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[实用新型]一种直拉单晶硅的掺杂装置-CN201320796585.3有效
发明人：孙新利 -专利权人： 浙江长兴众成电子有限公司
申请日： 2013-12-02 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本实用新型公开一种直拉单晶硅的掺杂装置，其装置包含括支撑架(2)、与支撑架滑竿相嵌套的滑动装置(1)、与支撑架(2)和滑动装置相连的掺杂容器(3)、用于连接的连接绳或连接杆(4)。该装置能够实现直拉单晶硅生长的快速准确掺杂，适用于实际生产环节。
一种单晶硅掺杂装置

[发明专利]一种异形尺寸的直拉单晶硅及其生长方法-CN201310267769.5无效
发明人：孙新利 -专利权人： 浙江长兴众成电子有限公司
申请日： 2013-06-28 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种异形尺寸的直拉单晶硅及其生长方法，该直拉单晶硅具有至少两个等直径尺寸部，该直拉单晶硅前端设有细颈部，后端设有具有锥度的尾部，等直径尺寸部之间设有直径过渡部。本发明根据单晶硅电阻率分布及单晶尺寸进行搭配生产，采用引晶、放肩、转肩、等径一部过程、直径过渡、等径二部过程、收尾步骤工艺进行生长，得到一根异形尺寸晶棒，尺寸及长度可按照任务单预先估算，本发明将不同直径的单晶硅结合在同一根晶棒上进行生长，可有效提高任务单搭配及电阻率对档性，有效降低生产成本，生产调配灵活度大。
一种异形尺寸单晶硅及其生长方法

[发明专利]一种变埚比的单晶硅生长方法-CN201310211852.0有效
发明人：孙新利 -专利权人： 浙江长兴众成电子有限公司
申请日： 2013-05-30 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种变埚比的单晶硅生长方法，单晶硅在坩埚中生长，待单晶硅进入等径生长后，调整坩埚埚比不断增加，进行变埚比单晶硅生长。本发明通过变埚比可以缓慢提高单晶界面生长液位，有效加速熔体自然热对流，保持熔体中氧含量浓度，有效提高单晶硅轴向氧含量一致性，操作方便，适合工业化生产。
一种单晶硅生长方法

[发明专利]一种高洁净度单晶硅研磨片的清洗方法-CN201310198354.7有效
发明人：孙新利;黄笑容 -专利权人： 浙江长兴众成电子有限公司
申请日： 2013-05-23 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种高洁净度单晶硅研磨片的清洗方法，先对硅片进行初步清洗，然后采用低浓度的无机碱溶液对硅片表面进行微量去厚清洗，将硅片表层碎晶层进行反应去除2～5微米，并使表面镶嵌物剥离，这样既保证了硅片表面的洁净度，又保留了硅片外吸杂功能，达到洁净清洗的目的。
一种洁净单晶硅研磨清洗方法

[实用新型]一种用于半导体硅片快速退火的装置-CN201220464669.2有效
发明人：孙新利;万喜增;蒋伟达;郑六奎 -专利权人： 浙江长兴众成电子有限公司
申请日： 2012-09-13 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于半导体硅片快速退火的装置，包括承接热处理炉出来半导体硅片的支撑支架，与支撑支架固定相连的移动滑板，与移动滑板配合的滑动导轨，该装置还包括一设于滑动导轨上的接触式开关及受该接触式开关控制开关的冷却风扇，当半导体硅片随移动滑板移动到处于冷却风扇风流中部位置时，接触式开关控制冷却风扇开启。本实用新型提供的半导体硅片快速退火装置能够有效实现快速退火，能够用于实际半导体硅片的加工和制造过程中的热处理退火环节，具有结构简单，操作简便，效率较高的优点。
一种用于半导体硅片快速退火装置

[实用新型]用于半导体硅片快速退火的装置-CN201220464684.7有效
发明人：孙新利;万喜增;蒋伟达;郑六奎 -专利权人： 浙江长兴众成电子有限公司
申请日： 2012-09-13 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于半导体硅片快速退火的装置，包括承接热处理炉出来半导体硅片的支撑支架，与支撑支架固定相连的移动滑板，与移动滑板配合的滑动导轨，该装置还包括一设于滑动导轨上的接触式开关及受该接触式开关控制开关的冷却风扇，当半导体硅片随移动滑板移动到处于冷却风扇风流中部位置时，接触式开关控制冷却风扇开启，移动滑板由驱动机构驱动在滑动导轨上滑动。本实用新型提供的半导体硅片快速退火装置能够有效实现快速退火，能够用于实际半导体硅片的加工和制造过程中的热处理退火环节，具有结构简单，操作简便，效率较高的优点。
用于半导体硅片快速退火装置

