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[发明专利]被处理体搬送装置、半导体制造装置及被处理体搬送方法-CN201680062296.7有效
发明人：清水良;泽井美喜;佐塚祐贵;伊藤大介 -专利权人：株式会社日本制钢所
申请日： 2016-10-25 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：一种搬送被处理体的被处理体搬送装置，具有：搬送路径，被处理体在搬送路径中移动；在搬送路径上利用气体使被处理体浮起的气体浮起部；保持通过气体浮起部浮起的被处理体并与被处理体一起在搬送路径上移动的移动保持部；以及位于搬送路径上并具有对被处理体进行规定处理的处理区域的处理区域搬送路径，移动保持部沿着搬送路径的移动方向具有至少两个以上的保持部，各保持部能够在被处理体的移动过程中进行被处理体的保持解除和保持的切换，并进行在处理区域搬送路径中解除保持部对被处理体的保持，在处理区域搬送路径外的搬送路径中进行保持的动作。
处理体搬送装置半导体制造方法

[发明专利]激光退火装置、激光退火处理用连续传送路径以及激光退火处理方法-CN202011489205.2在审
发明人：谷川贞夫;泽井美喜 -专利权人：株式会社日本制钢所
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明提供一种激光退火装置(1)，对被处理体(100)照射激光(42)进行退火处理，包括将被处理体(100)在一定方向上连续传送的连续传送路径(2)、对在连续传送路径(2)传送的被处理体(100)照射激光(42)的激光照射单元，连续传送路径(2)具备在连续传送路径(2)的上游侧搬入被处理体(100)进行传送的搬入传送路径(2a)、在搬入传送路径(2a)的下游侧传送被处理体(100)并向被处理体(100)照射激光(42)进行退火处理的照射区域传送路径(2b)、以及在照射区域传送路径(2b)的下游侧将经过退火处理后的被处理体(100)传送并搬出的搬出传送路径(2c)。
激光退火装置处理连续传送路径以及方法

[发明专利]激光处理装置、激光处理方法和半导体器件制造方法-CN201880085876.7在审
发明人：山口芳広;泽井美喜;谷川贞夫;佐塚祐贵;小林直之 -专利权人：株式会社日本制钢所
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：根据本发明实施例的激光处理装置(1)包括：处理室(18)，用于对待处理物(40)执行激光处理；台架(10)，用于转移该待处理物(40)，且设置在处理室(18)内；以及控制单元(50)，将待处理物(40)在台架(10)上的放置位置指示给装载/卸载装置(30)，装载/卸载装置(30)被配置为将待处理物(40)装载入/卸载出处理室(18)。此外，处理室(18)包括用于装载待处理物(40)的装载门(17a)和用于卸载待处理物(40)的卸载门(17b)，并且待处理物(40)只在从装载门(17a)向卸载门(17b)的第一方向上被运送于台架(10)上。
激光处理装置方法半导体器件制造

[发明专利]结晶半导体膜的制造方法-CN201380065862.6有效
发明人：次田纯一;泽井美喜;町田政志;郑石焕 -专利权人：株式会社日本制钢所
申请日： 2013-11-11 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种结晶半导体膜的制造方法，在对非单晶半导体膜实施激光退火时，通过线射束形状的脉冲激光对非单晶半导体膜相对地扫描来按每一脉冲移动，并且通过照射次数n从而实施交叠照射，线射束的射束短轴宽度为100～500μm，且射束短轴方向的射束断面形状具有平坦部，晶体管的沟道长度为b，脉冲激光具有比通过该脉冲激光的照射而在非单晶半导体膜上发生微结晶化的照射脉冲能量密度低且能通过多次照射使结晶粒径成长达到饱和的照射脉冲能量密度，通过照射脉冲能量密度的脉冲激光的照射而使结晶粒径成长达到饱和时的照射次数为n0，照射次数n≥(n0‑1)，脉冲激光的扫描方向为所述晶体管的沟道长度方向，并且所述每一脉冲的移动量c＜b。 1
照射脉冲激光射束非单晶半导体膜脉冲能量结晶半导体膜结晶粒径晶体管沟道饱和短轴方向断面形状激光退火脉冲移动扫描方向射束形状平坦部微结晶移动量短轴交叠脉冲制造扫描

