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[发明专利]成膜方法及原料溶液-CN202180055292.7在审
发明人：坂爪崇宽;渡部武纪 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种成膜方法，其为对经雾化的原料溶液进行热处理而进行成膜的成膜方法，其特征在于，将金属镓溶解于含有氢溴酸及氢碘酸中的至少一种的酸性溶液中，制备金属杂质的浓度小于2％的所述原料溶液，将该原料溶液雾化并进行成膜。由此，能够提供一种成膜方法，该方法能够以高成膜速度成膜为结晶性良好的膜。
方法原料溶液

[实用新型]成膜装置-CN202222440438.4有效
发明人： 渡部武纪;桥上洋;坂爪崇寛 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型是一种成膜装置、结晶性氧化物膜及其应用，所述成膜装置进行喷雾化学气相沉积法，所述成膜装置包括：基板加热部件，具有载置基板的基板载置部；喷嘴，喷出方向相对于所述基板的表面为垂直方向，且供给包含原料溶液的喷雾；以及所述喷嘴和/或所述基板加热部件的位置调整部件，能够将所述基板载置部的位置调整为所述喷嘴的所述喷出方向的位置与所述喷出方向以外的位置。由此，提供一种以氧化镓为主成分的结晶性氧化物膜、用于使所述结晶性氧化物膜成膜的成膜装置，所述结晶性氧化物膜的结晶性优异，即便为大面积且薄的膜厚，面内的膜厚分布也良好。
装置

[发明专利]高光电转换效率的太阳能电池、其制造方法、太阳能电池组件和光伏发电系统-CN201680090766.0有效
发明人：三田怜;渡部武纪;大塚宽之 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2016-11-15 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：[问题]为了提供一种低成本、高产率、可以容易地制造的背面接触型的高光电转换效率的太阳能电池。[解决方案]在该高光电转换效率的太阳能电池中，在第一导电型半导体基板的作为非受光面的背面上设置：扩散有第一导电型杂质的第一导电型扩散层，扩散有第二导电型杂质的第二导电型扩散层，和在第一导电型扩散层和第二导电型扩散层之间形成的高电阻层或本征半导体层。
光电转换效率太阳能电池制造方法组件发电系统

[发明专利]高效背面电极型太阳能电池及其制造方法-CN201880043093.2有效
发明人：桥上洋;渡部武纪;大塚宽之 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2018-05-07 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供一种背面电极型太阳能电池，其在结晶硅基板的第一主表面上具备具有p型导电类型的p型区域与具有n型导电类型的n型区域，并具备形成在p型区域上的正电极与形成在n型区域上的负电极，其特征在于，正电极由形成在p型区域上且含有III族元素的第一导电体、与层叠在第一导电体上且III族元素的含有比例低于第一导电体的第二导电体的层叠导电体构成，负电极由形成在n型区域上的第二导电体构成。由此，可提供一种光电转换效率高且廉价的背面电极型太阳能电池。
高效背面电极太阳能电池及其制造方法

[发明专利]氧化镓半导体膜的制造方法及成膜装置-CN202180045966.5在审
发明人： 渡部武纪 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L21/365 文献下载
摘要：本发明是一种氧化镓半导体膜的制造方法，其使用雾化CVD法，包含以下工序：雾产生工序，在雾化部中雾化包含镓的原料溶液而产生雾；载气供给工序，向所述雾化部供给用于输送所述雾的载气；输送工序，经由连接所述雾化部与成膜室的供给管利用所述载气从所述雾化部向所述成膜室输送所述雾；整流工序，在所述成膜室中向基板的表面供给的所述雾及所述载气的流动被整流成沿着所述基板的表面的流动；成膜工序，对经过所述整流的雾进行热处理而在所述基板上进行成膜；以及排气工序，向所述基板的上方排出废气。由此，提供一种膜厚的面内均匀性、成膜速度优异的氧化镓半导体膜的制造方法。
氧化半导体制造方法装置