[实用新型]一种半导体直拉单晶硅棒自动分段设备-CN201220464713.X有效
发明人：孙新利;徐一俊;郭兵健;黄笑容;万喜增;陈功 -专利权人： 浙江长兴众成电子有限公司
申请日： 2012-09-13 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体直拉单晶硅棒自动分段设备，其包括PLC控制系统、割断装置、冷却水系统、夹持装置及自动机床，其中，单晶硅棒由夹持装置夹持固定于自动机床的工作台上，PLC控制系统控制自动机床直线移动的同时控制割断装置在自动机床移动到指定位置后对单晶硅棒进行割断作业，冷却水系统提供割断作业中的冷却水。本实用新型利用PLC控制系统，根据单晶硅电阻率变化曲线进行长度计算；通过控制自动机床及割断装置实现单晶硅棒自动截取功能，极大提高了生产中的电阻率对档性，优化了生产环节，提高了生产效率。
一种半导体单晶硅自动分段设备

[发明专利]一种用于半导体硅片快速退火的装置-CN201210337124.X有效
发明人：孙新利;万喜增;蒋伟达;郑六奎 -专利权人： 浙江长兴众成电子有限公司
申请日： 2012-09-13 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于半导体硅片快速退火的装置，包括承接热处理炉出来半导体硅片的支撑支架，与支撑支架固定相连的移动滑板，与移动滑板配合的滑动导轨，该装置还包括一设于滑动导轨上的接触式开关及受该接触式开关控制开关的冷却风扇，当半导体硅片随移动滑板移动到处于冷却风扇风流中部位置时，接触式开关控制冷却风扇开启。本发明提供的半导体硅片快速退火装置能够有效实现快速退火，能够用于实际半导体硅片的加工和制造过程中的热处理退火环节，具有结构简单，操作简便，效率较高的优点。
一种用于半导体硅片快速退火装置

[发明专利]用于半导体硅片快速退火的装置-CN201210337165.9有效
发明人：孙新利;万喜增;蒋伟达;郑六奎 -专利权人： 浙江长兴众成电子有限公司
申请日： 2012-09-13 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于半导体硅片快速退火的装置，包括承接热处理炉出来半导体硅片的支撑支架，与支撑支架固定相连的移动滑板，与移动滑板配合的滑动导轨，该装置还包括一设于滑动导轨上的接触式开关及受该接触式开关控制开关的冷却风扇，当半导体硅片随移动滑板移动到处于冷却风扇风流中部位置时，接触式开关控制冷却风扇开启，移动滑板由驱动机构驱动在滑动导轨上滑动。本发明提供的半导体硅片快速退火装置能够有效实现快速退火，能够用于实际半导体硅片的加工和制造过程中的热处理退火环节，具有结构简单，操作简便，效率较高的优点。
用于半导体硅片快速退火装置

[发明专利]一种半导体直拉单晶硅棒自动分段设备及方法-CN201210337163.X有效
发明人：孙新利;徐一俊;郭兵健;黄笑容;万喜增;陈功 -专利权人： 浙江长兴众成电子有限公司
申请日： 2012-09-13 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体直拉单晶硅棒自动分段设备及方法，其中自动分段设备包括PLC控制系统、割断装置、冷却水系统、夹持装置及自动机床，其中，单晶硅棒由夹持装置夹持固定于自动机床的工作台上，PLC控制系统控制自动机床直线移动的同时控制割断装置在自动机床移动到指定位置后对单晶硅棒进行割断作业，冷却水系统提供割断作业中的冷却水。本发明根据影响单晶电阻率变化因素推倒出的理论模型基础上结合实际修正，绘制不同规格单晶的电阻率分布曲线；利用PLC控制系统，根据单晶硅电阻率变化曲线进行长度计算；通过控制自动机床及割断装置实现单晶硅棒自动截取功能，极大提高了生产中的电阻率对档性，优化了生产环节，提高了生产效率。
一种半导体单晶硅自动分段设备方法

