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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种接合基板、弹性波装置及模组-CN202310783360.2在审
发明人：枋明辉;刘志煌;刘艺霖;黄世维;杨胜裕 -专利权人： 泉州市三安集成电路有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种接合基板、弹性波装置及模组。该接合基板，包括：支撑基板，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；所述支撑基板靠近第一表面的近表面层为吸波层；所述吸波层为多孔结构，所述多孔结构的孔径直径在1nm以下。采用本发明提供的接合基板，能够使得弹性波的纵向泄露能量在吸波层中传递消耗殆尽，让杂散讯号无法再反射回器件表面，从而有效的吸收弹性波器件的纵向泄露的能量，减少体波反射，解决弹性波器件杂散讯号。
一种接合弹性装置模组

[发明专利]一种接合基板、弹性波装置及模组-CN202310783364.0在审
发明人：枋明辉;刘志煌;刘艺霖;黄世维;杨胜裕 -专利权人： 泉州市三安集成电路有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种接合基板、弹性波装置及模组。该接合基板包括：支撑基板，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；所述支撑基板靠近第一表面的近表面层中具有低声速层；所述低声速层为多孔结构，所述多孔结构的孔径直径在5nm以上且200nm以下。采用本发明提供的接合基板，能够将声表面波能量集中在压电薄膜层表面附近，限制声表面波的能量向衬底泄露，获得更高的品质因数Q，提升SAW特性，降低损耗。
一种接合弹性装置模组

[发明专利]接合基板、弹性波装置及模块-CN202310784715.X在审
发明人：林晓强;罗捷 -专利权人： 泉州市三安集成电路有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本申请涉及滤波器技术领域，特别涉及一种接合基板、弹性波装置及模块。其中，一种接合基板，包括支撑基板，具有相对的第一表面及第二表面；介质层，布置于支撑基板的第一表面；压电层，布置于介质层远离支撑基板的一侧；其中，介质层包括低声速层及高声速层，高声速层布置于第一表面，低声速层布置于高声速层远离支撑基板的一侧；支撑基板与低声速层之间设置有多晶非晶混合区域。本申请提供的接合基板，在支撑基板与低声速层之间设置多晶非晶混合区域，通过多晶非晶混合区域内部的多晶和非晶结构，对高阶杂波进行散射、反射，无需引入空腔孔洞，即使接合基板获得高阶杂散抑制能力。结构简便、滤波效果好，同时制备成本低，具有良好的应用价值。
接合弹性装置模块

[实用新型]一种晶圆贴膜机治具及晶圆贴膜机-CN202223510686.8有效
发明人：吴荣宏;黄威;喻建明 -专利权人： 泉州市三安集成电路有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶圆贴膜机治具及晶圆贴膜机，治具包括设于底座上的内台盘和外台盘，内台盘具有用于放置晶圆的承载平面，外台盘为环形，套设于内台盘外侧；外台盘于承载平面的相对两侧与底座之间分别通过第一连接件和第二连接件连接，其中第二连接件包括弹性件，弹性件使外台盘可相对承载平面倾斜设置，应用于贴胶膜，可借由其倾斜角度形成的空隙将晶圆与胶膜之间的残留气体挤出，实现胶膜与晶圆背面形成紧密贴合，获得了良好的贴膜效果，改善了切割质量及产品外观。
一种晶圆贴膜机治具晶圆贴膜机

[发明专利]一种半导体器件的电镀方法-CN202111405176.1有效
发明人：朱庆芳 -专利权人： 泉州市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C25D5/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的电镀方法，通过在前工艺层的基础上布局电阻侦测电路，前工艺层与预设电镀区域之间具有第一高度，在电镀过程中保持电流强度不变，实时监测在电镀过程中侦测电路的电阻变化，并记录下电镀开始至电阻变化的第一时间，根据第一高度和第一时间得到电镀速率。进而根据电镀金属的目标厚度计算出电镀总时间，因此可以在电镀总时间内电镀得到目标厚度的电镀金属。进一步可以采用无线传输模块将电阻信号进行无线传输，因此本发明不仅可以减少菜单设定，节约制作成本，还可以更加便捷，适用于各种不同的场景。
一种半导体器件电镀方法