[发明专利]层叠结构体、半导体装置及结晶性氧化物膜的成膜方法-CN202211156828.7在审
发明人： 渡部武纪;桥上洋;坂爪崇寛 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种层叠结构体、半导体装置及结晶性氧化物膜的成膜方法。一种层叠结构体，其为至少包括基底基板及以氧化镓为主成分的结晶性氧化物膜的层叠结构体，且所述层叠结构体的所述结晶性氧化物膜侧的面中波长400nm～800nm的光的反射率的平均值为16％以上。由此，可提供一种具有以氧化镓为主成分的结晶性氧化物膜的层叠结构体，所述结晶性氧化物膜的结晶缺陷显著少、结晶性优异且在应用于半导体装置时半导体特性优异。
层叠结构半导体装置结晶氧化物方法

[发明专利]高光电转换效率太阳能电池的制造方法及高光电转换效率太阳能电池-CN201680090735.5有效
发明人：桥上洋;渡部武纪;大塚宽之 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2016-11-14 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明为一种太阳能电池的制造方法，其是使用单结晶硅基板制造单结晶硅太阳能电池的太阳能电池的制造方法，并且包含将单结晶硅基板在800℃以上1200℃以下热处理的高温热处理步骤，该高温热处理步骤具有：将单结晶硅基板装填至热处理装置的搬运步骤；将单结晶硅基板加热的加热步骤；将单结晶硅基板保持在800℃以上1200℃以下的既定温度的保温步骤；及将单结晶硅基板冷却的冷却步骤，在高温热处理步骤之中，将通过搬运步骤及加热步骤使单结晶硅基板的温度成为400℃以上650℃以下的时间定为5分钟以内。由此可提供一种太阳能电池的制造方法，可制造出光电转换效率高、基板面内特性均匀的太阳能电池。
光电转换效率太阳能电池制造方法

[发明专利]成膜方法、成膜装置、结晶性氧化物膜及其应用-CN202211120925.0在审
发明人： 渡部武纪;桥上洋;坂爪崇寛 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明是一种成膜方法、成膜装置、结晶性氧化物膜及其应用，所述成膜方法在基板上通过喷雾CVD法来使以氧化镓为主成分的结晶性氧化物膜成膜，其包括下述工序：对基板进行加热；对供给包含原料溶液的喷雾的喷嘴进行加热；以及以经加热的喷嘴的喷出方向相对于基板的表面成为垂直方向的方式来将喷雾供给至经加热的基板上，以进行结晶性氧化物膜的成膜，在对喷嘴进行加热的工序中，在基板不存在于喷嘴的喷出方向的状态下进行喷嘴的加热，在进行结晶性氧化物膜的成膜的工序中，在基板存在于喷嘴的喷出方向的状态下进行成膜。由此，提供一种结晶性优异，即便为大面积且薄的膜厚，面内的膜厚分布也良好的以氧化镓为主成分的结晶性氧化物膜。
方法装置结晶氧化物及其应用

[发明专利]成膜用掺杂原料溶液的制备方法、层叠体的制造方法、成膜用掺杂原料溶液及半导体膜-CN202180045862.4在审
发明人：桥上洋;渡部武纪;坂爪崇宽;川原村敏幸;邓太江;安冈龙哉 -专利权人：信越化学工业株式会社;高知县公立大学法人
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：本发明涉及一种成膜用掺杂原料溶液的制备方法，其特征在于，其包含将溶质不与其他溶剂混合而是首先与第一溶剂混合，从而以与成膜原料另行制备的方式制备掺杂剂前驱体溶液的步骤，其中，所述溶质包含含有卤素的有机掺杂剂化合物或掺杂剂的卤化物，所述制备方法使用酸性溶剂作为所述第一溶剂。由此，可提供一种能够稳定地形成具有优异的电气特性的高品质薄膜的成膜用掺杂原料溶液的制备方法。
成膜用掺杂原料溶液制备方法层叠制造半导体

[发明专利]高光电变换效率太阳能电池的制造方法及高光电变换效率太阳能电池-CN201680089834.1有效
发明人： 渡部武纪;桥上洋;大塚宽之 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2016-10-05 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明是一种太阳能电池的制造方法，其特征是具有：准备在至少一方的主表面上具有通过烧成电极前驱体而形成的电极、具有PN结的未满100℃的半导体硅基板的步骤，与将前述半导体硅基板在100℃以上450℃以下进行退火处理的步骤。由此，提供一种可以抑制只在室温·大气中放置着就使太阳能电池的输出降低这种劣化现象的制造太阳能电池的方法。
光电变换效率太阳能电池制造方法

