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[发明专利]一种导模法镁铝尖晶石单晶的生长方法-CN202310192185.X在审
发明人：黄存新;雷牧云;王海丽;王晓亮 -专利权人：中材人工晶体研究院有限公司;北京中材人工晶体研究院有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本申请提供了一种导模法镁铝尖晶石单晶的生长方法，通过将籽晶和晶体生长原料放入晶体生长炉中，再将晶体生长炉抽真空，然后充入惰性气体，再将晶体生长炉升温至2130～2200℃，使得晶体生长原料熔化，接着使籽晶接触模具的料缝顶端，然后提拉籽晶，使晶体生长原料在籽晶上凝结生长，其中模具上方设置有上隔热屏和下隔热屏，上隔热屏和下隔热屏之间狭缝的截面为曲面，然后提拉籽晶使籽晶表面结晶的晶体收缩，再使晶体在向上提拉过程中变厚变宽，使晶体在向上提拉过程中以模具的宽度进行生长，晶体生长结束后，开始退火降温。本申请通过控制上隔热屏和下隔热屏之间狭缝的截面为曲面，实现了镁铝尖晶石单晶在向上提拉过程中受热均匀的效果。
一种导模法镁铝尖晶石生长方法

[发明专利]一种惰性气氛烧结镁铝尖晶石透明陶瓷的方法-CN202111538628.3有效
发明人：庞珍丽;尹利君;李祯;雷牧云;王立弟 -专利权人：烁光特晶科技有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： C04B35/443 文献下载
摘要：本发明公开了一种惰性气氛烧结镁铝尖晶石透明陶瓷的方法,包括以下步骤：将镁铝尖晶石粉体加入LiF，常温常压下球磨，造粒，得到镁铝尖晶石球状粉体；将镁铝尖晶石球状粉体装入石墨模具，放入真空热压烧结炉中进行真空烧结，然后卸压降温同时充入惰性气体，先程序降温，最后自然降温，得到镁铝尖晶石烧结体；对镁铝尖晶石烧结体进行退火后热等静压，得到镁铝尖晶石透明陶瓷。本发明能在材料孔结构形成过程中，阻止晶粒异常长大，缩小材料晶粒粒径分布范围，降低材料内部应力，改善陶瓷性能。降温阶段充入惰性气体，利用惰性气体增加热质传输效率，缩短降温时间，提高生产效率。
一种惰性气氛烧结尖晶石透明陶瓷方法

[发明专利]一种高温高压窗口用透明镁铝尖晶石陶瓷材料及其制备方法-CN202011035478.X在审
发明人：庞珍丽;李祯;王丽;雷牧云 -专利权人：烁光特晶科技有限公司
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： C04B35/443 文献下载
摘要：本发明公开了一种高温高压窗口用透明镁铝尖晶石陶瓷材料及其制备方法，镁铝尖晶石陶瓷材料熔点高达2135℃，光学均匀性优于5×10‑5，热膨胀系数7.33×10‑6/K，镁铝尖晶石陶瓷材料窗口片的厚度通过调整材料强度实现，材料强度又可以通过调整尖晶石MgO·nAl2O3中氧化铝氧化镁摩尔比及控制工艺参数来实现，其中，n＝1～2。利用本本发明方法制备镁铝尖晶石，无需像传统方法中将MgO和Al2O3的摩尔比例严格控制在1：1，n可在1～2范围内取值，通过优化控制烧结温度、保温时间、压力等工艺参数，都可以得到性能优异、透过率和强度可控的透明镁铝尖晶石陶瓷材料，根据窗口厚度与材料强度的关系，从而可以加工出具有厚度小、透过率高及强度高的窗口片。
一种高温高压窗口透明尖晶石陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种光学材料透过率的测试系统及测试方法-CN201310130954.X在审
发明人： 雷牧云 -专利权人：烁光特晶科技有限公司
申请日： 2013-04-16 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： G01N21/59 文献下载
摘要：本发明提供一种光学材料透过率的测试系统及测试方法。所述测试系统包括：光源，沿第一方向发射光线，获得用于测试的入射光；至少两个被测样品，第一被测样品用于接收入射光，且入射光相对于第一被测样品表面呈一角度，入射光穿透第一被测样品之后获得第一折射光；第二被测样品用于接收第一折射光，且使第一折射光穿透第二被测样品之后获得第二折射光，沿第二方向传输，其中第一方向与所述第二方向位于同一直线上，第一被测样品与第二被测样品的规格相同；探测器，用于接收第二折射光，检测获得第二折射光的光强I。通过放置两块被测样品，入射光经重复折射，可以测得样品在有角度入射时的透过率，解决有角度入射时的透过率测试问题。
一种光学材料透过测试系统方法