[实用新型]晶圆级器件封装结构及封装体结构-CN202223534382.5有效
发明人：李岩;种兆永;吴炳财 -专利权人： 泉州市三安集成电路有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶圆级器件封装结构及封装体结构，该晶圆级器件封装结构包括若干个第一器件、围挡层、封盖层、塑封层和引出部，第一器件包括声表面波滤波器，声表面波滤波器的正面设有功能区和位于功能区外侧的焊盘，其他第一器件的正面设有焊盘，塑封层包覆若干第一器件，并使塑封层的正面与第一器件的正面平齐，围挡层设于塑封层和第一器件的正面，并具有裸露焊盘的第一通孔和裸露功能区的第二通孔，封盖层设于围挡层上，并具有与第一通孔配合相通的第三通孔，封盖层与第二通孔围合形成空腔，第一通孔和第三通孔内填充金属构成与焊盘相接的导电结构，引出部与导电结构连接，实现轻薄化和高度集成化的封装。
晶圆级器件封装结构

[发明专利]一种桥式电感结构及其制作方法和应用-CN202310332577.1在审
发明人：吕致远;吴萍芳 -专利权人： 泉州市三安集成电路有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01F27/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种桥式电感结构，其包括第一金属布线层、第二金属布线层，两者之间设有层间连接柱和介质层，层间连接柱填充于贯穿介质层的通孔中；第二金属布线层包括前后间隔排列的若干第二导线段，第一金属布线层包括对应位于第二导线段两端的若干第一导线段；第二导线段和第一导线段间通过层间连接柱连接，且各第二导线段分别通过一端的第一导线段与前一第二导线段连接，通过另一端的第一导线段与后一第二导线段连接。本发明的桥式电感结构增加了电感的Q值。采用该种桥式电感结构的滤波器，可以使得插损特性变好，频段衰减的需要特性更佳。
一种电感结构及其制作方法应用

[发明专利]一种弹性波器件以及使用其的弹性波装置-CN202310332584.1在审
发明人：蔡振东 -专利权人： 泉州市三安集成电路有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明涉及滤波器技术领域，特别涉及一种弹性波器件以及使用其的弹性波装置。该器件包含：压电基板，具有相对的第一表面和第二表面；弹性波组件，设置在压电基板的第一表面上；第二布线，设置在压电基板的第一表面上，第二布线包括沿第一方向布置的桥接部；第一绝缘体，设置在桥接部的上表面上，第一绝缘体沿第一方向布置；第一布线，设置在压电基板上并连接弹性波组件，第一布线包括隔着第一绝缘体与第二布线的桥接部立体交叉的立体布线部、以及分别连接桥接部沿第一方向上的两端的第一连接部和第二连接部，立体布线部沿第二方向布置；第一方向与第二方向交叉设置。由此，本发明提供一种高可靠度的弹性波器件。
一种弹性器件以及使用装置

[发明专利]一种空气桥电感结构及制作方法和应用-CN202310332586.0在审
发明人：吕致远;刘思玥 -专利权人： 泉州市三安集成电路有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01F27/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种空气桥电感结构，其包括两金属层，第一金属层和第二金属层具有对应下上间隔设置的环形主体，且环形主体分别具有断开缺口及第一引脚和第二引脚，两环形主体通过层间连接部连接，使第一引脚和第二引脚之间的总匝数超过一匝且小于二匝；第二金属层还包括若干第一支脚，由其环形主体的外周缘沿径向向外延伸并通过一次弯折支撑于所述基板上；第二金属层的环形主体上覆盖有相对介电常数小于5的绝缘层。本发明提升了电感器的Q值，应用于滤波器时使得滤波器的插损特性变好，频段衰减特性更佳。
一种空气电感结构制作方法应用

[发明专利]基板结构及其制备方法、滤波器、双工器-CN202211740396.4在审
发明人：林仲和;枋明辉;林彦甫;黄世雄;杨胜裕 -专利权人： 泉州市三安集成电路有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：一种基板结构及其制备方法、滤波器、双工器，涉及滤波器技术领域。该基板结构包括支撑基板和位于支撑基板上的压电基板；其中，支撑基板的材料为多晶材料，且支撑基板的气孔率小于0.0045％或大于0.6％。该基板结构能够有效改善干扰杂讯的产生，提高器件的工作性能。
板结及其制备方法滤波器双工器