[发明专利]激光遮挡构件、激光处理装置及激光照射方法-CN201480021820.7有效
发明人：郑石焕;泽井美喜;次田纯一 -专利权人：株式会社日本制钢所
申请日： 2014-04-10 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：为了将线束分割，以能够确保对被处理体避免照射的部分，并能将分割后的线束照射到被处理体上，将遮挡构件的一部分或全部以能相对于线束形状的激光的光路相对移动的方式设置在所述光路上，随着移动能对分割后的线束的形状进行调节，从而能够获得以根据遮挡构件的移动位置决定的形状将线束分割后得到的线束，将该线束照射到被处理体上，不必花费光学系统的更换及调节的时间等，就能不对照射不妥的部位及不想照射的部位等照射激光地将线束照射到被处理体上，能够生产率佳且品质良好地进行期望的加工。
激光遮挡构件处理装置照射方法

[发明专利]移动平台-CN201380019729.7有效
发明人：伊藤大介;佐塚祐贵;泽井美喜;次田纯一 -专利权人：株式会社日本制钢所
申请日： 2013-04-01 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明能防止在进行了气氛调整的处理室内使用的、利用气体悬浮的移动平台的移动引起的微粒粉尘的卷起。在进行了调整的气氛下对被处理体(半导体基板(100))进行处理的处理室(2)内所设置的移动平台(3)中，具有设置有被处理体的平台主体(30)、以及利用气体压力以非接触方式对平台主体(30)进行支承的气体支承部，气体支承部至少具有一个或多个气垫(35)，该气垫(35)朝向处理室(2)的水平面及/或垂直面，并向所述面吹出气体，在气垫(35)的周围设有微粒粉尘吸引口(42)，还设有与微粒粉尘吸引口(42)连通并向所述处理室外伸长的吸引气体排气线(吸引气体排气管(43))。
移动平台

[发明专利]退火处理半导体基板的制造方法、扫描装置以及激光处理装置-CN201480002018.3有效
发明人：郑石焕;泽井美喜;次田纯一 -专利权人：株式会社日本制钢所
申请日： 2014-02-19 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明是一种处理方法，其中，在一边扫描一边向半导体照射线光束时，为了在不使半导体基板移动的扫描装置的机构变得复杂的情况下即可施行精度良好的动作，并且适用于大型的半导体基板，对于被支持部支承的半导体基板，通过与支持部一同移动半导体基板，在短轴方向上相对地扫描线光束，同时多路径地并列照射线光束进行处理，该处理方法包括基板旋转工序，在一个照射路径工序和之后的照射路径工序之间，该基板旋转工序旋转该半导体基板，以使所述半导体基板的前后位置变化，变更所述半导体基板相对于所述线光束的照射位置的位置；以及基板倾斜调整工序，在所述一个照射路径工序前，和之后的照射路径工序前以及所述基板旋转工序后，该基板倾斜调整工序对所述半导体基板的倾斜进行调整。
退火处理半导体制造方法扫描装置以及激光

[发明专利]激光退火装置、激光退火处理用连续传送路径、激光照射单元以及激光退火处理方法-CN201580003126.7在审
发明人：谷川贞夫;泽井美喜 -专利权人：株式会社日本制钢所
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明提供一种激光退火装置(1)，对被处理体(100)照射激光(42)进行退火处理，包括将被处理体(100)在一定方向上连续传送的连续传送路径(2)、对在连续传送路径(2)传送的被处理体(100)照射激光(42)的激光照射单元，连续传送路径(2)具备在连续传送路径(2)的上游侧搬入被处理体(100)进行传送的搬入传送路径(2a)、在搬入传送路径(2a)的下游侧传送被处理体(100)并向被处理体(100)照射激光(42)进行退火处理的照射区域传送路径(2b)、以及在照射区域传送路径(2b)的下游侧将经过退火处理后的被处理体(100)传送并搬出的搬出传送路径(2c)。
激光退火装置处理连续传送路径照射单元以及方法

[发明专利]移动平台-CN201410710844.5有效
发明人：伊藤大介;佐塚祐贵;泽井美喜;次田纯一 -专利权人：株式会社日本制钢所
申请日： 2013-04-01 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明能防止在进行了气氛调整的处理室内使用的、利用气体悬浮的移动平台的移动引起的微粒粉尘的卷起。在进行了调整的气氛下对被处理体(半导体基板(100))进行处理的处理室(2)内所设置的移动平台(3)中，具有设置有被处理体的平台主体(30)、以及利用气体压力以非接触方式对平台主体(30)进行支承的气体支承部，气体支承部至少具有一个或多个气垫(35)，该气垫(35)朝向处理室(2)的水平面及/或垂直面，并向所述面吹出气体，在气垫(35)的周围设有微粒粉尘吸引口(42)，还设有与微粒粉尘吸引口(42)连通并向所述处理室外伸长的吸引气体排气线(吸引气体排气管(43))。
移动平台

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