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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]双极晶体管及半导体装置-CN202310254079.X在审
  • 津村和宏 - 艾普凌科株式会社
  • 2023-03-16 - 2023-10-24 - H01L27/02
  • 本发明提供一种可减小电性特性的偏差的双极晶体管及半导体装置。一种双极晶体管(100)，具有：集电极区域(150)，是P型半导体基板(110)中的规定区域；基极区域(140)，形成在集电极区域(150)内且是N型阱区域；多晶硅(130)，隔着绝缘膜(131)形成在基极区域(140)上，且俯视时的外周呈矩形的环状；以及P型发射极区域(120)，被多晶硅(130)包围且形成在基极区域(140)内，多晶硅(130)包括延伸部(130a)，所述延伸部(130a)向基极区域(140)的接触区域(141)的内侧延伸并与基极区域(140)电性连接。
  • 双极晶体管半导体装置
  • [发明专利]ESD保护电路及半导体装置-CN202310229884.7在审
  • 津村和宏 - 艾普凌科株式会社
  • 2023-03-10 - 2023-09-22 - H01L27/02
  • 本发明提供一种与被保护电路的运行电压及破坏电压对应的ESD保护电路及半导体装置。一种ESD保护电路(100)，连接于VDD端子与VSS端子之间，与在运行电压下运行并且在破坏电压以上的电压下被破坏的内部电路(C)并联连接，而保护内部电路(C)不受静电放电的影响，所述ESD保护电路(100)具有串联连接的多个ESD保护元件(110、120)，多个ESD保护元件(110、120)是晶体管、二极管元件或者它们的组合，比运行电压高的电压下的多个ESD保护元件(110、120)的电流‑电压特性的总和比运行电压高且比破坏电压低，直至达到能够保护内部电路(C)的放电电流值以上。
  • esd保护电路半导体装置
  • [发明专利]基准电压产生装置-CN201911273920.X有效
  • 津村和宏 - 艾普凌科有限公司
  • 2019-12-12 - 2022-09-20 - G05F1/625
  • 基准电压产生装置（100）具备输出恒流的恒流电路（101）和生成输出电压的多个电压生成电路（102），恒流电路（101）输出的恒流对于温度变化具有显示第1倾斜的相关关系，多个电压生成电路（102）输出的多个输出电压，对于温度变化具有显示与显示第1倾斜的相关关系相反的第2倾斜的相关关系且各自不同的倾斜度。基准电压产生装置（100）产生基于恒流和从多个所述电压生成电路选择的至少一个电压生成电路的输出电压的基准电压。
  • 基准电压产生装置
  • [发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法-CN201710195980.9有效
  • 森田健士;津村和宏 - 艾普凌科有限公司
  • 2017-03-29 - 2021-06-22 - H01L29/78
  • 本发明提供半导体装置和半导体装置的制造方法，所述半导体装置能够容易地调整半导体装置的静电保护元件的耐压。在将N沟道型MOS晶体管作为静电保护元件的半导体装置中，N沟道型MOS晶体管构成为具有：纵向的电场缓和区域，其具有从N型高浓度漏区域朝向下方减小的3种不同的杂质浓度；横向的电场缓和区域，其具有从N型高浓度漏区域朝向沟道区域减小的3种不同的杂质浓度；以及杂质浓度最低的电场缓和区域，其与纵向的电场缓和区域和横向的电场缓和区域相接。
  • 半导体装置制造方法
  • [发明专利]电压调节器-CN201810269288.0有效
  • 坂口薰;津村和宏 - 艾普凌科有限公司
  • 2018-03-29 - 2020-11-17 - G05F1/56
  • 本发明提供电压调节器，该电压调节器具有：电压输出电路，其根据输入到输入端子的外部电压，生成低于外部电压的恒定的内部电压，并输出到输出端子；感温电路，其与温度上升对应地使输出节点的输出电压下降；过热检测电路，其与感温电路的输出节点和测试端子连接；以及电压检测电路，其与感温电路的输出节点和测试端子连接，在感温电路的输出电压和测试端子的电压低于第一电压时，电压输出电路根据过热检测电路输出的输出停止信号来停止输出，在测试端子的电压高于第二电压时，电压输出电路根据电压检测电路输出的测试模式信号来向输出端子输出外部电压，其中第二电压高于感温电路的输出电压和第一电压。
  • 电压调节器
  • [发明专利]半导体装置-CN201610025886.4有效
  • 津村和宏 - 艾普凌科有限公司
  • 2016-01-15 - 2020-09-01 - H01L27/04