[实用新型]自清洁降温型太阳能电池板-CN201120498287.7有效
发明人：陈功;徐一俊;黄笑容;郭兵健;孙新利;倪海祺;陈从帮;何国君;郑伟梁;万喜增 -专利权人： 浙江长兴众成电子有限公司
申请日： 2011-12-05 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种自清洁降温型太阳能电池板，包括倾斜设置的太阳能电池板，所述太阳能电池板顶部安装一个螺旋形吹气系统，所述螺旋型吹气系统的出风口出风方向与太阳能电池板倾斜角度相同。本实用新型在太阳能光伏电池组背面加装螺旋形吹气系统，利用空气流动带走电池组件表面玻璃的温度，从而降低内部电池组件的温度，同时利用流动的空气降低了小颗粒空气悬浮物在玻璃上沉积的可能性，减少了现有太阳能电池组件存在电池转换效率降低的问题。
清洁降温太阳能电池板

[实用新型]一种直拉硅单晶的镓元素掺杂装置-CN201120452088.2有效
发明人：孙新利;郭兵健;黄笑容;何国君;徐一俊 -专利权人： 浙江长兴众成电子有限公司
申请日： 2011-11-15 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种直拉硅单晶的镓元素掺杂装置，包括具有底部掺杂孔的掺杂杯，所述掺杂杯上设有悬挂结构，悬挂结构上设有与提拉夹头相匹配的吊杆；所述掺杂杯的材质为熔点高于硅且不易与熔硅反应的材质；所述掺杂孔内填充有固化的熔硅。本实用新型镓元素掺杂装置能够实现多次重复使用，在实现掺杂后，充分利用熔硅特点和单晶炉内温度分布特点对掺杂杯进行封闭，可多次使用，具有成本低的优点。
一种直拉硅单晶元素掺杂装置

[实用新型]一种微动速度测量装置-CN201120372647.9有效
发明人：陈功 -专利权人： 浙江长兴众成电子有限公司
申请日： 2011-09-30 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： G01P3/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种微动速度测量装置，包括光栅工具，所述测量装置还包括数据处理装置，光栅工具测量一个采样时间周期的微动速度并将微动速度信号传输给数据处理装置，数据处理装置对微动速度信号进行处理以滤除干扰信号。所述光栅工具与数据处理装置间设有滤波电路。本实用新型增加了数据处理装置，数据处理装置通过抗干扰临界算法大大降低环境干扰因素对检测速度真实值的影响，从而提高检测值的可读性。
一种微动速度测量装置

[发明专利]自清洁降温型太阳能电池板-CN201110397391.1有效
发明人：陈功;徐一俊;黄笑容;郭兵健;孙新利;倪海祺;陈从帮;何国君;郑伟梁;万喜增 -专利权人： 浙江长兴众成电子有限公司
申请日： 2011-12-05 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L31/052 文献下载
摘要：本发明公开了一种自清洁降温型太阳能电池板，包括倾斜设置的太阳能电池板，所述太阳能电池板顶部安装一个螺旋形吹气系统，所述螺旋型吹气系统的出风口出风方向与太阳能电池板倾斜角度相同。本发明在太阳能光伏电池组背面加装螺旋形吹气系统，利用空气流动带走电池组件表面玻璃的温度，从而降低内部电池组件的温度，同时利用流动的空气降低了小颗粒空气悬浮物在玻璃上沉积的可能性，减少了现有太阳能电池组件存在电池转换效率降低的问题。
清洁降温太阳能电池板

[发明专利]一种直拉硅单晶的镓元素掺杂装置及其掺杂方法-CN201110360275.2有效
发明人：孙新利;郭兵健;黄笑容;何国君;徐一俊 -专利权人： 浙江长兴众成电子有限公司
申请日： 2011-11-15 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种直拉硅单晶的镓元素掺杂装置，包括具有底部掺杂孔的掺杂杯，所述掺杂杯上设有悬挂结构，悬挂结构上设有与提拉夹头相匹配的吊杆；所述掺杂杯的材质为熔点高于硅且不易与熔硅反应的材质；所述掺杂孔内填充有固化的熔硅。本发明还提供了使用上述掺杂装置的直拉硅单晶的镓元素掺杂方法，其中使用前用熔硅封住掺杂杯底部掺杂孔；使用时下降掺杂杯至液面下3～8mm，浸没掺杂孔，待封住掺杂孔的硅料熔化，镓元素将沿着掺杂孔流向熔硅。本发明镓元素掺杂装置能够实现多次重复使用，在实现掺杂后，充分利用熔硅特点和单晶炉内温度分布特点对掺杂杯进行封闭，可多次使用，具有成本低的优点。
一种直拉硅单晶元素掺杂装置及其方法

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