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[发明专利]半导体封装、封装结构及其制造方法-CN202210079181.6在审
发明人： 游济阳;吴念芳;陈海明;梁裕民;吴俊毅 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：提供一种半导体封装及一种用于半导体封装的制造方法。所述半导体封装包括重布线层、半导体管芯、多个导电连接件、多个虚设凸块及底部填充胶。半导体管芯设置在重布线层的顶表面上，且与重布线层电连接。多个导电连接件设置在半导体管芯与重布线层之间，且与半导体管芯及重布线层物理连接及电连接。多个虚设凸块在重布线层的顶表面上设置在多个导电连接件旁边及半导体管芯下方。底部填充胶设置在半导体管芯与重布线层之间，且夹置在多个虚设凸块与半导体管芯之间。多个虚设凸块是电浮动的。多个虚设凸块与底部填充胶接触而不接触半导体管芯。
半导体封装结构及其制造方法

[发明专利]芯片封装结构及其形成方法-CN202210252531.4在审
发明人：陈玮佑;游济阳;何冠霖;陈衿良;梁裕民;吴俊毅 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种芯片封装结构，所述芯片封装结构包括扇出型封装，扇出型封装含有至少一个半导体管芯、在侧向上环绕所述至少一个半导体管芯的环氧模塑化合物(EMC)管芯框架及重布线结构。扇出型封装具有倒角区，在倒角区处，扇出型封装的水平表面及垂直表面经由既不水平也不垂直的斜角表面连接。芯片封装结构可包括：封装衬底，经由焊料材料部分阵列贴合到扇出型封装；及底部填充材料部分，在侧向上环绕焊料材料部分阵列且接触整个斜角表面。斜角表面消除可集中有机械应力的尖锐隅角，且将倒角区中的局部机械应力分布在宽的区之上以防止底部填充材料部分中出现裂纹。本发明实施例还提供一种形成芯片封装结构的方法。
芯片封装结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其制作方法-CN201711084865.0有效
发明人： 游济阳;张建国;林志豪;郑荣宗;何冠霖 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明实施例涉及半导体结构及其制作方法。根据本发明的一些实施例，一种半导体结构包含衬底，其包含第一表面、与所述第一表面相对的第二表面、大体上正交于所述第一表面及所述第二表面的第一侧壁；隔离层，其围绕并接触所述衬底的所述第一侧壁；裸片，其安置在所述衬底的所述第二表面上方；第一导电凸块，其安置在所述衬底的所述第一表面处；及第二导电凸块，其安置在所述衬底与所述裸片之间。
半导体结构及其制作方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202111361247.2在审
发明人： 游济阳;何冠霖;陈衿良;梁裕民 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-05-16 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明实施例揭示一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包含衬底；重布线层RDL，包含放置在所述衬底上方的介电层以及被所述介电层环绕的多个导电件；第一导电柱，放置在所述导电件的一者上方且与其电连接；第二导电柱，放置在所述导电件的一者上方且与其电连接；第一裸片，放置在所述RDL上方且与所述第一导电柱电连接；以及第二裸片，放置在所述RDL上方且与所述第二导电柱电连接，其中所述第二导电柱的高度为基本上大于所述第一导电柱的高度，且所述第一裸片的厚度为基本上大于所述第二裸片的厚度。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]一种用于制造半导体结构的方法-CN201710454238.5有效
发明人：陈衿良;游济阳;何冠霖;梁裕民 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-06-15 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L21/54 文献下载
摘要：本发明的一些实施例揭露一种用于制造半导体结构的方法。所述方法包含：提供上面具有多个裸片的半导体衬底；分注底胶材料及模塑料以填充在所述裸片之下与在所述裸片之间的空间；设置暂时载体在所述裸片上方；薄化所述半导体衬底的厚度；在所述经薄化半导体衬底上执行背侧金属化；移除所述暂时载体；以及附接板材在所述裸片上方。本发明的一些实施例也揭露一种相关的半导体结构。
一种用于制造半导体结构方法

