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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310691806.9有效
发明人：万星星;王晋;高晋文;郭佳惠 -专利权人： 润芯感知科技（南昌）有限公司
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括衬底基板、压电层、第一电极、阻挡结构、空腔以及支撑层；压电层位于衬底基板的一侧；第一电极位于压电层的靠近衬底基板的一侧；阻挡结构在垂直于衬底基板主表面的第一方向上位于压电层和衬底基板之间；空腔位于压电层与阻挡结构之间以及第一电极与阻挡结构之间；支撑层在第一方向上位于阻挡结构的部分与压电层之间，且在平行于衬底基板的主表面的水平方向上位于阻挡结构的远离空腔的一侧，其中第一电极自空腔延伸至阻挡结构中，且第一电极与支撑层被阻挡结构分隔开。本公开的半导体器件可提高器件的结构稳定性和可靠性以及产品良率。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]溅射装置及使用其形成半导体结构的方法-CN202310720707.9有效
发明人：王晋;黄峰;高晋文;郭佳惠 -专利权人： 润芯感知科技（南昌）有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种溅射装置及使用其形成半导体结构的方法，所述溅射装置包括至少一个溅射腔室，且每个溅射腔室包括承载台和靶材结构。承载台被配置为承载待镀膜的基板，且可绕沿第一方向的旋转轴旋转，第一方向垂直于承载台配置为承载基板的主表面，其中承载台包括被配置为安装基板的基板安装区；靶材结构在第一方向上与承载台相对设置，且包括靶材溅射区，靶材溅射区是被配置为在溅射工艺中向位于承载台上的基板提供靶材粒子的区域，其中靶材溅射区与基板安装区在第一方向上交叠，且在平行于承载台的主表面的第二方向上延伸超出基板安装区的边缘。本公开实施例的溅射装置可提高溅射工艺在深孔侧壁镀膜的能力。
溅射装置使用形成半导体结构方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202310533505.3有效
发明人：康晓旭;郭佳惠;高晋文;陆原;王晋 -专利权人： 润芯感知科技（南昌）有限公司;华润微电子控股有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供敏感材料层，敏感材料层包括第一表面和第二表面；在敏感材料层的第二表面上形成牺牲层和包围牺牲层的边墙层，边墙层的顶部形成有连接牺牲层的释放孔，边墙层的底部设置在敏感材料层的第二表面上；自敏感材料层的第一表面起依次刻蚀敏感材料层和边墙层，以形成贯穿敏感材料层、并延伸至边墙层内部的凹槽，凹槽的开口与边墙层的底部相对设置；形成填充凹槽的填充层；通过释放孔去除牺牲层，以在边墙层和敏感材料层之间形成空腔结构。本发明能够降低敏感材料层与边墙层之间的界面层的腐蚀速度，避免在敏感材料层与边墙层之间产生开裂。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202310474824.1有效
发明人：康晓旭;郭佳惠;高晋文;陆原;王晋 -专利权人： 润芯感知科技（南昌）有限公司;华润微电子控股有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供敏感材料层；在敏感材料层上形成第一牺牲层和环绕第一牺牲层的第一边墙层；在第一牺牲层和第一边墙层上方形成第二牺牲层和包围第二牺牲层的第二边墙层，第二边墙层连接第一边墙层，第二牺牲层的材料与第一牺牲层的材料不同；在第二边墙层中形成连接第二牺牲层的释放孔；采用第一刻蚀工艺，通过释放孔去除第二牺牲层，以露出第一牺牲层；采用第二刻蚀工艺，通过释放孔去除第一牺牲层，以在第一边墙层和第二边墙层中形成空腔结构。本发明能够降低敏感材料层与边墙层之间的界面层的腐蚀速度，避免在敏感材料层与边墙层之间产生开裂。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202310474878.8有效
发明人：康晓旭;郭佳惠;高晋文;陆原;王晋 -专利权人： 润芯感知科技（南昌）有限公司;华润微电子控股有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供敏感材料层，敏感材料层的第一表面形成有第一电极；在敏感材料层的第一表面上形成牺牲层和包围牺牲层的边墙层，其中，牺牲层包括第一牺牲层和包围第一牺牲层的第二牺牲层，第一牺牲层的材料与第二牺牲层的材料不同；在边墙层中形成连接第一牺牲层的释放孔；采用第一刻蚀工艺，通过释放孔去除边墙层内部的第一牺牲层；采用不同于第一刻蚀工艺的第二刻蚀工艺，通过释放孔去除第二牺牲层，以在边墙层中形成空腔结构；形成贯穿敏感材料层、与第一电极电连接的第一通孔，并在敏感材料层的第二表面形成与第一通孔电连接的第一焊盘。本发明能够避免在敏感材料层与边墙层之间产生开裂。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]图案化方法和半导体结构的制造方法-CN202310670869.6在审
发明人：王晋;黄峰;郝玮倩;万星星;高晋文;郭佳惠 -专利权人： 润芯感知科技（南昌）有限公司
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种图案化方法和半导体结构的制造方法，所述图案化方法包括：在衬底基板上形成第一掩膜材料层和第二掩膜材料层；移除第二掩膜材料层的一部分，以形成第二掩膜层；移除第一掩膜材料层的一部分，以形成第一掩膜层，并在第一掩膜层的侧边在第二掩膜层的屋檐部与衬底基板之间形成初始底切结构；对第二掩膜层进行坍塌处理，使得第二掩膜层的屋檐部朝向衬底基板坍塌，第一掩膜层和坍塌的第二掩膜层构成掩膜结构；在衬底基板的部分和掩膜结构上形成材料层；进行剥离工艺，移除掩膜结构以及材料层的位于掩膜结构上的部分，并形成具有目标图案的图案化的材料层。使用本公开的图案化方法可使得所形成的图案化的材料层具有精度较高的图案和尺寸。
图案方法半导体结构制造

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202310474850.4在审
发明人：康晓旭;郭佳惠;高晋文;陆原;王晋 -专利权人： 润芯感知科技（南昌）有限公司;华润微电子控股有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供敏感材料层，敏感材料层包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；在敏感材料层的第一表面上形成牺牲层和包围牺牲层的边墙层，其中，牺牲层包括第一牺牲层和包围第一牺牲层的第二牺牲层，第一牺牲层的材料与第二牺牲层的材料不同；在边墙层中形成连接第一牺牲层的释放孔；采用第一刻蚀工艺，通过释放孔去除边墙层内部的第一牺牲层；采用不同于第一刻蚀工艺的第二刻蚀工艺，通过释放孔去除第二牺牲层，以在边墙层中形成空腔结构；在边墙层上方形成密封层，以密封住释放孔。本发明能够降低敏感材料层与边墙层之间的界面层的腐蚀速度，避免在敏感材料层与边墙层之间产生开裂。
一种半导体器件及其制造方法

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