  • 在同一半导体衬底上配置功率元件和感热元件，感热元件经由电阻器将PN结的一方与接地电位VSS或电源电位VDD的任一个连接，将所述PN结的两端的电位差与电阻器的两端的电位差之和用作温度检测的信号。由此，避开闩锁而能够将感温元件配置在设于功率元件的凹坑，能够作成在半导体衬底上使功率元件的某一地点与感热元件的某一地点的温度差较小的半导体装置。
  • 半导体装置
  • [发明专利]非易失性存储器电路-CN201310663409.7有效
  • 川上亚矢子;津村和宏 - 艾普凌科有限公司
  • 2013-12-10 - 2018-10-12 - G11C16/06
  • 本发明提供提高写入效率的能够在低电压下写入存储器电路。利用与P沟道型非易失性存储器元件的控制栅极连接的、由2个电阻器构成的电阻分压器和与所述2个电阻器并联连接的2个开关晶体管，通过进行控制栅极的电位的调整，使得在写入时，浮动栅极的电位为存储器元件的阈值附近，从而P沟道型非易失性存储器元件通过浮动栅极的电位为存储器元件的阈值附近，夹断点－漏极间的电场变强，容易产生热载流子，写入效率提高，能够在低电压下写入。
  • 非易失性存储器电路
  • [发明专利]分压电路-CN201380047904.3有效
  • 津村和宏 - 精工半导体有限公司
  • 2013-08-13 - 2017-06-23 - H03H7/24
  • 提供面积小且分压比的精度良好的分压电路。在构成分压电路的多个电阻之中，电阻值大的电阻即要求比精度高的电阻1/4R、1/2R、1R、9R、10R通过具有第一电阻值的第一单位电阻5A的串联连接或并联连接来构成，电阻值小的电阻即要求比精度低的电阻1/16R、1/8R通过具有小于第一电阻值的第二电阻值的第二单位电阻5B的并联连接来构成。
  • 压电
  • [发明专利]半导体存储装置以及半导体存储元件-CN201210367235.5有效
  • 小林直人;津村和宏 - 精工半导体有限公司
  • 2012-09-28 - 2016-12-21 - H01L27/115
  • 本发明提供一种非易失性半导体装置，该半导体装置不使元件的面积增大且即便不对控制栅电压进行控制也能以低电压大幅地增加写入量，另外，还能稳定地进行充分的写入。本发明的半导体存储元件，通过漏极雪崩热电子来进行写入，是一种MOS晶体管，其具有形成在第一导电型的半导体衬底上的第二导电型的第一半导体层；在上述第一半导体层上隔着绝缘膜而设置的浮动栅；形成在上述浮动栅下部的上述第一半导体层的表面的沟道区域；以及，以与上述沟道区域接触的方式设置在上述第一半导体层上的第一导电型的源区域及漏区域，上述沟道区域具有两种以上的载流子浓度分布。
  • 半导体存储装置以及元件
  • [发明专利]半导体存储电路-CN201310447687.9有效
  • 津村和宏 - 精工电子有限公司
  • 2013-09-27 - 2014-04-02 - G11C16/06
  • 本发明提供长期可靠性和读出特性优异的低消耗电流的半导体存储电路。本发明的半导体存储电路，将第一倒相器的输出连接至可电写入的第一非易失性存储器的源极，将第一非易失性存储器的漏极连接至第二倒相器的输入，将第二倒相器的输出连接至第二非易失性存储器的源极，将第二非易失性存储器的漏极连接至第一倒相器的输入，将第二非易失性存储器的漏极作为输出。
  • 半导体存储电路
  • [发明专利]存储器电路-CN201210242585.9有效
  • 小山內润;广濑嘉胤;津村和宏;井上亚矢子 - 精工电子有限公司
  • 2012-07-13 - 2013-01-16 - G11C16/10
  • 本发明所提供的是一种存储器电路，其中错误写入在加电时不太可能发生。存储器电路(10)包括：用于写入的P沟道非易失性存储器元件(15)，仅在写操作期间才在其源极与漏极之间施加电压以便写入数据；以及用于读取的N沟道非易失性存储器元件(16)，具有共同设置到P沟道非易失性存储器元件(15)的控制栅极和浮置栅极的控制栅极和浮置栅极，并且仅在读取期间才在其源极与漏极之间施加电压以便读取数据。
  • 存储器电路
  • [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201210059659.5有效
  • 井上亚矢子;津村和宏 - 精工电子有限公司
  • 2012-03-08 - 2012-09-19 - H01L27/06
  • 本发明提供了一种半导体装置及其制造方法。在同一半导体衬底上具有晶体管元件、电容元件以及电阻元件的半导体装置中，具备充分功能的电容元件。由同一多晶硅在有源区域上形成电容元件，在元件分离区域上形成电阻元件之后，通过CMP或蚀刻等在使基板表面平坦化的同时削至期望的电阻元件的膜厚。此时，根据有源区域与元件分离区域的高度差异，形成膜厚较薄的电阻元件和膜厚较厚的电容元件的上部电极。由于电容元件的上部电极具有充分的膜厚，因而可防止触点的穿透。
  • 半导体装置及其制造方法
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