[发明专利]倒装芯片封装-CN201510743052.2有效
发明人：刘育志;张建国;游济阳;卢景睿;林志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-04 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供一种集成电路(IC)封装件，包括：第一衬底；设置在第一衬底上方的第二衬底；设置在第一与第二衬底之间的多个连接件，以电连接第一与第二衬底；设置在第一和第二衬底上方的约束层，使得在约束层与第一衬底之间形成腔体；以及设置在腔体内并且穿过约束层延伸的模塑材料。约束层具有顶面和相对的底面，并且模塑材料从约束层的顶面延伸至底面。本发明还提供了一种形成集成电路(IC)封装件的方法。
倒装芯片封装

[发明专利]半导体器件结构及其形成方法-CN201611074770.6有效
发明人：何冠霖;陈衿良;游济阳;刘育志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-29 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件结构及其形成方法。半导体器件结构包括衬底以及在衬底上方形成的管芯结构。半导体器件结构还包括在管芯结构上方形成的盖结构。盖结构包括具有顶部长度的顶部和具有底部长度的底部。半导体器件结构还包括在盖结构和管芯结构之间形成的封装层，并且盖结构底部的侧壁不与管芯结构的侧壁对齐。本发明实施例涉及半导体器件结构及其形成方法。
半导体器件结构及其形成方法

[发明专利]半导体封装件中的金属化图案及其形成方法-CN201810691508.9有效
发明人： 游济阳;陈海明;梁裕民;郑荣伟;李建勋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：实施例方法包括：将半导体管芯密封在密封剂中，平坦化密封剂并且在密封剂上沉积聚合物材料。该方法还包括平坦化聚合物材料以及在聚合物材料上形成金属化图案。金属化图案将半导体管芯的管芯连接件电连接至设置在半导体管芯的外部的导电部件。本发明的实施例还涉及半导体封装件中的金属化图案及其形成方法。
半导体封装中的金属化图案及其形成方法

[发明专利]集成扇出型封装-CN201810031594.0在审
发明人： 游济阳;陈衿良;陈海明;何冠霖;梁裕民 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-01-12 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种集成扇出型封装包括管芯、包封体、重布线结构、多个导电柱、晶种层、及多个导电凸块。所述包封体包封所述管芯。所述重布线结构位于所述管芯及所述包封体上。所述重布线结构与所述管芯电连接且包括依序堆叠的多个介电层以及夹置在所述介电层之间的多个导电图案。距所述管芯最远的所述介电层的杨氏模量高于所述介电层中其余介电层中的每一者的杨氏模量。所述导电图案彼此电连接。所述导电柱设置在所述重布线结构上且与所述重布线结构电连接。所述晶种层位于所述导电柱与所述重布线结构之间。所述导电凸块设置在所述多个导电柱上。
重布线介电层导电柱管芯包封体扇出型封装导电凸块导电图案杨氏模量电连接晶种层依序堆叠管芯电包封夹置

[发明专利]半导体结构和其制造方法-CN201710451130.0在审
发明人：陈衿良;游济阳;何冠霖;梁裕民 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-06-15 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本揭露涉及一种半导体结构和其制造方法。本揭露提供一种半导体装置。半导体封装装置包含具有第一表面的第一半导体裸片。所述半导体封装装置还包含环绕所述第一半导体裸片的介电材料，其中所述介电材料包括与所述第一表面基本上齐平的表面。所述半导体封装装置另包含覆盖层，覆盖所述第一半导体裸片的所述第一表面与所述介电材料的所述表面。所述覆盖层与切割胶带之间的粘着性小于所述介电材料与所述切割胶带之间的粘着性。
半导体结构制造方法

[发明专利]半导体结构-CN201710342284.6在审
发明人： 游济阳;何冠霖;陈衿良;梁裕民 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-05-16 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明实施例揭示一种半导体结构，其包含衬底；重布线层RDL，包含放置在所述衬底上方的介电层以及被所述介电层环绕的多个导电件；第一导电柱，放置在所述导电件的一者上方且与其电连接；第二导电柱，放置在所述导电件的一者上方且与其电连接；第一裸片，放置在所述RDL上方且与所述第一导电柱电连接；以及第二裸片，放置在所述RDL上方且与所述第二导电柱电连接，其中所述第二导电柱的高度为基本上大于所述第一导电柱的高度，且所述第一裸片的厚度为基本上大于所述第二裸片的厚度。本发明实施例揭示的半导体结构，其可靠度及性能能够得到有效的改善。
半导体结构

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