。所述测试系统包括：光源，沿第一方向发射光线，获得用于测试的入射光；至少两个被测样品，第一被测样品用于接收入射光，且入射光相对于第一被测样品表面呈一角度，入射光穿透第一被测样品之后获得第一折射光；第二被测样品用于接收第一折射光，且使第一折射光穿透第二被测样品之后获得第二折射光，沿第二方向传输，其中第一方向与所述第二方向位于同一直线上，第一被测样品与第二被测样品的规格相同；探测器，用于接收第二折射光，检测获得第二折射光的光强I。通过放置两块被测样品，入射光经重复折射，可以测得样品在有角度入射时的透过率，解决有角度入射时的透过率测试问题。
一种光学材料透过测试系统方法

[发明专利]一种利用透明陶瓷制备LED的方法-CN200910235312.X有效
发明人：雷牧云;李祯;赵艳民;娄载亮;杨永良;宋庆海 -专利权人： 烁光特晶科技有限公司
申请日： 2009-09-30 - 公布日： 2010-04-21 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用透明陶瓷制备LED的方法，具体为：将设定量的荧光粉加入到透明陶瓷粉体中，荧光粉的掺入比例为0.01到100wt.％；将原料充分混合后，采用陶瓷制备工艺制备出荧光透明陶瓷；将制备出的荧光透明陶瓷和半导体芯片组装形成LED器件。本发明通过用荧光透明陶瓷取代传统LED中的荧光粉层和环氧树脂封装外壳，将荧光透明陶瓷和LED芯片组装成新型LED器件，荧光透明陶瓷具有封装外壳和荧光材料的双重作用，使得通过本发明方法制作的LED器件性能会更加优异。
一种利用透明陶瓷制备 led 方法

[发明专利]一种具有抗灰迹性能KTP晶体的制备方法-CN200810105715.8有效
发明人：师瑞泽;肖亚波;葛世艳;王国影;高山虎;尹利君;王忠;何庭秋 -专利权人： 烁光特晶科技有限公司
申请日： 2008-04-30 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有抗灰迹性能KTP晶体的制备方法，具体为：1)将合成KTiOPO₄晶体的原料KH₂PO₄和TiO₂，合成K₄P₂O₇(K4)溶剂的原料K₂HPO₄按配比相混合，使得化学反应后所得的KTiOPO₄和K₄P₂O₇的初始生长摩尔比为0.8左右；2)将混合原料装入铂金坩埚中，使溶液充满量为75％～85％；3)将铂金坩埚放入炉体中，设置炉内温度梯度为3℃/10cm～8℃/10cm，升温，使原料熔化反应，形成均匀稳定的高温溶液；4)在高温溶液中放入籽晶，以温度梯度1℃/100h～8℃/100h速度降温，在温度区间850℃～820℃生长出KTiOPO₄晶体。本发明采用K₄P₂O₇溶剂来制备KTP晶体，降低了KTP晶体的吸收系数，具有显著的抗灰迹性能，因此使得KTP的倍频转换效率进一步得到增强，并且显示了良好的耐电压和调制性能，也可作为电光晶体使用。
一种具有抗灰迹性能 ktp 晶体制备方法

[发明专利]一种适于制作PPKTP器件的KTP晶体生长方法-CN200810105714.3有效
发明人：沈德忠;黄朝恩;师瑞泽;胡永岚;肖亚波;王国影;高山虎;葛世艳;苏贞珍;尹利君;王忠;何庭秋 -专利权人： 烁光特晶科技有限公司
申请日： 2008-04-30 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种适于制作PPKTP器件的KTP晶体生长方法，包括步骤：A)制作长X向片状籽晶：从可获得的X向最长的KTP原晶坯料中沿XZ平面切割籽晶片，在X向最长位置垂直于Z向加工一YZ平面，然后在该YZ平面沿X方向的中心线向两端的XZ平面倒角，形成的顶角α的范围在0°＜α≤180°之间，并细磨倒角面以作为籽晶生长面；B)将籽晶按照籽晶的生长面浸入到熔液中的方式下种，进行晶体的生长。本发明选用长X向线籽晶来达到控制晶体生长过程中选择性生长的速率问题，可采用粗糙化X面生长进一步延长籽晶X向长度，且生成晶体的X向折射率和电导率均匀性较普通助熔剂生长方法大为提高，生长成的晶体适于制作高质量光参量器件和PPKTP器件。
一种适于制作 ppktp 器件 ktp 晶体生长方法

