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- [发明专利]晶体管-CN202080105740.5在审
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渡边伸介
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三菱电机株式会社
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2020-11-16
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2023-07-11
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H01L21/338
- 本公开所涉及的晶体管具备：半导体基板；源极焊盘，设置于半导体基板的上表面；多个源极电极，设置于半导体基板的上表面，具有与源极焊盘连接的第一端和与源极焊盘相反的一侧的第二端，并沿与半导体基板的上表面平行的排列方向排列；多个漏极电极，设置于半导体基板的上表面，并在排列方向上与多个源极电极交替配置；栅极电极，设置于半导体基板的上表面；以及第一配线，将多个源极电极中的设置于半导体基板的在排列方向上的中央部的多个中央部电极的第二端连接起来，不与多个源极电极中的除多个中央部电极以外的源极电极的第二端连接。
- 晶体管
- [发明专利]场效应晶体管-CN201780094262.0有效
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渡边伸介
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三菱电机株式会社
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2017-09-01
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2023-04-14
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H01L21/336
- 本发明涉及的场效应晶体管具有：半导体基板；多个漏极电极，它们设置于半导体基板的第一面，在第一方向延伸；多个源极电极，它们与多个漏极电极彼此交替地排列；多个栅极电极，它们各自设置于多个源极电极和多个漏极电极之间；输入端子，其与多个栅极电极连接；输出端子，其与多个漏极电极连接；以及多个金属层，它们在半导体基板与第一面分离地设置，在与第一方向交叉的第二方向延伸，多个金属层包含第一金属层和第二金属层，该第二金属层比第一金属层长，从与第一面垂直的方向观察，相比于第一金属层，第二金属层与更多的漏极电极交叉，多个漏极电极中越是从输入端子至输出端子为止的线路长度短的漏极电极则在其正下方设置越多的金属层。
- 场效应晶体管
- [发明专利]高频半导体装置-CN202080091170.9在审
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渡边伸介
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三菱电机株式会社
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2020-01-07
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2022-08-12
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H01L21/822
- 本发明涉及高频半导体装置。以往的具备输入二倍波匹配电路的高频半导体装置存在产生增益降低的课题。本发明的高频半导体装置(100)在设置于半导体基板(1)上表面的一个输入二倍波匹配电路(19)连接有邻接的2个单位晶体管单元(7)、(8)。输入二倍波匹配电路(19)具有第一电容(13)、第一电感器(14)、第二电容(15)以及第二电感器(16)。第一电容(13)以及第一电感器(14)在基波的频率下谐振，从2个单位晶体管单元(7)、(8)的输入电极看入的阻抗在二倍波的频率下为短路。
- 高频半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN201710909111.8有效
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渡边伸介;西泽弘一郎
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三菱电机株式会社
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2017-09-29
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2021-03-16
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H03F1/30
- 本发明涉及具有场效应晶体管的半导体装置，其目的在于得到能够抑制基板的面积的增加的半导体装置。本发明涉及的半导体装置具有：晶体管，其设置于第1基板；栅极焊盘，其与该晶体管的栅极电极连接；导电性凸块，其设置于该栅极焊盘之上；第2基板，其设置于该第1基板的上方，具有第1面和第2面；第1电极，其从该第1面贯穿至该第2面，在该第2面侧与该导电性凸块连接；电阻，其一端连接于该第1电极的该第1面侧，另一端连接于输入端子；以及第2电极，其与该第1电极相邻设置在该第1面，以不经由该电阻的状态连接于该输入端子，该晶体管的栅极泄漏电流从该第1电极通过该第2基板的该母材及该第2电极而流动至该输入端子。
- 半导体装置
- [发明专利]晶体管-CN201610556805.3有效
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渡边伸介
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三菱电机株式会社
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2016-07-14
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2019-08-06
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H01L23/522
- 本发明得到一种晶体管，该晶体管能够抑制振荡，而不会发生性能的劣化、电阻的损伤。在半导体衬底(1)之上形成有多个栅极电极(2)、多个源极电极(3)及多个漏极电极(4)。漏极焊盘(7)形成于半导体衬底(1)之上，与多个漏极电极(4)连接。金属配线(10)形成于半导体衬底(1)之上，与漏极焊盘(7)分离并相邻，与漏极焊盘(7)平行地配置。接地焊盘(11)形成于半导体衬底(1)之上，与金属配线(10)的两端连接。
- 晶体管
- [发明专利]场效应晶体管-CN201610281369.3有效
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野上洋一;堀口健一;东坂范雄;渡边伸介;北野俊明
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三菱电机株式会社
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2016-04-29
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2019-06-04
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H01L29/40
- 得到一种场效应晶体管，该场效应晶体管能够有效地抑制由与高温RF动作时的本征载流子密度增大相伴的损耗增大所引起的RF特性变差。多个源极电极(6)及多个漏极电极(7)彼此交替地配置，与半导体衬底(1)的主面欧姆接合。多个栅极电极(8)分别配置在多个源极电极(6)和多个漏极电极(7)之间，与半导体衬底(1)的主面肖特基接合。多个漏极电极(7)分别具有彼此被分割开的第1及第2部分(7a、7b)。漏极电极(7)的第1及第2部分(7a、7b)的合计电极宽度比一根源极电极(6)的宽度窄。肖特基电极(13)配置在漏极电极(7)的第1部分(7a)和第2部分(7b)之间，与半导体衬底(1)的主面肖特基接合。
- 场效应晶体管
- [发明专利]高频信号放大器-CN201210385397.1无效
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渡边伸介
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三菱电机株式会社
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2012-10-12
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2013-04-17
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H03F3/189
- 本发明涉及高频信号放大器。主放大器（4）放大高频信号。主放大器（4）的输出端子和天线（2）之间连接有信号线路（5）。长度或末端不同的耦合线路（6、7）分别和信号线路（5）平行地配置。移相器（8、10）使经由耦合的信号线路（5）及耦合线路（6、7）分别施加的高频信号发生相位变化并向主放大器（4）的输入端子供给，移相器（8、10）分别具有不同的相位变化量。从而得到能够通过简单的电路结构将向天线供给的高频信号的电力保持固定的高频信号放大器。
- 高频信号放大器
- [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201110213254.8有效
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金谷康;塚原良洋;渡边伸介
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三菱电机株式会社
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2011-07-28
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2012-02-08
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H01L21/52
- 本发明得到能改善耐湿性、抑制增益下降、降低外部电磁噪声并可有效切割的半导体装置的制造方法。在主体晶片（1）的主面（1a）形成电路图形（2）和金属膜（3）。形成从主体晶片（1）的主面（1b）贯通主体晶片（1）到达金属膜（3）的贯通孔（17）。在主体晶片（1）的主面（1b）一部分、贯通孔（17）内壁及贯通孔（17）内露出的金属膜（3）上形成金属膜（4）。在盖晶片（7）的主面（7a）形成凹部（8）。在盖晶片（7）的包含凹部（8）的主面（7a）形成金属膜（9）。使凹部（8）与电路图形（2）对置、金属膜（9）与金属膜（3）接触地将盖晶片（7）接合在主体晶片（1）。将接合的主体晶片（1）和盖晶片（7）沿贯通孔（17）切割。
- 半导体装置及其制造方法
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