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[发明专利]陶瓷板、及陶瓷板的制造方法-CN202280014614.8在审
发明人： 津川优太;藤吉大树;山县利贵 -专利权人：电化株式会社
申请日： 2022-02-08 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：本公开文本的一个方面涉及的陶瓷板具有第1主面及第2主面、和由形成于第1主面的多个孔构成的划片槽。将第1弯曲强度设为在第1主面被2个支点支承且划片槽沿着施加于第2主面的载荷点的状态下利用3点弯曲试验测得的值，将第2弯曲强度设为在2个支点间不存在划片槽的状态下利用3点弯曲试验测得的值，此时，第1弯曲强度为380MPa以上，并且为第2弯曲强度的0.56倍以下。
陶瓷制造方法

[发明专利]陶瓷基板、复合基板及电路基板以及陶瓷基板的制造方法、复合基板的制造方法、电路基板的制造方法及多个电路基板的制造方法-CN202080078894.X在审
发明人： 津川优太;西村浩二;小桥圣治;江嶋善幸;汤浅晃正 -专利权人：电化株式会社
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本发明的陶瓷基板为俯视下呈矩形的陶瓷基板，在与由其一对对角线形成的交叉点错开的位置形成有至少一个凸状部分，所述至少一个凸状部分朝向其板厚方向的一侧或另一侧成为凸状，前述至少一个凸状部分的最大凸量除以前述陶瓷基板的对角线的长度而得的值为2μm/mm以下。
陶瓷复合路基以及制造方法多个电

[发明专利]陶瓷基板、复合基板及电路基板以及陶瓷基板的制造方法、复合基板的制造方法、电路基板的制造方法及多个电路基板的制造方法-CN202080078881.2在审
发明人： 津川优太;西村浩二;小桥圣治;江嶋善幸;汤浅晃正 -专利权人：电化株式会社
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本发明的陶瓷基板为俯视下呈矩形的陶瓷基板，在将由其一对对角线形成的交叉点作为前述陶瓷基板的板厚方向的基准的情况下，由前述一对对角线划分出的4个区域中，隔着前述交叉点相对的一对第1区域及一对第2区域中的一方位于较前述交叉点更靠前述板厚方向的一侧的位置，另一方位于较前述交叉点更靠前述板厚方向的另一侧的位置，前述陶瓷基板的前述板厚方向的最大凸量除以前述陶瓷基板的对角线的长度而得的值为6μm/mm以下。
陶瓷复合路基以及制造方法多个电

[发明专利]氮化硅基板、氮化硅-金属复合体、氮化硅电路基板及半导体封装件-CN202080025283.9在审
发明人： 津川优太;小桥圣治;西村浩二 -专利权人：电化株式会社
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本发明提供氮化硅基板，其为含有氮化硅和镁的氮化硅基板，在特定的条件I下，利用X射线荧光分析装置对氮化硅基板的表面进行分析时，XB/XA为0.8以上、1.0以下。
氮化硅基板金属复合体路基半导体封装

[发明专利]接合基板、金属电路基板及电路基板-CN201980062400.6在审
发明人： 津川优太;西村浩二;青野良太 -专利权人：电化株式会社
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：接合基板(10)，其具备：基板(20)；金属板(30)，其与基板(20)构成层叠状态且具有基板(20)侧的第1面(32)和位于第1面(32)的相反侧的第2面(34)，在从层叠方向观察时，第1面(32)的缘部与第2面(34)的缘部相比更靠外侧；及接合构件(40)，其配置在基板(20)与金属板(30)之间且将金属板(30)与基板(20)接合，在从层叠方向观察时，所述接合构件(40)在金属板(30)的全周范围内从缘部伸出，其中，沿层叠方向切断而得的切断面中的、从相当于第1面(32)的周缘的部分至相当于第2面(34)的周缘的部分的周面长度(A)、接合构件(40)的伸出长度(B)、及金属板(30)的厚度(C)满足下述的第1式及第2式。(第1式)0.032≤B/(A+B)≤0.400(第2式)0.5(mm)≤C≤2.0(mm)。
接合金属路基

[发明专利]陶瓷电路基板-CN201880037182.6在审
发明人：青野良太;中原史博;西村浩二;津川优太 -专利权人：电化株式会社
申请日： 2018-06-07 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H05K3/18 文献下载
摘要：课题在于得到适于半导体元件的银纳米粒子接合、与功率模块密封树脂的密合性优异的陶瓷电路基板。解决方案在于一种陶瓷电路基板，其为在使用了氮化铝或氮化硅的陶瓷基板的两主面介由钎料而接合铜板、在至少一主面的铜板上实施了镀银的陶瓷电路基板，其特征在于，铜板侧面不实施镀银，银镀层的厚度为0.1μm至1.5μm，镀银后的电路基板的表面粗糙度的算术平均粗糙度Ra为0.1μm至1.5μm。
陶瓷电路基板镀银铜板接合算术平均粗糙度半导体元件表面粗糙度银纳米粒子电路基板功率模块密封树脂陶瓷基板氮化硅氮化铝密合性银镀层钎料主面侧面

[发明专利]陶瓷电路基板和使用其的模块-CN201880036002.2在审
发明人： 津川优太;西村浩二;原田祐作;青野良太;岩切翔二 -专利权人：电化株式会社
申请日： 2018-05-29 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： C04B37/02 文献下载
摘要：提供一种具有高接合性和优异的耐热循环特性的陶瓷电路基板。一种陶瓷电路基板，其特征在于，陶瓷基板和铜板介由钎料而接合，所述钎料含有Ag、Cu以及选自Ti和Zr中的至少1种活性金属成分和选自In、Zn、Cd和Sn中的至少1种元素，接合后的钎料层的连续率为80％以上且钎料层的维氏硬度为60～85Hv。
陶瓷电路基板接合钎料层钎料耐热循环特性活性金属陶瓷基板维氏硬度接合性铜板