[发明专利]补偿型基板及其制备方法、滤波器-CN202211720003.3在审
发明人：枋明辉;林仲和;林彦甫;黄世雄;杨胜裕 -专利权人： 泉州市三安集成电路有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本公开提供了一种补偿型基板及其制备方法、滤波器，涉及滤波器技术领域，补偿型基板，包括支撑基板和位于支撑基板上的压电基板；其中，支撑基板的材料为多晶材料，且支撑基板在单位面积内的晶粒数量大于或等于6颗，单位面积为100μm×100μm。制备方法包括：提供一种支撑基板，支撑基板的材料为多晶材料，在支撑基板上键合压电基板，以得到补偿型基板。本发明的目的在于提供一种补偿型基板及温度补偿型滤波器，该补偿型基板及其制备方法、滤波器能够有效改善干扰杂讯的产生，提高器件的工作性能。
补偿型基板及其制备方法滤波器

[实用新型]封装基板的贴膜装置-CN202223162789.X有效
发明人：郑文玮;请求不公布姓名;请求不公布姓名 -专利权人： 泉州市三安集成电路有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H03H3/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种封装基板的贴膜装置，包括壳体、盖板、气囊和固定件，气囊设于壳体所围成的腔体内，盖板固定安装于腔体内，并与气囊相对设置，固定件用于固定胶膜的端部，并放置于气囊上，封装基板上待贴膜的一侧放置于胶膜上，腔体设有抽真空装置，气囊设有充气装置，抽真空装置对腔体抽真空使腔体内处于真空状态，充气装置对气囊充气使气囊膨胀，封装基板待贴膜的一侧搭设有树脂膜片，在气囊和盖板的压合下使胶膜和树脂膜片贴合于封装基板上，并覆盖在待贴膜的一侧表面的间隙内。当腔体内处于真空状态时，气囊充气膨胀对胶膜和封装基板施加一定的压力，使胶膜和树脂膜片能够完全贴合在断差间隙内，实现良好的贴膜效果。
封装装置

[实用新型]一种GaN HEMT器件-CN202321187611.2有效
发明人：王晶晶;刘胜厚;孙希国 -专利权人： 泉州市三安集成电路有限公司
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体器件的技术领域，公开了一种GaN HEMT器件，其HEMT外延层设于衬底上，包括氮化物异质结；源极、漏极和栅极设于HEMT外延层上，其中栅极位于源极和漏极之间；复合钝化层包括第一钝化层和第二钝化层，第一钝化层设于栅极和源极以及栅极和漏极之间的HEMT外延层表面上，第二钝化层覆盖源极、漏极、栅极和第一钝化层；第一钝化层为Q‑碳层或金刚石层。通过复合钝化层的设置，使器件工作产生的热量沿横向迅速传导至电极金属并通过电极金属向外部扩散，提高器件散热性能，同时降低了寄生电容，提升了器件的抗击穿性能。
一种 gan hemt 器件

[发明专利]一种电极结构及芯片-CN202211691218.7在审
发明人：何立山;邹福松;林聪辉;蔡振东 -专利权人： 泉州市三安集成电路有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H03H9/145 文献下载
摘要：本申请公开了一种电极结构及芯片，涉及芯片技术领域，本申请的电极结构，包括基底以及设置于基底上的导电层，导电层采用掺杂有第一种金属元素和第二种金属元素的铝铜合金制成，第一种金属元素和第二种金属元素不同，且第一种金属元素和第二种金属元素均具有小于铝铜合金的腐蚀性。本申请提供的电极结构及芯片，能够提高电极结构的耐腐蚀性，同时能够抑制小丘，提高功率耐久性。
一种电极结构芯片

[实用新型]一种氮化镓基高电子迁移率晶体管-CN202321185781.7有效
发明人：谷鹏;刘胜厚 -专利权人： 泉州市三安集成电路有限公司
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体器件的技术领域，公开了一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，其具有设于HEMT外延层上的复合介质层；复合介质层中，第一介质层具有第一开口，第二介质层对应第一开口具有第二开口，且第二开口的侧壁覆盖第一开口的侧壁，第三介质层对应第二开口的上方设有第三开口，第三开口的宽度大于第二开口，组合形成裸露HEMT外延层表面的复合栅槽，且第二介质层和第三介质层的介电常数小于第一介质层的介电常数。采用不同介电常数的多层复合结构，在不影响钝化效果的前提下，显著降低栅极的寄生电容，缓解栅下强电场，减小电流崩塌，从而提升氮化镓基HEMT性能。
一种氮化镓基高电子迁移率晶体管

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