[发明专利]一种利用透明陶瓷制备LED的方法-CN200910235312.X有效
发明人： 雷牧云;李祯;赵艳民;娄载亮;杨永良;宋庆海 -专利权人：烁光特晶科技有限公司
申请日： 2009-09-30 - 公布日： 2010-04-21 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用透明陶瓷制备LED的方法，具体为：将设定量的荧光粉加入到透明陶瓷粉体中，荧光粉的掺入比例为0.01到100wt.％；将原料充分混合后，采用陶瓷制备工艺制备出荧光透明陶瓷；将制备出的荧光透明陶瓷和半导体芯片组装形成LED器件。本发明通过用荧光透明陶瓷取代传统LED中的荧光粉层和环氧树脂封装外壳，将荧光透明陶瓷和LED芯片组装成新型LED器件，荧光透明陶瓷具有封装外壳和荧光材料的双重作用，使得通过本发明方法制作的LED器件性能会更加优异。
一种利用透明陶瓷制备 led 方法

[发明专利]掺杂钕的钇铝石榴石透明陶瓷制造方法-CN200810105499.7无效
发明人：汪志华;李祯;雷牧云;闻芳;宋庆海;石景富;尹利君;王忠;何庭秋 -专利权人：烁光特晶科技有限公司
申请日： 2008-04-29 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： C04B35/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺杂钕的钇铝石榴石透明陶瓷制造方法，包括：将铝源化合物、钇源化合物、钕源化合物及硫酸盐溶液混合后加入到碳酸氢铵水溶液中，经陈化、过滤、洗涤得到Nd:YAG前驱体，将前驱体煅烧、粉碎得到原料粉末；将原料粉末和有机助剂加入到乙醇中，混合后形成浆料，将浆料压入模具中，待成形后取出，得到成形体；将成形体充分干燥后进行高温脱脂和预烧结，得到预烧结体；对预烧结体进行高温烧结。通过采用在混合溶液中加入硫酸铵或十二烷基硫酸钠制成掺钕的YAG原料粉末，混合时不易产生凝聚，且成形时加入有机助剂，可以通过浇铸或注塑的方法实现近净成形，节省钇铝石榴石的加工损耗，获得可观的经济效益。
掺杂石榴石透明陶瓷制造方法

[发明专利]氧化钇透明陶瓷的制备方法-CN200810105497.8无效
发明人：闻芳;雷牧云;汪志华;李祯;宋庆海;杨永良;尹利君;王忠;何庭秋 -专利权人：烁光特晶科技有限公司
申请日： 2008-04-29 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： C04B35/505 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化钇陶瓷或包括掺杂稀土离子钕或镱的氧化钇透明陶瓷的制备方法，包括以下步骤：在室温下，将浓度为0.3mol/L－1.0mol/L的Y(NO₃)₃溶液，或加入Nd(NO₃)₃或Yb(NO₃)₃的Y(NO₃)₃溶液与浓度为0.5mol/L－2.0mol/L的NH₄HCO₃溶液混合，同时加入(NH₄)₂SO₄，(NH₄)₂SO₄的加入量为Y离子摩尔浓度的0.1－0.8倍；将反应后的溶液陈化12－48小时；用去离子水和无水乙醇对过滤得到的沉淀物进行清洗，并干燥；然后进行煅烧；在煅烧后的粉体中添加LiF粉，再进行模压成型，热压、退火，热等静压处理，得到最终的氧化钇透明陶瓷。本发明采用反滴定法制备Y₂O₃粉，并且使用无毒的化学试剂LiF为添加剂，采用烧结温度比背景技术中更低的热压烧结方式来制备透明陶瓷。不仅工艺简单，益于环境，而且所制备的Y₂O₃透明陶瓷光学性能十分优良。
氧化钇透明陶瓷制备方法

[发明专利]一种透明镁铝尖晶石陶瓷的制备方法-CN200810104842.6无效
发明人： 雷牧云;李祯;黄存新;宋庆海;闻芳;汪志华;石景富;杨永良;尹利君;王忠;何庭秋 -专利权人：烁光特晶科技有限公司
申请日： 2008-04-24 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： C04B35/443 文献下载
摘要：本发明公开了一种透明镁铝尖晶石陶瓷的制备方法，具体为：在反应器中加入高纯镁、高纯铝、异丙醇、微量HgCl₂，控制高纯镁和高纯铝的摩尔比为n＝1～5；缓慢加热，回流；反应完毕后将溶液静置澄清，将清液进行蒸馏，得到异丙醇镁铝；将异丙醇镁铝进行水解，水解产物干燥，干燥后产物煅烧，制得尖晶石高纯粉末；将磨细LiF作为助烧剂加入到尖晶石粉末中，在高温高压下成型，烧结体经过退火处理后进行粗磨、细磨、抛光，即得到透明多晶镁铝尖晶石。利用本方法制备镁铝尖晶石陶瓷，n在1～5范围内取值，通过优化控制热压温度、保温时间、压力等工艺参数，都可以得到性能优异的镁铝尖晶石陶瓷，从而扩大了镁铝尖晶石陶瓷的品种、性能和应用领域。
一种透明尖晶石陶瓷制备方法

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