[发明专利]一种控制晶体色彩的方法-CN200810105494.4有效
发明人：范志达;陈刚;李楠;李跃;左金才;福华北;赵德雨;尹利君;王忠;何庭秋 -专利权人： 烁光特晶科技有限公司
申请日： 2008-04-29 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种控制晶体色彩的方法，具体为：将装有高纯度氟化钙CaF₂原料的尖底坩埚放置于设置有温度梯度的真空炉中，并在原料中加入少量的氟化剂；调节真空炉内的真空度值，使得生成的晶体产生相应的色彩；提高炉内温度，至高于熔点50℃～100℃，并在温度达到平衡后保持时间使得原料全部融化；缓慢下降坩埚，使其降到炉体内低温区域，使得温度降到晶体的熔点，从而晶体开始结晶。本发明通过控制氟化钙晶体生长过程中的真空度，而控制晶体色彩，方法简单，操作方便，并且生成的晶体颜色均匀，质量好。
一种控制晶体色彩方法

[发明专利]一种石英晶体的生长方法-CN200810105496.3有效
发明人：华大辰;孙志文;王晓刚;李法荟;尹利君;张绍锋;王晓东;张璇;王忠;何庭秋 -专利权人： 烁光特晶科技有限公司
申请日： 2008-04-29 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： C30B29/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种石英晶体的生长方法，包括步骤：1)对原晶坯料进行切割以获得片状籽晶并清洗籽晶：其中，籽晶的切割方向为：沿x方向或Z方向、或沿Z－Y之间为任意角度的方向；2)将籽晶水平放置，并在籽晶上面相继放置金属或有机材料的薄膜和挡板，且将三者固定在一起；3)将固定好的籽晶连同挡板一同放入高压釜内的碱溶液中，保持籽晶的水平状态进行石英的单面生长。本发明提出的通过遮挡的方式进行单面石英的生长方法，与背景技术双面生长石英的方法比较，不仅能生长出质量更高的完整光学单晶，而且能够在同样的生长时间和生长空间的情况下，比背景技术中效率提高了一倍。
一种石英晶体生长方法

[发明专利]低电导率、抗灰迹Rb:KTP晶体及其制备方法-CN200810105498.2无效
发明人：师瑞泽;胡永岚;肖亚波;葛世艳;高山虎;王国影;尹利君;王忠;何庭秋 -专利权人： 烁光特晶科技有限公司
申请日： 2008-04-29 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： C30B29/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种低电导率、抗灰迹Rb:KTP晶体，所述晶体的化学式为Rb_xK_(1－x)TiOPO₄，0.01＜x＜0.1。本发明还公开了一种低电导率、抗灰迹Rb:KTP晶体的制备方法，包括以下步骤：在以K6作助熔剂的生长KTP的原料体系中加入氧化铷并搅拌均匀，制成Rb:KTP晶体原料；将制成的Rb:KTP晶体原料放入坩埚中进行加热熔化后再降温到饱合点；向熔化的原料中加入籽晶使Rb:KTP晶体沿籽晶生长。本发明公开的Rb:KTP晶体与KTP晶体相比，具有很低的电导率，能够满足作为电光器件的电导率要求，在高电场作用下不会使晶体变黑变性而损坏；晶体的吸收系数比较稳定，经实验测试具有很好的抗灰迹性能。
电导率抗灰迹 rb ktp 晶体及其制备方法

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