[实用新型]成膜系统-CN202220709479.6有效
发明人： 渡部武纪;桥上洋;坂爪崇寛;宇野和行;太田茉莉香 -专利权人：信越化学工业株式会社;国立大学法人和歌山大学
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：本实用新型为一种成膜系统，其进行结晶性氧化物膜的成膜包括：原料溶液制造部，制造用于进行雾化的原料溶液且为包含含有金属元素的溶质与溶媒的原料溶液；雾化部，将所制造的所述原料溶液喷雾化或液滴化而生成雾；搬送部，通过载气来将所述雾搬送至成膜部；以及成膜部，从喷嘴向基板上供给所述雾，并在所述基板上进行热处理而进行成膜，并且所述原料溶液制造部包括搅拌部件，所述搅拌部件在将包含金属元素的溶质混合于溶媒中并加以搅拌时，将温度设为30℃以上来进行搅拌。由此，可提供一种成膜速度优异的、即便在将两种以上的元素的固溶体成膜时也能够进行膜中组成的再现性优异的成膜的成膜系统。
系统

[发明专利]高光电变换效率太阳能电池及高光电变换效率太阳能电池的制造方法-CN201680090392.2有效
发明人： 渡部武纪;三田怜;桥上洋;大塚宽之 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2016-10-25 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明是一种太阳能电池，其是于具有第一导电型的半导体基板的第一主表面上，拥有具有第一导电型的基极层、及邻接于基极层且具有与第一导电型相反的导电型的第二导电型的射极层，至少于基极层上具有基极集电电极的太阳能电池，其中基极集电电极的一部分亦配置于射极层上，此射极层邻接于配置有基极集电电极的基极层。由此，提供廉价且光电变换效率高的太阳能电池。
光电变换效率太阳能电池制造方法

[发明专利]高光电变换效率太阳能电池胞及高光电变换效率太阳能电池胞的制造方法-CN201680091244.2有效
发明人： 渡部武纪;松尾阳子;桥上洋;大塚宽之 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2016-12-01 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明是一种太阳能电池胞，其特征为在半导体基板的第一主表面上具有指状电极，以至少前述指状电极的表面不露出的方式以包含绝缘材料的材料包覆，前述包含绝缘材料的材料是不会加水分解者或是在加水分解时不会产生羧酸者。由此，提供即便使用EVA，也抑制随时间经过的光电变换效率的降低的太阳能电池胞以及使用其的太阳能电池模块。
光电变换效率太阳能电池制造方法

[发明专利]高效背面接触型太阳能电池单元、太阳能电池组件和光伏发电系统-CN201680090730.2有效
发明人：三田怜;桥上洋;渡部武纪;大塚宽之 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2016-12-13 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：提供一种背面接触型太阳能电池单元，其在第一导电型的半导体基板的作为非受光面的背面上形成有扩散第二导电型的杂质的杂质扩散层，所述背面接触型太阳能电池单元设置有与所述杂质扩散层连接的电极，其中杂质扩散层中杂质的表面浓度为5×1017原子/cm3以上且5×1019原子/cm3以下，杂质扩散层中杂质的扩散深度为从所述基板背面的表面起1μm以上且2.9μm以下。由于该构造，可以提供能够以低成本且利用简便的方法制造的高效背面接触型太阳能电池单元。
高效背面接触太阳能电池单元组件发电系统

[发明专利]高效太阳能电池的制造方法-CN201880042175.5有效
发明人： 渡部武纪;桥上洋;大塚宽之 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2018-04-20 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供一种能够提高光电转换效率的太阳能电池的制造方法。本发明为一种太阳能电池的制造方法，其包括：在硅半导体基板上形成pn结的工序、在硅半导体基板的至少一个主表面上制膜氧化铝膜的工序，所述太阳能电池的制造方法的特征在于，在制膜氧化铝膜的工序之前，包括在每1立方米的水蒸气量为20g以上、温度为60℃以上100℃以下的气氛下，对硅半导体基板进行加热处理的工序。由此，可提供一种能够提高光电转换效率的太阳能电池的制造方法。
高效太阳能电池制造方法

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